Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Максимальный выходной ток | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Задержка распространения | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RT7020GS | Ричтек США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/richtekusainc-rt7020gs-datasheets-4659.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2 | 10 В~20 В | 8-СОП | 70 нс 35 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 300 мА 600 мА | 600В | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГД2103МС8-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dgd2103ms813-datasheets-4193.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | 2 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 10 В~20 В | 70 нс 35 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 290 мА 600 мА | 600В | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| L6741 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-l6741-datasheets-4666.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,25 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 8 | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,15 Вт | 5 В~12 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | L6741 | 8 | 30 | 1,15 Вт | Драйверы МОП-транзисторов | 3А | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 41В | 1 В 2,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН3227СМХ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fan3227cmx-datasheets-4137.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | 12 В | Без свинца | 1,05 мА | 8 | 6 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 2 | 650 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 460мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | ФАН3227 | Драйверы МОП-транзисторов | 3А | ПОЛНОМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 3А | 30 нс | 22нс | 17 нс | 30 нс | 3А | ПЕРЕХОДНЫЙ | 0,017 мкс | 12 нс 9 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC27519AQDBVRQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 1,45 мм | 1,6 мм | Без свинца | 5 | 12 недель | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,2 мм | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | UCC27519 | НЕ УКАЗАН | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1 | 8нс 7нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A0455T-E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mcp14a0454tems-datasheets-4270.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 7 недель | 2 | EAR99 | 4,5 В~18 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 12нс 12нс | Независимый | Низкая сторона | БТИЗ | 4,5 А 4,5 А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЕНТИЛЯТОР3268TMX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fan3268tmx-datasheets-4685.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 8 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | 750 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 460мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | ФАН3268 | Драйверы МОП-транзисторов | 3А | 3А | 34 нс | 22нс | 17 нс | 34 нс | 2А | 0,034 мкс | 12 нс 9 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC427EOA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microchiptechnology-tc427eoa713-datasheets-4439.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 16 В | Без свинца | 8мА | 8 | 8 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 8мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ТС427 | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 75 нс | 30 нс | 30 нс | 75 нс | 1,5 А | 0,075 мкс | 30 нс 30 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЕНТИЛЯТОР3217TMX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fan3216tmx-datasheets-7219.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 1,2 мА | 8 | 6 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | 750 мкА | 460мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | ФАН3217 | Драйверы МОП-транзисторов | 3А | 3А | 34 нс | 12нс | 9 нс | 34 нс | 12 нс 9 нс | синхронный | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4129YML-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mic4129ymltr-datasheets-4457.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | Без свинца | 8 недель | 20 В | 4,5 В | 8 | 1 | 4,5 В~20 В | MIC4129 | 8-МЛФ® (2х2) | 6А | 75 нс | 30 нс | 30 нс | 75 нс | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS2100F-E2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | СОИК | Без свинца | 13 недель | 8 | 2 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 130 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | Независимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXGD3107N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-zxgd3107n8tc-datasheets-4479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 недель | 8 | 1 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 40 В Макс. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 7А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 175 нс 20 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2А 7А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4426YM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 7 недель | 8 | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4426 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX4426NTR | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | 4мА | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 недель | 540,001716мг | 35В | 4,5 В | 2 | 4,5 В~30 В | 8-СОИК | 1,5 А | 60 нс | 10 нс | 8 нс | 60 нс | 2 | 10 нс 8 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC44F20YMME-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 125°С | -40°С | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mic44f18ymltr-datasheets-3843.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | Без свинца | 23 недели | 13,2 В | 4,5 В | 8 | 1 | 4,5 В~13,2 В | MIC44F20 | 8-МСОП-ЭП | 6А | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 1 | 10 нс 10 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 1,607 В 1,615 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4127YME-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | BCDMOS | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4127ymetr-datasheets-3428.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | 2 | да | Нет | 2 | 4,5 В~20 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MIC4127 | истинный | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 60 нс | 30 нс | 25 нс | 60 нс | 1,5 А | 20 нс 18 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4427ACOA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-tc4427acoa-datasheets-8174.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,91 мм | Без свинца | 2мА | 8 | 10 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 1 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4427A | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 35 нс | 27нс | 27 нс | 35 нс | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 25 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A0304T-E/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | 1,75 мм | /files/microchiptechnology-mcp14a0305tesn-datasheets-3480.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 11 недель | 2 | совместимый | 2 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,1 мА | Р-ПДСО-Г8 | ТС 16949 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 3А | 0,031 мкс | 0,031 мкс | 12нс 12нс | НЕТ | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ | 3А 3А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A0451T-E/RW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Инвертирование | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mcp14a0452tems-datasheets-3993.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 мм | 2 мм | 8 | 6 недель | 1 | да | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | 0,58 мА | С-ПДСО-Н8 | ТРИГГЕР ШМИТТА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4,5 А | 9,5 нс 9 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4,5 А 4,5 А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC44F18YML-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mic44f18ymltr-datasheets-3843.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | Без свинца | 8 недель | 13,2 В | 4,5 В | 8 | 1 | 4,5 В~13,2 В | MIC44F18 | 8-МЛФ® (2х2) | 6А | 15 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 10 нс 10 нс | Одинокий | Низкая сторона | П-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 1,607 В 1,615 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP5106AMNTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ncp5106bdr2g-datasheets-7095.pdf | 10-ВДФН Открытая площадка | 20 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 10 В~20 В | 85 нс 35 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 250 мА 500 мА | 600В | 0,8 В 2,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4128YML-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4127ymetr-datasheets-3428.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | Без свинца | 10 недель | 20 В | 4,5 В | 8 | 2 | 4,5 В~20 В | MIC4128 | 8-МЛФ® (2х2) | 1,5 А | 30 нс | 25 нс | 60 нс | 20 нс 18 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A0454T-E/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mcp14a0454tems-datasheets-4270.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 11 недель | 2 | EAR99 | 4,5 В~18 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 12нс 12нс | Независимый | Низкая сторона | БТИЗ | 4,5 А 4,5 А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC27519DBVR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~140°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 1,45 мм | 1,6 мм | Без свинца | 5 | 6 недель | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 1,2 мм | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | UCC27519 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4А | 9нс | 7 нс | 25 нс | 1 | 4А | 8нс 7нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427ZM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 недель | 18В | 4,5 В | 8 | 2 | 1,5 мА | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-СОИК | 1,5 А | 1,5 А | 40 нс | 20нс | 29 нс | 60 нс | 50 нс | 2 | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4428YMM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | 7 недель | 18В | 4,5 В | 8 | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4428 | 8-МСОП | 1,5 А | 50 нс | 30 нс | 20 нс | 50 нс | 2 | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4427YM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 7 недель | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC1428COA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-tc1427coa713-datasheets-7663.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 9мА | 8 | 9 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 13 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~16 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC1428 | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/16 В | 1,2А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 125 пс | 35 нс | 25 нс | 75 нс | 1,2А | 35 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A0304T-E/MNY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 0,8 мм | /files/microchiptechnology-mcp14a0305tesn-datasheets-3480.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 8 | 6 недель | 2 | совместимый | 2 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | Р-ПДСО-Н8 | ТС 16949 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 12нс 12нс | НЕТ | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ | 3А 3А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| L6747C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-l6747ctr-datasheets-3700.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | Без свинца | 8 | 8 | 2 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 5 В~12 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 12 В | 0,5 мм | L6747 | НЕ УКАЗАН | 2,25 Вт | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | 3,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 45 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 3,5А - | 41В | 0,8 В 2 В |
