Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСимисторы Тиристоры(5280)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Напряжение – выключенное состояние | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Тип триака | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QJ8008N5TP | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | QJxx06xx | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | Одинокий | 800 В | 8 А | 50 мА | 1,3 В | 100А, 120А | 50 мА | Стандартный | Литтелфус Инк. | |||
| БТА416Х-800BTQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Б | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ТО-220Ф | Одинокий | 800 В | 16 А | 60 мА | 1 В | 160А, 176А | 50 мА | Логика — тонкие ворота | ВеЭн Полупроводники | |||
| БТА425Z-800BTQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БТ | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | Одинокий | 800 В | 25 А | 75 мА | 1,3 В | 250А, 275А | 50 мА | Логика — тонкие ворота | ВеЭн Полупроводники | |||
| БЦР8ПМ-12ЛА-А8 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Ренесас Электроникс Америка Инк. | |||||||||||||||
| Т1235Н-8Т | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЧАС | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220 | Одинокий | 800 В | 12 А | 35 мА | 1,3 В | 120А, 126А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| QV6016RH4TP | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | QVxx16xHx | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Одинокий | 600 В | 16 А | 50 мА | 1,3 В | 167А, 200А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | Литтелфус Инк. | |||
| ACTT6-800E,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | |||||||||||||||
| МАК97-008 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||
| BCR8FM-12LB#BB0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Ренесас Электроникс Америка Инк. | |||||||||||||||
| Т1235-6Б-ТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Без демпфера? | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 125°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | Одинокий | 600 В | 12 А | 35 мА | 1,3 В | 120А, 126А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| БТ138-800Э/ДГ127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | |||||||||||||||
| Т1235Н-8И | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЧАС | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ изолированный | Одинокий | 800 В | 12 А | 35 мА | 1,3 В | 120А, 126А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| T1235H-8G-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЧАС | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | Одинокий | 800 В | 12 А | 35 мА | 1,3 В | 120А, 126А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| Т835Н-8Т | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Без демпфера? | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220 | Одинокий | 600 В | 8 А | 35 мА | 1 В | 80А, 84А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| QV6016LH4TP | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | QVxx16xHx | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Одинокий | 600 В | 16 А | 50 мА | 1,3 В | 167А, 200А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | Литтелфус Инк. | |||
| Т2535Т-8Г-ТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЭКОПАК?2 | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | Одинокий | 800 В | 25 А | 35 мА | 1 В | 200А, 210А | 35 мА | Стандартный | СТМикроэлектроника | |||
| QV6016NH4RP | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | QVxx16xHx | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | Одинокий | 600 В | 16 А | 50 мА | 1,3 В | 167А, 200А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | Литтелфус Инк. | |||
| Т835Х-8Г-ТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЧАС | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | Одинокий | 800 В | 8 А | 35 мА | 1,3 В | 80А, 84А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| QV6016NH4TP | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | QVxx16xHx | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | Одинокий | 600 В | 16 А | 50 мА | 1,3 В | 167А, 200А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | Литтелфус Инк. | |||
| Т835Н-8И | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Серия Х | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ изолированный | Одинокий | 800 В | 8 А | 35 мА | 1,3 В | 80А, 84А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | СТМикроэлектроника | |||
| Т2535Т-8И | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЭКОПАК?2 | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ изолированный | Одинокий | 800 В | 25 А | 35 мА | 1 В | 200А, 210А | 35 мА | Стандартный | СТМикроэлектроника | |||
| MAC16CNG | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -40°С ~ 125°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Одинокий | 800 В | 16 А | 50 мА | 1,5 В | 150 А при 60 Гц | 35 мА | Стандартный | онсеми | |||
| Т2535Т-8Т | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЭКОПАК?2 | Сквозное отверстие | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220 | Одинокий | 800 В | 25 А | 35 мА | 1 В | 200А, 210А | 35 мА | Стандартный | СТМикроэлектроника | |||
| Т1605Г-6И | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -40°С ~ 125°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ изолированный | Одинокий | 600 В | 16 А | 5 мА | 1,3 В | 140 А при 50 Гц | 5 мА | Логика — тонкие ворота | СТМикроэлектроника | |||
| Т810Т-8Г-ТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | Одинокий | 800 В | 8 А | 1,3 В | 60А, 63А | 10 мА | Логика — тонкие ворота | СТМикроэлектроника | ||||
| Т810Т-8Г | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | Одинокий | 800 В | 8 А | 1,3 В | 60А, 63А | 10 мА | Логика — тонкие ворота | СТМикроэлектроника | ||||
| БТА330Y-800BT127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | |||||||||||||||
| БТА330-800BT127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | |||||||||||||||
| БТА316Х-800Б/Л01127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | |||||||||||||||
| Z0109M1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ЭКОПАК?2 | Поверхностный монтаж | -40°С ~ 125°С (ТДж) | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 8-СО | Одинокий | 600 В | 1 А | 10 мА | 1,3 В | 8А, 8,5А | 10 мА | Стандартный | СТМикроэлектроника |
