| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Толерантность | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РИТЭГ BZD17C51P | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 800мВт | 60 Ом | 1 мкА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | 51В | ||||
| BZD17C39P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,12% | Суб-SMA | 800мВт | 40 Ом | 1 мкА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | ||||
| BZD17C27P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±7,03% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | ||||
| BZD17C220P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,68% | Суб-SMA | 800мВт | 900Ом | 1 мкА при 160 В | 1,2 В при 200 мА | 220В | ||||
| BZD17C47P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 45 Ом | 1 мкА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | ||||
| BZD27C51PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 60 Ом | 1 мкА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | 51В | |||
| BZD27C100P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 1 Вт | 200 Ом | 1 мкА при 75 В | 1,2 В при 200 мА | 100В | ||||
| БЗД27К82ПХМ2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,09% | Суб-SMA | 1 Вт | 200 Ом | 1 мкА при 62 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | |||
| БЗД17К47П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 45 Ом | 1 мкА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | ||||
| BZD17C180P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 450 Ом | 1 мкА при 130 В | 1,2 В при 200 мА | 180 В | ||||
| BZD27C120P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,39% | Суб-SMA | 1 Вт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120,5 В | ||||
| РИТЭГ BZD17C18P | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | ||||
| БЗД17К75П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 100 Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 75В | ||||
| РИТЭГ БЗД17К16П | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,625% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | 16 В | ||||
| БЗД17С51П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 800мВт | 60 Ом | 1 мкА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | 51В | ||||
| БЗД17К27П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±7,03% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | ||||
| BZD17C200P РТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 750 Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 200 мА | 200В | ||||
| BZD27C7V5PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | |||
| БЗД17К39П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,12% | Суб-SMA | 800мВт | 40 Ом | 1 мкА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | ||||
| БЗД17К12П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 7 Ом | 3 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 200 мА | 12 В | ||||
| БЗД27С24П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,78% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 18 В | 1,2 В при 200 мА | 24,2 В | ||||
| БЗД17С15П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | ||||
| БЗД17К120П МКГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120 В | ||||
| BZD27C6V8PHMHG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 1 Вт | 3Ом | 10 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 6,8 В | |||
| РИТЭГ БЗД17К36П | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,55% | Суб-SMA | 800мВт | 40 Ом | 1 мкА при 27 В | 1,2 В при 200 мА | 36В | ||||
| BZD17C200P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 750 Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 200 мА | 200В | ||||
| БЗД27К75П М2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 100 Ом | 1 мкА при 56 В | 1,2 В при 200 мА | 74,5 В | ||||
| БЗД17К18П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 15 Ом | 1 мкА при 13 В | 1,2 В при 200 мА | 18В | ||||
| BZD17C120P МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,41% | Суб-SMA | 800мВт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120 В | ||||
| РИТЭГ БЗД17К15П | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.