Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТиристоры SCR (5405)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Конфигурация | Ток утечки (макс.) | Удерживай ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Неповторяющийся ПК в рабочем состоянии | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Напряжение — триггера затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние – выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Время отключения, коммутируемое цепью-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВС-10РИА120М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs10ria10-datasheets-8528.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10А | 130 мА | СКР | 1,2 кВ | 10А | 2В | 190А 200А | 60 мА | 25А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-10РИА40М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs10ria10-datasheets-8528.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10А | 130 мА | СКР | 400В | 10А | 2В | 190А 200А | 60 мА | 25А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-80РИА40 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs81ria120-datasheets-6921.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 3 | 13 недель | 4 | EAR99 | неизвестный | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Н3 | 125А | ОДИНОКИЙ | 200 мА | 400В | СКР | 400В | 2,5 В | 1900А 1990А | 120 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-22РИА120С90 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs22ria120-datasheets-5890.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35А | 130 мА | 1,2 кВ | СКР | 1,2 кВ | 2В | 335А 355А | 60 мА | 22А | Стандартное восстановление | 1,7 В | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-22РИА60 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs22ria120-datasheets-5890.pdf | 22А | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | 13,999987г | 2 | EAR99 | Нет | 22РИА* | 1,7 В | 35А | 130 мА | 600В | СКР | 600В | 2В | 400А 420А | 60 мА | Стандартное восстановление | 1,7 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-10РИА60 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs10ria10-datasheets-8528.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 10РИА* | НЕ УКАЗАН | 25А | 130 мА | 600В | СКР | 600В | 2В | 225А 240А | 60 мА | 10А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-2Н682 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs2n684-datasheets-8530.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 2 | 14 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.30.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2Н6* | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | 25А | ОДИНОКИЙ | 20 мА | 50В | СКР | 50В | 2В | 145А 150А | 40 мА | 16А | Стандартное восстановление | 6,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CMA80E1600HB | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CMA80E1600HB | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | ТО-247-3 | 20 недель | EAR99 | НЕТ | Кремневые управляемые выпрямители | 80000А | 3мА | 780 А | 100 мА | СКР | 1,6 кВ | 1600В | 126А | 100 мА | 1,4 В | 720А 780А | 80 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,47 В | 150 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-10РИА20 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs10ria10-datasheets-8528.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 10РИА* | НЕ УКАЗАН | 25А | 130 мА | 200В | СКР | 200В | 2В | 225А 240А | 60 мА | 10А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-110РКИ80ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs111rki80-datasheets-6907.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Никель (Ni) | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 172А | 200 мА | 800В | СКР | 800В | 2В | 1750А 1830А | 120 мА | 110А | Стандартное восстановление | 1,57 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-50РИА80М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs50ria120-datasheets-5683.pdf | ТО-208АС, ТО-65-3, Шпилька | 2 | 14 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | О-МУПМ-Д2 | 80А | ОДИНОКИЙ | 200 мА | 800В | СКР | 800В | 800В | 80А | 2,5 В | 1200А 1255А | 100 мА | 50А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-25ТТС08ФП-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs25tts12fpm3-datasheets-5328.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 12 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | Кремневые управляемые выпрямители | 25А | 10 мА | 150 мА | 800В | 100 мА | СКР | 800В | 2В | 270 А при 50 Гц | 45 мА | 16А | Стандартное восстановление | 1,25 В | 500 мкА | 500 В/мкс | 110 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-110РКИ120ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs111rki80-datasheets-6907.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 29,5 мм | 188 мм | 27 мм | 13 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | Никель (Ni) | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 172А | 200 мА | 1,2 кВ | СКР | 1,2 кВ | 2В | 1750А 1830А | 120 мА | 110А | Стандартное восстановление | 1,57 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-16РИА120МС90 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs16ria20-datasheets-8534.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35А | 130 мА | СКР | 1,2 кВ | 35А | 2В | 285А 300А | 60 мА | 16А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-81РИА80ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs81ria120-datasheets-6921.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 3 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Н3 | 125А | ОДИНОКИЙ | 200 мА | 800В | СКР | 800В | 2,5 В | 1600А 1675А | 120 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMA50E1600QB | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CMA50E1600QB | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | ТО-3П-3, СК-65-3 | 20 недель | EAR99 | СКР | 1,6 кВ | 79А | 100 мА | 1,5 В | 550А 595А | 50 мА | 50А | Стандартное восстановление | 1,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-110РКИ40ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs111rki80-datasheets-6907.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Никель (Ni) | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 172А | 200 мА | 400В | СКР | 400В | 2В | 1750А 1830А | 120 мА | 110А | Стандартное восстановление | 1,57 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-82РИА120 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs81ria120-datasheets-6921.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | Без свинца | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 125А | 200 мА | СКР | 1,2 кВ | 125А | 2,5 В | 1900А 1990А | 120 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-80ТПС16Л-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs80tps16lm3-datasheets-8667.pdf | ТО-247-3 | 2 недели | ТО-247АД | 1,6 кВ | 126А | 200 мА | 1,5 В | 1 кА при 50 Гц | 100 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,66 В | 200 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-80РИА40ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs81ria120-datasheets-6921.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 3 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Н3 | 125А | ОДИНОКИЙ | 200 мА | 400В | СКР | 400В | 2,5 В | 1600А 1675А | 120 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-111РКИ40ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs111rki80-datasheets-6907.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Никель (Ni) | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 172А | 200 мА | 400В | СКР | 400В | 2В | 1750А 1830А | 120 мА | 110А | Стандартное восстановление | 1,57 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-81РИА40ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs81ria120-datasheets-6921.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 3 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Н3 | 125А | ОДИНОКИЙ | 200 мА | 400В | СКР | 400В | 2,5 В | 1600А 1675А | 120 мА | 80А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS4040NAQ2RP | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Teccor® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | /files/littelfuseinc-hs4040raq3tp-datasheets-8430.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | СКР | 400В | 40А | 120 мА | 1,5 В | 430А 520А | 45 мА | 25А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 10 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-111РКИ80ПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs111rki80-datasheets-6907.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 13 недель | EAR99 | неизвестный | Никель (Ni) | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 172А | 200 мА | 800В | СКР | 800В | 2В | 1750А 1830А | 120 мА | 110А | Стандартное восстановление | 1,57 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-16РИА100М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs16ria20-datasheets-8534.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35А | 130 мА | СКР | 1кВ | 35А | 2В | 285А 300А | 60 мА | 16А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N0465WN140 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Крепление на шасси | -60°К~125°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 42 мм | ТО-200АБ, Б-ПуК | 14 мм | 8 недель | 250 мА | 1,6 кВ | 1,4 кВ | 920А | 2,5 В | 5000 А при 50 Гц | 465А | Стандартное восстановление | 2,09 В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-111РКИ40 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs111rki80-datasheets-6907.pdf | ТО-209АС, ТО-94-4, Шпилька | 13 недель | 4 | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 172А | 200 мА | 400В | СКР | 400В | 2В | 1750А 1830А | 120 мА | 110А | Стандартное восстановление | 1,57 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-50РИА60М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs50ria120-datasheets-5683.pdf | ТО-208АС, ТО-65-3, Шпилька | 2 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕПРИГОДНЫЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | О-МУПМ-Д2 | 80А | ОДИНОКИЙ | 200 мА | 600В | СКР | 600В | 600В | 80А | 2,5 В | 1200А 1255А | 100 мА | 50А | Стандартное восстановление | 1,6 В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-22РИА80М | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs22ria120-datasheets-5890.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35А | 130 мА | СКР | 800В | 35А | 2В | 335А 355А | 60 мА | 22А | Стандартное восстановление | 1,7 В | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA30E2200FB | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CNA30E2200FB | Сквозное отверстие | -10°C~70°C ТДж | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | 32 недели | СКР | 2,2 кВ | 47А | 300 мА | 2,5 В | 200А | 250 мА | 30А | Стандартное восстановление | 3В | 50 мкА |
