Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7133SA90J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa90j8-datasheets-1877.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 280 мА | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 90 нс | 22б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3389С5BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s5bci8-datasheets-1863.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 415 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 32б | 64КХ18 | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 709369Л12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709369l12pf8-datasheets-1832.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 288 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 355 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 28б | 16КХ18 | 0,003А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| 70В9369Л9ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9369l9pf8-datasheets-1828.pdf | ЛКФП | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 100 | Параллельно | 288 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 66 МГц | 28б | 16КХ18 | 0,005А | 9 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||
| 7130SA100C | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa100c-datasheets-1794.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 155 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025L30J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l30j-datasheets-1786.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 0,3 мА | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 13б | 8КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| 7005L20JGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l20jgi8-datasheets-1777.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Без свинца | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 68 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 26б | 8КХ8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709369L12PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 33,3 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709369l12pf-datasheets-1762.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 288 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 355 мА | ОЗУ, СРАМ | 25 нс | 28б | 18б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9369Л9ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | -40°С | КМОП | 40 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9369l9pf-datasheets-1737.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 288 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 225 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 36КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 83 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 9 нс | 28б | 16КХ18 | 0,005А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||
| IDT71V3558SA100BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3558sa100bg-datasheets-1738.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В424С10ИГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v424s10yg8-datasheets-1685.pdf | 23,4 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 36 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 36 | Параллельно | 4 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 36 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 19б | 0,02 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| 70Т3519С133БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 70°С | 0°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3519s133bf-datasheets-1683.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 370 мА | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 4,2 нс | 36б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709359L7PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 45,45 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709359l7pf-datasheets-1665.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 26б | 8КХ18 | 0,003А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2558С200ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2558s200pf-datasheets-1664.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,4 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В9179Л9ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 40 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9179l9pf-datasheets-1656.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 288 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 36КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 9 нс | 15б | 0,003А | 9б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||
| IDT71256SA15YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa15yi8-datasheets-1657.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | нет | 1 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 15 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7027С25ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7027s25pfi8-datasheets-1639.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 345 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 0,03 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| IDT71V416VS15YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vs15yg8-datasheets-1588.pdf | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | 170 мА | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 15 нс | 18б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67703С85БКИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67703s85bqi8-datasheets-1559.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 18б | 256КХ36 | 0,07А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67703С80БКИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67703s80bqi8-datasheets-1555.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 20 | СРАМ | 0,23 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | 256КХ36 | 0,07А | 8 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V2546S133PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2546s133pf8-datasheets-1546.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | СРАМ | 2,53,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА15ПХГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa15phg-datasheets-1529.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | да | 1 мм | 1 | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| 7140LA25JI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la25ji-datasheets-1514.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 220 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 20б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67603С133БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s133bg-datasheets-1493.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 18б | 256КХ36 | 0,05А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| IDT71V256SA12YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v256sa12yi-datasheets-1482.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25Л20Дж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25l20j-datasheets-1467.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 175 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65703S80PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65703s80pfi8-datasheets-1459.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,06 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,06А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||
| 70261С55ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70261s55pf-datasheets-1446.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 270 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 28б | 16КХ16 | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| IDT71V2548S133BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2548s133bg-datasheets-1442.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24С25ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24s25pf-datasheets-1423.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 190 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В |
