Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули драйверов питания(1071)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Входной ток смещения | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Среднеквадратичный ток (Irms) | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Конфигурация | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Сегодняшний день | Частота переключения | Напряжение – изоляция | Максимальное напряжение проба | Минимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Топология | Напряжение проба стока к источнику |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФПАБ30БХ60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ПФК СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-fpab30bh60-datasheets-5224.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | 26 мА | 27 | 45 недель | 21 978 г | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 264В | 25А | 8541.29.00.95 | 1 | 26 мА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 20 В | 169 Вт | Импульсный регулятор или контроллеры | 15 В | 300мВ | 5мА | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,8 В | Возможность увеличивать высоту | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ20Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm20sh60a-datasheets-5231.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 20А | 59 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,5 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ15Ч60БТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение-СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb15ch60bt-datasheets-5232.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 15А | совместимый | 600В | ФСББ15Ч60 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ20СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fsam20sm60a-datasheets-5233.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | Без свинца | 32 | 32,58 г | 32 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 1 | 20А | е3 | Олово (Вс) | 59 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | НЕ УКАЗАН | 59 Вт | Не квалифицированный | 20А | 350 нс | 880 нс | 3 фаза | 20А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 2,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМС10УП60Б | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | iMOTION™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irams10up60b-datasheets-5242.pdf | Модуль 23-PowerSIP, 19 выводов, формованные выводы | 61 976 мм | 5,0038 мм | 5 мм | Без свинца | 25 | 99 недель | Нет СВХК | 20 В | 12 В | 23 | Нет | 1 | 165 мкА | е0 | Оловянный свинец | 27 Вт | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | 1,98 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 2,2 Вт | 200 мкА | Электроника управления движением | 15 В | Р-XZFM-T25 | 450В | 10А | 10А | 3 фаза | 3 | 165 мкА | 20 кГц | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 600В | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПДБ20PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fpdb20ph60-datasheets-5250.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 20 В | Без свинца | 27 | 12А | 26 мА | 62,5 Вт | 300мВ | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ30СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-fsam30sm60a-datasheets-5163.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 32,58 г | 32 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 30А | е3 | Олово (Вс) | 62 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16,5 В | 13,5 В | 62 Вт | 30А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 2,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCBS0650 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 100°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fcbs0650-datasheets-5170.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 27 | 6А | 500В | 500В | 6А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПДБ30PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | ПФК СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fpdb30ph60-datasheets-5172.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 26,8 мм | Без свинца | 26 мА | 27 | 6 недель | 13,32 г | Нет СВХК | 20 В | 27 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 20А | 8541.29.00.95 | 1 | 26 мА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 83 Вт | Импульсный регулятор или контроллеры | 15400В | 450В | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 3,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ10Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-fsam10sh60a-datasheets-5180.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 32,58 г | Нет СВХК | 16,5 В | 32 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 10А | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДВОЙНОЙ | 15 В | 13,5 В | 43 Вт | 20А | 270 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,5 В | 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАБ20ПХ60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fsab20ph60-datasheets-5188.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 4,5 мм | 16,5 В | Без свинца | 27 | 11А | 600В | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФПАБ30PH60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fpab30ph60-datasheets-5192.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 20 В | Без свинца | 27 | 20А | 26 мА | 83 Вт | 300мВ | 5мА | 2 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМС06UP60B | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | iMOTION™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Коробка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irams06up60b-datasheets-5120.pdf | Модуль 23-PowerSIP, 19 выводов, формованные выводы | 62 мм | 22,3 мм | 5 мм | 15 В | Без свинца | 25 | 13 недель | Нет СВХК | 20 В | 12 В | 23 | Нет | 1 | 1,6 мА | е0 | Оловянный свинец | 7,5 Вт | ЗИГ-ЗАГ | 15 В | 1,98 мм | 7,5 Вт | Электроника управления движением | Р-ПЗФМ-Т25 | 450В | 6А | 470 нс | 615 нс | 3 фаза | 3 | 2000 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС15Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs15ch60-datasheets-5134.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 13,86 г | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | 100 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 32 Вт | 600В | 30А | 3 фаза | 3 | 20 кГц | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ15Ш60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsam15sh60-datasheets-5141.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 32 | да | EAR99 | 15А | не_совместимо | 8541.29.00.95 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 600В | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | ФСАМ15 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | Р-XDMA-T32 | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБС3Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbs3ch60-datasheets-5145.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | 20 В | Без свинца | 27 | 25 недель | 13,86 г | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 3А | 100 мкА | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 400В | 3А | 3 фаза | 3 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ30Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 100°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-fsam30sh60a-datasheets-5153.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 8,3 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 52 недели | 32,58 г | Неизвестный | 16,5 В | 13,5 В | 32 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 15 В | 8541.29.00.95 | 1 | 30А | е3 | Олово (Вс) | 62 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 62 Вт | 125°С | 4,5 В | 30А | 3 фаза | 6 | 15 кГц | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,5 В | 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15SL60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sl60-datasheets-5160.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | ФСБМ15 | 46 Вт | 15А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ50250С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МОП-транзистор | СПМ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-fsb50250s-datasheets-5161.pdf | Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки | 29 мм | 3,05 мм | 12 мм | Без свинца | 23 | 4,05 г | Нет СВХК | 400В | 23 | да | 500В | 1 | 1А | 200 мкА | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСБ50250 | 10 Вт | 1А | 500В | 2А | 1А | 3 фаза | 3 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 500В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФКАС50СН60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fcas50sn60-datasheets-5091.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 50А | 600В | 1 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ30Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm30sh60a-datasheets-5093.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 30А | 62 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ20SL60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsam20sl60-datasheets-5094.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 58 Вт | 20А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sh60a-datasheets-5095.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 15А | ФСБМ15 | 50 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,5 В | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ10СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm10sm60a-datasheets-5096.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 32 | 10А | 43 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБМ15СМ60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | СПМ® | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fsbm15sm60a-datasheets-5100.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | Без свинца | 15А | ФСБМ15 | 50 Вт | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 2,3 В | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ30Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb30ch60-datasheets-5101.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 4,5 мм | 27 мм | 400В | Без свинца | 27 | 13,32 г | Нет СВХК | 450В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 30А | 500 мкА | е3 | Олово (Вс) | 103 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСББ30Ч60 | 103 Вт | 800мВ | 5мА | 30А | 3 фаза | 1 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,75 В | 30А | 600В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСАМ15Ш60А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | 15 кГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-fsam15sh60a-datasheets-5111.pdf | Модуль 32-PowerDIP (1,370, 34,80 мм) | 60 мм | 7,2 мм | 31 мм | Без свинца | 32 | 32,58 г | Нет СВХК | 16,5 В | 32 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 253В | 8541.29.00.95 | 1 | 15А | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСАМ15 | 13,5 В | 50 Вт | 30А | 340 нс | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,5 В | 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРАМ256-1067А2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | iMOTION™ | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-iram2561067a2-datasheets-5119.pdf | Модуль 29-PowerSSIP, 21 вывод, формованные выводы | 10А | 600В | 3 фаза | 2000 В (среднеквадратичное значение) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМП15П12Д | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Крепление на шасси | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Силовой модуль | Содержит свинец | 30А | 1,2 кВ | 14 нс | 3 фаза | 2500 В постоянного тока | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСББ20Ч60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БТИЗ | Движение СПМ® 3 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -20°С | ГИБРИДНЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fsbb20ch60-datasheets-5068.pdf | Модуль 27-PowerDIP (1,205, 30,60 мм) | 44 мм | 5,5 мм | 27 мм | Без свинца | 27 | 13,32 г | 16,5 В | 13,5 В | 27 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 20А | е3 | Олово (Вс) | 61 Вт | ДВОЙНОЙ | 15 В | ФСББ20Ч60 | 61 Вт | 20А | 3 фаза | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600В | 600В | 2,3 В | 20А |
