Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Память(55331)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин. Включение выхода
70V3399S166BC 70В3399С166ВС Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s166bc-datasheets-8337.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Содержит свинец 256 16 недель 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 2,3 МБ нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 500 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 34б 0,03 А 18б синхронный ОБЩИЙ
70V06S20J8 70В06С20Дж8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s20j8-datasheets-8335.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 3,3 В Содержит свинец 68 7 недель 3,6 В 3В 68 Параллельно 128 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 1 200 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 3,3 В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 14б 16КХ8 0,005А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
70V658S10DR 70В658С10ДР Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 4,1 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v658s10dr-datasheets-8303.pdf ПКФП 28 мм 28 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 2,3 МБ нет 3,5 мм 2 Нет 1 500 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,5 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 256 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 32б 64КХ36 0,015А 36б Асинхронный ОБЩИЙ
70T3319S166BF 70Т3319С166БФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3319s166bf-datasheets-8293.pdf 15 мм 15 мм 2,5 В Содержит свинец 208 7 недель 2,6 В 2,4 В 208 Параллельно 4 Мб нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 450 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 36б 0,015А 18б синхронный ОБЩИЙ
7005S35G 7005С35Г Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s35g-datasheets-8255.pdf 29,46 мм 29,46 мм 5В Содержит свинец 68 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 64 КБ нет 3,68 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ПЕРПЕНДИКУЛЯР ПИН/ПЭГ 240 5В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 26б 8КХ8 0,015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
71V25761S183BG8 71В25761С183БГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 183 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v25761s183bg8-datasheets-8254.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб нет 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 340 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,3 нс 17б 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
IDT71V3556S166BQG8 IDT71V3556S166BQG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц СИНХРОННЫЙ Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s166bqg8-datasheets-8248.pdf 165 165 Параллельно е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 3,3 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 3,3 В 0,35 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,04 А 3,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7007S20J8 7007S20J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007s20j8-datasheets-8246.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 5В Содержит свинец 68 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 256 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 315 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 32 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 15б 0,015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
71321LA20PFG 71321LA20PFG Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321la20pfg-datasheets-8223.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Без свинца 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 16 КБ 1,4 мм 2 Нет 200 мА 2 КБ СДР 20 нс 22б 8б Асинхронный
70V658S10BCG 70В658С10БЦГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,5 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v658s10bcg-datasheets-8205.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Без свинца 256 7 недель 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 2,3 МБ да 1,4 мм 2 Нет 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 0,5 мА 256 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 16б 64КХ36 0,015А ОБЩИЙ
71V65603S150BQI8 71В65603С150БКИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 150 МГц Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65603s150bqi8-datasheets-8200.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Содержит свинец 165 12 недель 3,465 В 3,135 В 165 Параллельно 9 Мб нет 1,2 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 345 мА е0 Оловянный свинец НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 165 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,8 нс 18б 256КХ36 0,06А 36б синхронный ОБЩИЙ
71V3558SA133BQG 71V3558SA133BQG Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3558sa133bqg-datasheets-8198.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Без свинца 165 11 недель 3,465 В 3,135 В 165 Параллельно 4,5 Мб да 1,2 мм 1 Нет 1 300 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 165 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 133 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 4,2 нс 18б 0,04 А 18б синхронный ОБЩИЙ
71256SA20PZG 71256SA20PZG Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256sa20pzg-datasheets-8182.pdf ТСОП 8 мм 11,8 мм 5В Без свинца 28 7 недель 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ да 1 мм 1 EAR99 Нет 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 5В 0,55 мм 28 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 5В 32 КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 15б 32КХ8 ОБЩИЙ
IDT70824L20G ИДТ70824L20G Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 70°С 0°С КМОП АСИНХРОННЫЙ 5,207 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt70824l20g-datasheets-8179.pdf 27,94 мм 27,94 мм 84 84 Параллельно EAR99 не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) НЕТ ПЕРПЕНДИКУЛЯР ПИН/ПЭГ НЕ УКАЗАН 5В 2,54 мм 84 КОММЕРЧЕСКИЙ 5,5 В 4,5 В НЕ УКАЗАН Другие микросхемы памяти 5В 0,33 мА Не квалифицированный БАРАН 4КХ16 16 65536 бит 5А 20 нс
71342LA35PF 71342LA35PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la35pf-datasheets-8170.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 32 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 200 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 5В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 24б 4KX8 0,0015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
70V07L25PF 70В07Л25ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v07l25pf-datasheets-8164.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 80 7 недель 3,6 В 3В 80 Параллельно 256 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ 1 140 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 80 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ Не квалифицированный 32 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 30б 0,003А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
70V3389S5BF 70В3389С5БФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s5bf-datasheets-8154.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 1,1 Мб нет 1,4 мм 2 КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ САМОСТОЯННОЙ ЗАПИСИ Нет 1 360 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 128 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 32б 64КХ18 0,015А 18б синхронный ОБЩИЙ
IDT7164L25YI IDT7164L25YI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 3,556 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164l25yi-datasheets-8145.pdf 17,9324 мм 7,5184 мм 28 28 Параллельно EAR99 не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 5В 1,27 мм 28 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 5,5 В 4,5 В 30 СРАМ 5В 0,15 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 8КХ8 8 65536 бит 0,00006А 25 нс ОБЩИЙ 2В
7142SA55CB 7142SA55CB Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 125°С -55°С Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142sa55cb-datasheets-8141.pdf ОКУНАТЬ 61,72 мм 15,24 мм 5В Содержит свинец 5,5 В 4,5 В 48 Параллельно 16 КБ 3,3 мм 2 Нет 190 мА ОЗУ, СРАМ 55 нс 22б 8б Асинхронный
IDT71V632S8PFG8 ИДТ71В632С8ПФГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Поверхностный монтаж Лента и катушка 70°С 0°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v632s8pfg8-datasheets-8142.pdf TQFP 3,3 В 3,63 В 3,135 В 100 Параллельно 2 Мб 1 ОЗУ, СРАМ 8 нс 16б 32б синхронный
IDT71V25761YSA166BQ IDT71V25761YSA166BQ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v25761ysa166bq-datasheets-8138.pdf 15 мм 13 мм 165 165 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 1 мм 165 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 2,53,3 В 0,33 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,035А 3,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
71V416L10PHGI8 71В416Л10ПХГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416l10phgi8-datasheets-8101.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 3,3 В Без свинца 44 12 недель 3,6 В 3В 44 Параллельно 4 Мб да 1 мм 1 Нет е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,8 мм 44 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 512 КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 18б 16б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
7025L25PF8 7025Л25ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l25pf8-datasheets-8075.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 128 КБ 1,4 мм 2 Нет 220 мА 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 25 нс 26б 16б Асинхронный
7007L35PF 7007Л35ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007l35pf-datasheets-8067.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 80 7 недель 5,5 В 4,5 В 80 Параллельно 256 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 255 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 5В 0,65 мм 80 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В 32 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 30б 0,005А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
71V65603S150BQ8 71В65603С150БК8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 150 МГц Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65603s150bq8-datasheets-8051.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Содержит свинец 165 12 недель 3,465 В 3,135 В 165 Параллельно 9 Мб нет 1,2 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 325 мА е0 Оловянный свинец НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 165 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,8 нс 18б 256КХ36 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ
70V3389S5BC 70В3389С5ВС Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s5bc-datasheets-8045.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Содержит свинец 256 7 недель 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 1,1 Мб нет 1,4 мм 2 КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ САМОСТОЯННОЙ ЗАПИСИ Нет 1 360 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 128 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 32б 64КХ18 0,015А 18б синхронный ОБЩИЙ
IDT71V3577S80PF8 ИДТ71В3577С80ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577s80pf8-datasheets-8039.pdf TQFP 20 мм 3,3 В 100 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб 1 ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 1 200 мА е0 КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 8 нс 17б 36 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
IDT71V016SA15Y8 IDT71V016SA15Y8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,683 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa15y8-datasheets-8041.pdf 28 575 мм 10,16 мм 44 44 Параллельно 1 3A991.B.2.B не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 3,3 В 1,27 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 30 СРАМ 3,3 В 0,13 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 64КХ16 16 1048576 бит 0,01 А 15 нс ОБЩИЙ 3,15 В ДА
IDT71V65602S133PF8 IDT71V65602S133PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s133pf8-datasheets-8034.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,3 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ36 36 9437184 бит 0,04 А 4,2 нс ОБЩИЙ 3В
IDT71V25761YSA166BGI8 IDT71V25761YSA166BGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 166 МГц СИНХРОННЫЙ 2,36 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v25761ysa166bgi8-datasheets-8036.pdf БГА 22 мм 14 мм 119 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 3,3 В 1,27 мм 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В СРАМ 2,53,3 В 0,33 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,035А 3,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)