Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые потенциометры(9826)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип конвертера | Тип | Конфигурация | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Закон сопротивления | Интерфейс управления | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCP4632T-104E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 5В | 8 | 10 недель | 100 кОм | 10 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,5 мм | MCP4632 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | С-ПДСО-Н8 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-502E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-104E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100 кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4551T-103E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | 16 недель | 37,393021мг | 10 кОм | 8 | I2C | 256 | EAR99 | Нет | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,635 мм | МСР4551 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-503E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4152T-502E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 7 недель | 5,5 В | 1,8 В | 5кОм | 8 | СПИ | 256 | Нет | 1 мА | ±20% | 150 частей на миллион/°С | 1,8 В~5,5 В | MCP4152 | 1 | 1 | 8-МСОП | Неустойчивый | Реостат | 257 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4232T-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 10 | 7 недель | 5кОм | 10 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4232 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4152-103E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 1 кГц | 8 | 14 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4231-503E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 5В | 0,2 кГц | 16 | 14 недель | 50кОм | 16 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4231 | 16 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4232-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 10 | 7 недель | 5кОм | 10 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4232 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-503E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4231T-104E/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 5В | 0,1 кГц | 14 | 14 недель | 100 кОм | 14 | СПИ | да | 128 | EAR99 | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4231 | 14 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4152T-103E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 1 кГц | 8 | 14 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4232T-502E/UN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 10 | 8 недель | 5кОм | 10 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4232 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||
| CAT5113YI-10-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat5113yi10gt3-datasheets-3768.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 2 недели | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 100 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | КАТ5113 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 6В | 100 | Линейный | 1000 Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4231T-103E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 5В | 1 кГц | 16 | 14 недель | 10 кОм | 16 | СПИ | да | 128 | EAR99 | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4231 | 16 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4231T-503E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 5В | 0,2 кГц | 16 | 14 недель | 50кОм | 16 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4231 | 16 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4152T-503E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4232T-104E/UN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 10 | 14 недель | 100 кОм | 10 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4232 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||
| MCP4231T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 5В | 0,1 кГц | 14 | 14 недель | 100 кОм | 14 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4231 | 14 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-104E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100 кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4231-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 5В | 2 кГц | 14 | 12 недель | 5кОм | 14 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4231 | 14 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4541T-104E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4642t103emf-datasheets-4052.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100 кОм | 8 | I2C | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4541 | 8 | 40 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5463EXK+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФлеаПоТ™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/maximintegrated-max5462extt-datasheets-3375.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 5 | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | EAR99 | 1 | ±25% | е3 | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | МАКС5463 | 5 | НЕ УКАЗАН | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г5 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 2,7 В | 32 | Линейный | 35 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4141T-503E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4261502esl-datasheets-2538.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 550 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4141 | 8 | 40 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||
| CAT5110SDI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5110tbi00gt3-datasheets-3452.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 6 | 4 недели | 50кОм | да | 32 | EAR99 | 1 | е4 | 200 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | КАТ5110 | 6 | 40 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | 50000Ом | 5,5 В | ЛИНЕЙНЫЙ | УВЕЛИЧЕНИЕ/УМЕНЬШЕНИЕ | 32 | 200 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4152-502E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4152T-104E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100 кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4142T-502E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4261502esl-datasheets-2538.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 550 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4142 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 |
