Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МПЛАД7.5КП13А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | Мини-ПЛАД | Нет | 14,4 В | 349А | 21,5 В | 13В | 1 | 7500 Вт (7,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД18КП7.0А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | ПЛАД | Нет | 7,78 В | 1500А (1,5кА) | 12 В | 7В | 1 | 18000 Вт (18 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| M5KP24CA/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 26,7 В | 129А | 38,9 В | 24В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н5632А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 8,65 В | 112А | 13,4 В | 7,78 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MSMBG5344A | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМБГ (ДО-215АА) | Нет | - | - | - | - | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MSMBJ5352B | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБЖ (ДО-214АА) | Нет | - | - | - | - | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MSMBG5378CE3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМБГ (ДО-215АА) | Нет | - | - | - | - | 600 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MSMBJ5345BE3/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБЖ (ДО-214АА) | Нет | - | - | - | - | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД36КП40САЕ3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | ПЛАД | Нет | 44,4 В | 559А | 64,5 В | 40В | 36000 Вт (36 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД36КП40АЕ3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Автомобильная промышленность | ПЛАД | Нет | 44,4 В | 559А | 64,5 В | 40В | 1 | 36000 Вт (36 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6047A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 20,9 В | 49А | 30,6 В | 18В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N5642A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 22,8 В | 45А | 33,2 В | 20,5 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MART100KP54CAE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | ДО-204АР | Нет | 60В | 943А | 106В | 54В | 100000Вт (100кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| М1.5КЕ200АЕ3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | СЛУЧАЙ-1 | Нет | 190В | 5,5 А | 274В | 171В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MASMCG12AE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | СМГК | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 13,3 В | 75,3А | 19,9 В | 12 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| SMF4L8.0CA-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | SMF4L | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-219АА | - | Автомобильная промышленность | ДО-219АА | Нет | 8,89 В | 29,4А | 13,6 В | 8В | 400 Вт | 1 | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| SMF4L43A-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | SMF4L | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-219АА | - | Автомобильная промышленность | ДО-219АА | Нет | 47,8 В | 5,7А | 69,4 В | 43В | 1 | 400 Вт | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| DESD3V3Z1BCSFQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | 0201 (0603 Метрическая единица) | 0,17 пФ @ 1 МГц | Автомобильный, USB | X2-DSN0603-2 | Нет | 5В | 3А (8/20 мкс) | 4,5 В (типичное) | 3,3 В (макс.) | 25 Вт | 1 | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| 3.0SMCJ43AQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 3.0SMCJ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Автомобильная промышленность | СМК | Нет | 47,8 В | 43,2А | 69,4 В | 43В | 1 | 3000 Вт (3 кВт) | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| SMF4L36CA-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | SMF4L | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-219АА | - | Автомобильная промышленность | ДО-219АА | Нет | 40В | 6,9А | 58,1 В | 36В | 400 Вт | 1 | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| SMF4L200AQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMF4L | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-219АА | - | Автомобильная промышленность | ДО-219АА | Нет | 224В | 1,2А | 324В | 200В | 1 | 400 Вт | Диодс Инкорпорейтед | ||||
| MRT65KP48CAE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | Случай 5А (ДО-204АР) | Нет | 53,3 В | 836А | 77,7 В | 48 В (макс.) | 65000 Вт (65 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| SMLJ150CAE3/TR13 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | СМЛД (ДО-214АБ) | Нет | 167В | 12,4А | 243В | 150 В | 3000 Вт (3 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 20КП28СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 20КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 31,28 В | 420,8А | 48В | 28В | 20000Вт (20кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 5.0SMDJ8.5CA | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5.0СМДЖ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 9,44 В | 347,3А | 14,4 В | 8,5 В | 5000 Вт (5 кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| 5.0SMLJ75A | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 5.0СМЛЖ | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Общего назначения | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 83,3 В | 41,4А | 121В | 75В | 1 | 5000 Вт (5 кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| MSMBJ5345C/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБЖ (ДО-214АА) | Нет | - | - | - | - | 600 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| М15КП78АЕ3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | ДО-204АР | Нет | 86,7 В | 119А | 126В | 78В | 1 | 15000 Вт (15 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| МРТ65КП75АЕ3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | Случай 5А (ДО-204АР) | Нет | 83,3 В | 533А | 122 В | 75 В (макс.) | 1 | 65000 Вт (65 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6171US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | Д-5С | Нет | 152В | 6,9А | 218,4 В | 121,6 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология |
