| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Частота (макс.) | Количество выходов | Сегодняшний день | Количество входных строк | Макс. рабочий цикл | Рабочий цикл | Количество входов | Выход | Выходные характеристики | Количество истинных выходов | Количество выходных линий | фмакс-мин | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Задержка распространения (tpd) | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDCLVC1106PWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-trf370417irget-datasheets-0676.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 6 недель | 14 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1 мм | EAR99 | Золото | Нет | ТР | 1 | 20 мА | е4 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | CDCLVC1106 | 14 | 2,7 В | 2,3 В | Драйверы часов | 3,3 В | 125°С | 85°С | CDC | 10 нс | 2 нс | 6 | 1 | 0,05 нс | LVCMOS | 1:6 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI53311-B-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), мультиплексор, транслятор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 1,25 ГГц | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si53311bgm-datasheets-0361.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 950 мкм | 5 мм | 32 | 6 недель | Неизвестный | 32 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 2,5, 3,3 В. | 1 | 100 мА | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | СИ53311 | НЕ УКАЗАН | 1 | Часы | 6 | 52 % | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 2:6 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ПБ1106ЦМГК | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Полоска | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-5pb1106cmgk-datasheets-0367.pdf | 16-UFQFN | 12 недель | 1,71~3,465 В | 1 | 200 МГц | LVCMOS | 1:6 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 552-02СКМГИ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Полоска | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16-UFQFN | 12 недель | 1,71~3,465 В | 1 | 200 МГц | LVCMOS | 2:8 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ3Н551ДР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nb3n551dr2g-datasheets-9762.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | Олово | Нет | 1 | е3 | Без галогенов | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | НБ3Н551 | 8 | 3,6 В | 3В | 40 | Драйверы часов | 1 | 3Н | 6 нс | Буфер | 6 нс | 4 | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 0,025 А | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 1:4 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI6C4921506LIEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-pi6c4921506liex-datasheets-0340.pdf | 24-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 7,8 мм | 4,4 мм | 24 | 20 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 3,3 В. | Олово | 1 | 2375~3465В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | 0,65 мм | PI6C4921506 | 2625 В | 2,375 В | Драйверы часов | 2,5/3,3 В | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г24 | ПИ6 | 1,5 ГГц | 53 % | ЛВДС | 0,055 нс | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 1:6 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL18861DIT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/siliconlabs-sl18861di-datasheets-0269.pdf | 10-ВФДФН | 2 мм | 10 | 6 недель | 10 | 1 | 1,7 В~3,65 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,4 мм | SL18861 | 10 | 1 | Не квалифицированный | 52 МГц | 3 | LVCMOS | 1:3 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI6CB18401ZHIEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тактовый буфер | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | 2017 год | /files/diodesincorporated-pi6cb18401zhiex-datasheets-0405.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 23 недели | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,5 мм | 1 | S-XQCC-N32 | 6С | 100 МГц | 3-СОСТОЯНИЕ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ РЕЗИСТОРОМ | 8 | 4,5 нс | ХССЛ | 1:4 | Нет/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI53306-B-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si53306bgmr-datasheets-0409.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 16 | 6 недель | 16 | 55 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | СИ53306 | Драйверы часов | 1 | Не квалифицированный | Переводчик | 725 МГц | 100 мА | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 0,825 нс | ХМЛ, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89311UMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy89311umgtr-datasheets-0417.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 850 мкм | 2 мм | Без свинца | 44 мА | 8 недель | 5,5 В | 2,375 В | 8 | Нет | 6В | 30 мА | Неинвертирующий | 2,375 В~5,5 В | SY89311 | 1 | 8-МЛФ® (2х2) | 360 пс | 360 пс | 3 ГГц | 4 | 1 | ОКУ, ОКУ | 2 | ОКУ, ОКУ | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STCD2400F35F | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stcd2400f35f-datasheets-0202.pdf | 16-ВФБГА, ВЛЦП | 16 | 12 | EAR99 | Нет | 2,5 В~5,1 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 0,4 мм | STCD24 | 3/5 В | 1 | 52 МГц | Часы | 1:4 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8L30110NLGI | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 32-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | 1,35~3,465 В | 1 | 200 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, кристалл | 3:10 | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5330M-B00233-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si5330hb00222gm-datasheets-9221.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 24 | 6 недель | 24 | 1 | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | СИ5330 | 24 | 40 | 1 | 250 МГц | 60 % | ХССЛ | 4 нс | КМОП, HSTL, LVTTL, SSTL | 1:4 | Нет/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI6CV2304WEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-pi6cv304wex-datasheets-9540.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 | 23 недели | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 1 | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | PI6CV2304 | 3,6 В | 3В | 40 | Драйверы часов | 1 | 6С | 10 нс | 3 нс | 140 МГц | 4 | 55 % | 55 % | LVCMOS | КМОП, ТТЛ | 1:4 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5330C-B00207-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si5330hb00222gm-datasheets-9221.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 24 | 6 недель | 24 | 1 | ДА | 1,71 В~3,63 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | СИ5330 | 24 | 3,63 В | 2,97 В | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,5 нс | 250 МГц | 4 | 60 % | ХССЛ | 250 МГц | ХМЛ, HCSL, LVDS, LVPECL | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 49FCT805PYG | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 49ФКТ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-49fct805pyg-datasheets-0335.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4,75 В~5,25 В | IDT49FCT805 | 2 | 20-ССОП | КМОП, ЛВТТЛ | КМОП, ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI6C4931504-04LIEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-pi6c493150404liex-datasheets-0154.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 20 | 20 недель | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 3,3 В. | 1 | 2,375~3,63 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | 0,65 мм | PI6C4931504 | 2625 В | 2,375 В | Драйверы часов | 2,5/3,3 В | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G20 | 6С | 250 МГц | ХССЛ | 250 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 2:4 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 621НЛФТ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-621nlft-datasheets-0100.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | 1,14 В~1,89 В | ICS621 | 1 | 200 МГц | LVCMOS | Часы | 1:4 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 859S0212BГИЛФ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 2375~3465В | 1 | 3 ГГц | ЛВДС, ЛВПЭКЛ | ХМЛ, LVDS, LVPECL | 2:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 551МИЛФТ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | ЧасыБлоки™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-551mlft-datasheets-9906.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 3В~5,5В | ICS551 | 1 | 8-СОИК | 160 МГц | КМОП | КМОП | 1:4 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB3M8302CDR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nb3m8302cdr2g-datasheets-0095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 3135~3465В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 3,465 В | Драйверы часов | 1 | НБ3 | 60 % | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 3,3 нс | 3,3 нс | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 1:2 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 83905АГЛФТ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-83905aglft-datasheets-0212.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 1,6~3,465 В | ICS83905 | 1 | 100 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | Кристалл | 1:6 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8Т79С308НЛГИ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | /files/renesaselectronicsamericainc-8t79s308nlgi-datasheets-0039.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | 2375~3465В | 1 | 3 ГГц | ЛВДС, ЛВПЭКЛ | ЛВДС, ЛВПЭКЛ | 1:8 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 9112АГ-27ЛФТ | Ренесас Электроникс Америка Инк. | $13,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-9112ag27lft-datasheets-0171.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 3В~3,6В | ICS9112-27 | 1 | 8-ЦСОП | 140 МГц | Часы | Часы | 1:4 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100ЭЛ14ВЗГ-ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор | 100EL, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100el14vzgtr-datasheets-0033.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 8 недель | 5В | 3,3 В | 20 | 32 мА | 3В~5,5В | SY100EL14 | 1 | 20-СОИК | 5 | ОКУ, ОКУ | ОКУ, ОКУ | 2:5 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5P83904CMGK | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Полоска | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16-UFQFN | 12 недель | 1,71~3,465 В | 1 | 200 МГц | LVCMOS | Кристалл | 1:4 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89851UMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Fanout Buffer (распределение), переводчик | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-sy89851umgtr-datasheets-0027.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка, 16-MLF® | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 15 недель | 16 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | Нет | 1 | 4В | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,375 В~3,6 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | SY89851 | 40 | 1 | 340 пс. | 340 пс. | 4 ГГц | 2 | LVPECL | 3000 МГц | ХМЛ, ЛВДС, ПЭКЛ | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5В2305НРГИ8 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-5v2305nrgi8-datasheets-0165.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | 2,3 В~3,6 В | IDT5V2305 | 1 | 200 МГц | LVCMOS | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | 1:5 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL11DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel11dr2g-datasheets-9897.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 24 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | MC100LVEL11 | 8 | 3В | 40 | Драйверы часов | +-3,3 В | 1 | 435 пс. | 435 пс. | 4 | ОКУ, ОКУ | 0,02 нс | ОКУ, ОКУ | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 83905AGILFT | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-83905agilft-datasheets-0185.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 1,6~3,465 В | ICS83905 | 1 | 100 МГц | ЛВКМОП, ЛВТТЛ | Кристалл | 1:6 | Нет/Нет |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.