Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Входная емкость | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Тактовая частота | Количество ворот | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Направление счета | Опора Delay@Nom-Sup | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Макс. частота в номинальном режиме | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC10H186P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,44 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h186fnr2-datasheets-0299.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 2,54 мм | 10Х186 | 30 | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 3 нс | Перезагрузить | 50 мА | 50 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 110 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL35DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 100ЕЛ35 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ФФ/защелки | +-5В | 1 | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | 2 | Дифференциальный | 525 пс. | Резкий поворот | 700 пс | Перезагрузить | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 37 мА | 0,745 нс | Положительное преимущество | 32 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74AC273DW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc74ac273dtr2g-datasheets-8688.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 5В | Содержит свинец | 20 | 20 | EAR99 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е0 | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 74AC273 | 6В | 2В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 8 | Не квалифицированный | переменного тока | 4,5 пФ | 8 | Неинвертированный | 5,5 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 13 нс | Общий сброс | 24 мА 24 мА | 175 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 50 пФ | 75000000Гц | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 20 | 20 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х176 | 30 | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | 50 мА | 50 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14013BFEL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-mc14013bdtr2g-datasheets-8155.pdf | 14-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Содержит свинец | 14 | 14 | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 4013 | 3В | НЕ УКАЗАН | 2 | ФФ/защелки | Не квалифицированный | 5пФ | 1 | Дифференциальный | 50 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 350 нс | Установить (предустановка) и сброс | 8,8 мА 8,8 мА | 14 МГц | Положительное преимущество | 1 | 7 МГц | Положительное преимущество | 100 нс при 15 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL52DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el52dg-datasheets-0944.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10ЭЛ52 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | -5,2 В | 1 | Не квалифицированный | 1 | Дифференциальный | 365 пс. | Тип D, триггер | 465 пс. | Стандартный | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 2200 МГц | 25 мА | Положительное преимущество | 2200000000Гц | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14013BF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-mc14013bdtr2g-datasheets-8155.pdf | 14-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Содержит свинец | 14 | 14 | неизвестный | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 4013 | 3В | 40 | 2 | ФФ/защелки | Не квалифицированный | 5пФ | 1 | Дифференциальный | 50 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 350 нс | Установить (предустановка) и сброс | 8,8 мА 8,8 мА | 14 МГц | Положительное преимущество | 1 | 7 МГц | Положительное преимущество | 100 нс при 15 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H186PG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,44 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h186fnr2-datasheets-0299.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | 16 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,54 мм | 10Х186 | 40 | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 3 нс | Перезагрузить | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 110 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14175BCPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc14175bfelg-datasheets-9024.pdf | 2,25 мкА | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,5326 мм | 3,429 мм | 6,858 мм | Без свинца | 16 | 4.535924г | Нет СВХК | 16 | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | 5В | 4175 | 3В | 1 | ФФ/защелки | 4 | 5пФ | 4 | 8,8 мА | Дифференциальный | 70 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 500 нс | Перезагрузить | 8,8 мА 8,8 мА | 14 МГц | Положительное преимущество | 6,5 МГц | Положительное преимущество | 120 нс при 15 В, 50 пФ | 2000000Гц | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H186FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h186fnr2-datasheets-0299.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Без свинца | 20 | 20 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х186 | 40 | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 3 нс | Перезагрузить | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 110 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74AC273DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-mc74ac273dtr2g-datasheets-8688.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | Содержит свинец | 20 | 20 | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74AC273 | 6В | 2В | 40 | 1 | ФФ/защелки | 8 | Не квалифицированный | переменного тока | 4,5 пФ | 8 | Неинвертированный | 5,5 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 13 нс | Общий сброс | 24 мА 24 мА | 175 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 50 пФ | 75000000Гц | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14076BCPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mc14076bd-datasheets-0340.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,55 мм | 3,43 мм | 6,85 мм | Без свинца | 16 | 4.535924г | Нет СВХК | 16 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 4076 | 3В | 40 | 1 | ФФ/защелки | 5пФ | 4 | 8,8 мА | Трехуровневый, неинвертированный | 600 нс | 50пФ | 600 нс | Общий сброс | 8,8 мА 8,8 мА | 12 МГц | 4 | Положительное преимущество | 3 | 6 МГц | Положительное преимущество | 180 нс при 15 В, 50 пФ | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14013BFG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-mc14013bdtr2g-datasheets-8155.pdf | 14-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 14 | 14 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 4013 | 3В | 40 | ФФ/защелки | 2 | 5пФ | Дифференциальный | 50 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 350 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 8,8 мА 8,8 мА | 14 МГц | Положительное преимущество | 1 | 7 МГц | Положительное преимущество | 100 нс при 15 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14076BDR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mc14076bd-datasheets-0340.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 4076 | 3В | 30 | 1 | ФФ/защелки | истинный | Не квалифицированный | 5пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 50пФ | Общий сброс | 4 | 8,8 мА 8,8 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 МГц | Положительное преимущество | 6 МГц | 600 нс | 180 нс при 15 В, 50 пФ | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HC174SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hc174n-datasheets-4574.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 16 | Нет | Неинвертирующий | 2В~6В | 74HC174 | 1 | 7 | 5пФ | Неинвертированный | 16 нс | Тип D, триггер | 165 нс | Общий сброс | 6 | 5,2 мА 5,2 мА | 3 | 31 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 28 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176MG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,05 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 16 | 16 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 10Х176 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP51DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc10ep51d-datasheets-0343.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -3В~-5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП51 | 5,5 В | 3В | 40 | ФФ/защелки | -5,2 В | 1 | Не квалифицированный | 10Е | 1 | Дифференциальный | 320 пс | Тип D, триггер | 370 пс. | Перезагрузить | -50мА | 50 мА | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | 0,42 нс | Положительное преимущество | 3000000000Гц | 45 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H131M | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc10h131m-datasheets-3002.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | нет | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 10Х131 | ФФ/защелки | 2 | 10 ч. | Дифференциальный | 1 нс | И, триггер | 1,7 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 50 мА | 50 мА | 250 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 56 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP31DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10ep31dt-datasheets-0349.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -3В~-5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП31 | 5,5 В | 3В | 30 | ФФ/защелки | -5,2 В | 1 | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | 10Е | 1 | Дифференциальный | 340 пс | И, Д-тип, триггер | 410 пс | Установить (предустановка) и сброс | 3 ГГц | Положительное преимущество | 47 мА | Положительное преимущество | 3000000000Гц | 45 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP131MNR4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep131fag-datasheets-8029.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | Без свинца | 32 | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -3В~-5,5В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 10ЭП131 | 5,5 В | 3В | 40 | 1 | ФФ/защелки | -5,2 В | Не квалифицированный | 10Е | 4 | Дифференциальный | 460 пс | И | 600 пс | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | Положительное преимущество | 3000000000Гц | 120 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176MEL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,05 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 10Х176 | 1 | ФФ/защелки | 7 | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | -50мА | 50 мА | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP451MNR4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep451mng-datasheets-0436.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | Без свинца | 32 | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -3В~-5,5В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 10EP451 | 5,5 В | 3В | 40 | 1 | Регистры сдвига | -5,2 В | Не квалифицированный | 10Е | 6 | Дифференциальный | 650 пс | 550 пс | Общий сброс | -50мА | 50 мА | 6 | 3 ГГц | Положительное преимущество | ВЕРНО | Положительное преимущество | 3000000000Гц | 125 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14076BD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mc14076bd-datasheets-0340.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 4076 | 3В | 30 | 1 | ФФ/защелки | Не квалифицированный | 5пФ | 4 | Трехуровневый, неинвертированный | 600 нс | 50пФ | 600 нс | Общий сброс | 8,8 мА 8,8 мА | 4 | 12 МГц | Положительное преимущество | 3 | 6 МГц | Положительное преимущество | 180 нс при 15 В, 50 пФ | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HCT574SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | /files/onsemiconductor-mm74hct573mtcx-datasheets-1584.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | 20 | 2 | РАСШИРЕННАЯ ВЕРСИЯ 374 | совместимый | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 74HCT574 | 5,5 В | 4,5 В | 1 | истинный | Р-ПДСО-G20 | HCT | 10пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 8 | 7,2 мА 7,2 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 33 МГц | Положительное преимущество | 30 нс при 5 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL31DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10el31dg-datasheets-9947.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10ЭЛ31 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | -5,2 В | 1 | Не квалифицированный | 1 | Дифференциальный | 465 пс. | И, Д-тип, триггер | 590 пс. | Установить (предустановка) и сброс | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 2200 МГц | 32 мА | Положительное преимущество | 2000000000Гц | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176МЭЛГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,05 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 16 | 16 | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 10Х176 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Без свинца | 20 | 20 | да | ТР | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,9 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х176 | 40 | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 16-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,9 В~-5,46 В | ДВОЙНОЙ | 235 | 2,54 мм | 10Х176 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 7 | Не квалифицированный | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H176FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h176fn-datasheets-0302.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Без свинца | 20 | 20 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | -810мВ | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,9 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х176 | 40 | 1 | ФФ/защелки | 7 | 10 ч. | 6 | Неинвертированный | 1 нс | Тип D, триггер | 2,2 нс | Стандартный | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 250 МГц | Положительное преимущество | 6 | 250 МГц | Положительное преимущество | 250000000Гц | 112 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP451MNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep451mng-datasheets-0436.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | Без свинца | 32 | 4 недели | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -3В~-5,5В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 10EP451 | 5,5 В | 3В | 40 | 1 | Регистры сдвига | -5,2 В | Не квалифицированный | 10Е | 6 | Дифференциальный | 650 пс | 550 пс | Общий сброс | -50мА | 50 мА | 6 | 3 ГГц | Положительное преимущество | ВЕРНО | Положительное преимущество | 3000000000Гц | 125 мА |
