Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (типовое) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV1N6071A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 190В | 5,1А | 294В | 170В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 3.0SMCJ24A | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 3.0SMCJ | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Телеком | ДО-214АБ (СМЦ) | Нет | 26,7 В | 77,1А | 38,9 В | 24В | 1 | 3000 Вт (3 кВт) | Литтелфус Инк. | ||||
| ГГ0201052Р542П | КЬОЦЕРА AVX | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | ГиГАРД | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 125°С (ТА) | 0201 (0603 Метрическая единица) | - | Ethernet, HDMI, USB | 0201 | Нет | 6,7 В | 3А | 16 В | 5В | 46 Вт | 1 | КЬОЦЕРА AVX | ||||
| ДЛТС-5 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТА) | 16-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 880 пФ @ 1 МГц (макс.) | Общего назначения | 16-КДИП | Нет | 6В | 10 А (8/20 мкс) | 12,5 В | 5В | 15 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6070A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 181В | 5,4А | 278В | 160 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| МВ1Н8165/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | А, Осевой | - | Общего назначения | А, Осевой | Нет | 37,1 В | 2,8А | 53,6 В | 33В | 1 | 150 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MV1N8168US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, А | - | Общего назначения | А, SQ-MELF | Нет | 48,5 В | 2,14А | 70,1 В | 43В | 1 | 150 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6173A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 190В | 5,5 А | 273В | 152В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ТВС324Е3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 175°С (ТА) | SQ-MELF, А | - | Общего назначения | А, SQ-MELF | Нет | 28,4 В | 3,6А | 42В | 24В | 1 | 150 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| 3.0SMCJ36A | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 3.0SMCJ | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АБ, СМК | - | Телеком | ДО-214АБ (SMCJ) | Нет | 40В | 51,6А | 58,1 В | 36В | 1 | 3000 Вт (3 кВт) | Литтелфус Инк. | ||||
| НСП2201MR6T1G | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 125°С (ТДж) | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3пФ при 1 МГц | DVI, USB | 6-ЦОП | Да | 6В | 25 А (8/20 мкс) | 12 В | 5 В (макс.) | 2 | 500 Вт | онсеми | ||||
| 1N6117AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 28,5 В | 12А | 41,6 В | 22,8 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6167AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 104,5 В | 9,9А | 151,3 В | 86,6 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н6071А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 190В | 5,1А | 294В | 170В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6037A/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 7,79 В | 124А | 12,1 В | 7В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N8165/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Осевой | - | Общего назначения | Осевой | Нет | 37,1 В | 2,8А | 53,6 В | 33В | 150 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6122AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 44,7 В | 7,7А | 64,6 В | 35,8 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6359/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 14,1 В | 70А | 16,5 В | 12 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ИКТ-10/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 11,7 В | 90А | 14,1 В | 10 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6038A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 8,65 В | 112А | 13,4 В | 7,5 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6163AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 71,3 В | 14,5А | 103,1 В | 56В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н6156А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 37,1 В | 28А | 53,6 В | 29,7 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6117AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 28,5 В | 12А | 41,6 В | 22,8 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6153US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 28,5 В | 36А | 41,6 В | 22,8 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JAN1N6146US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 13,54 В | 67,83А | 22,05 В | 11,4 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JAN1N6144AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 11,4 В | 88,8А | 16,9 В | 9,1 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6149A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 19В | 54,2А | 27,7 В | 15,2 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6160A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 53,2 В | 19,5А | 77В | 42,6 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| МВ1Н8170/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | А, Осевой | - | Общего назначения | А, Осевой | Нет | 58,9 В | 1,76А | 85,3 В | 53В | 1 | 150 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| JAN1N6467US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/551 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 43,7 В | 45 А (8/20 мкс) | 63,5 В | 40,3 В | 1 | 500 Вт | Микрочиповая технология |
