Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециальные логические ИС(3112)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Количество битов | Дифференциальный выход | Тип интерфейса микросхемы | Количество бит-приемника | Выходной ток | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Минимальное двойное напряжение питания | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Количество передатчиков | Отрицательное напряжение питания-ном. | Число бит драйвера | Количество входов | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Количество трансиверов | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Тип логики | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Получить задержку-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY100EL16VFZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е116 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VEZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX161284MTD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvx161284meax-datasheets-1064.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 3,6 В | Без свинца | 421 мг | Нет СВХК | 3,6 В | 3В | 48 | 1 | да | 70 мА | 3В~3,6В | 74LVX161284 | 8 | Трансивер | 3В | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е116 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VBKC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10el16vckg-datasheets-3413.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VFZC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VDZC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 16-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY58602UMG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY58 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-sy58602umgtr-datasheets-0909.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 3,6 В | 2,375 В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | 1 | 65 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,6В | 0,5 мм | 58602 | 40 | Не квалифицирован | 10,7 Гбит/с | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 1 | Получатель | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,22 нс | 1 | Дифференциальный приемник | 0,22 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VAKC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy10el16vckg-datasheets-3413.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16TDTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 2,48 В | 31 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 10ЭП16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -5,2 В | Не квалифицирован | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSTU32866ZKER | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ТТЛ | 500 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74sstu32866gker-datasheets-0957.pdf | 96-ЛФБГА | 5,5 мм | 1,8 В | Содержит свинец | 96 | 1,9 В | 1,7 В | 96 | нет | EAR99 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,7 В~1,9 В | 0,8 мм | 74ССТУ32866 | 96 | 1 | Другие логические ИС | 25, 14 | 3 нс | Буфер | 2,5 нс | -8мА | 8мА | 25 | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 с контролем четности | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ100LVEP17DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nb100lvep17mng-datasheets-2274.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 3,8 В | Без свинца | 20 | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С -2,375 В ДО -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | неизвестный | 4 | 55 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,375 В~3,8 В | 0,65 мм | 100LVEP17 | 20 | 40 | Линейный водитель или приемники | Не квалифицирован | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,325 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VTDR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vtmnr4g-datasheets-4127.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5,5 В | Без свинца | 8 | 8 | 1 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 48 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицирован | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,35 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP116FAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep116mng-datasheets-3511.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | 5,5 В | Без свинца | 32 | 4 недели | 32 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 8542.39.00.01 | 6 | 95 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,8 мм | 10EP116 | 32 | 40 | Линейный водитель или приемники | -5,2 В | 6 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VBKC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/microchiptechnology-sy10el16vckg-datasheets-3413.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VCZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VAZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VBZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VEZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VTTDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16vtmnr4g-datasheets-4127.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 4 недели | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 1 | 38мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | 300 пс | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,35 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,35 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 100LVEL16MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-100lvel16m-datasheets-1005.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~3,8В | 100УРОВЕНЬ16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ100LVEP17MNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-nb100lvep17mng-datasheets-2274.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 3,8 В | Содержит свинец | 24 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С -2,375 В ДО -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 4 | 55 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 2,375 В~3,8 В | 0,5 мм | 100LVEP17 | 24 | 30 | Линейный водитель или приемники | Не квалифицирован | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,325 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,325 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VCKC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10el16vckg-datasheets-3413.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX161284MEA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvx161284meax-datasheets-1064.pdf | 48-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,6 В | Без свинца | Нет СВХК | 3,6 В | 3В | 48 | 1 | да | 70 мА | 3В~3,6В | 74LVX161284 | 8 | Трансивер | 3В | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VCZC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14007UBCPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000Б | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc14007ubcp-datasheets-0866.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 14 | 99 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 18В | 3В | 14 | да | Нет | 3 | е3 | Олово (Вс) | Инвертирование | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В~18В | 2,54 мм | 4007 | 14 | 40 | 1 | Ворота | 10 мА | 125 нс | Инвертор | 125 нс | -4,2 мА | 4,2 мА | 1 мкА | 3 | Дополнительная пара плюс инвертор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VAKC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10el16vckg-datasheets-3413.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VBKI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 1 | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СН74ССТУ32866АЗКЕР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74sstu32866azker-datasheets-1017.pdf | 96-ЛФБГА | 13,5 мм | 5,5 мм | Содержит свинец | 96 | 1,9 В | 1,7 В | 96 | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,7 В~1,9 В | 0,8 мм | 74ССТУ32866 | 96 | Другие логические ИС | 1,8 В | 25, 14 | Буфер | 2,15 нс | -8мА | 8мА | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 25 | 500 МГц | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 с контролем четности |
