Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые изоляторы(3792)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Выходной ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Время подъема | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Время подъема/спада (типичное) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Тип канала | Изолированное питание | Входы — сторона 1/сторона 2 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8711CD-B-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1,7 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 8 | 6 недель | 8 | ДА | 140мВт | 3В~30В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 1 | Другие оригинальные микросхемы | 5В | 1 Мбит/с | 30 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8422AB-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 95,396145мг | Неизвестный | 8 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 8 | 5,5 В | 2 | 1 Мбит/с | 35 нс | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 35нс, 35нс | 20 кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8712AD-B-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1,7 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 8 | 6 недель | 8 | ДА | 140мВт | 3В~30В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 1 | Другие оригинальные микросхемы | 5В | 15 Мбит/с | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8410AD-A-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2,65 мм | 16 | 50,008559мг | Неизвестный | 16 | да | 1 | 1,8 мА | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 16 | 1 | 150 мВт | 1 Мбит/с | 4,5 мА | 35 нс | 4нс | 35 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 35нс, 35нс | 20 кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8711AD-B-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1,7 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 8 | 6 недель | 8 | ДА | 140мВт | 3В~30В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 1 | Другие оригинальные микросхемы | 5В | 15 Мбит/с | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8405AA-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8405aaais1r-datasheets-2146.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 6 недель | 188,155785мг | 16 | 1 | 3,2 мА | ДА | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 1,27 мм | 16 | 4 | 275 Вт | 1,7 Мбит/с | 40 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 25 кВ/мкс (тип.) | Двунаправленный, Однонаправленный | Нет | 3/3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8423AB-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 95,396145мг | 8 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 8 | 5,5 В | 2 | 1 Мбит/с | 35 нс | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 35нс, 35нс | 20 кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8711CD-B-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 10 мм | 12,5 мм | 940 мкм | 8 | 6 недель | Неизвестный | 8 | 1 | 1,7 мА | ДА | 3В~30В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 2,54 мм | 30 В | 3В | 1 | 140мВт | 1 Мбит/с | 15 мА | 15 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8712BD-B-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1,7 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 8 | 6 недель | 8 | ДА | 140мВт | 3В~30В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 1 | Другие оригинальные микросхемы | 5В | 15 Мбит/с | 30 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 35кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8423AD-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2,65 мм | 16 | 50,008559мг | 16 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 16 | 5,5 В | 2 | 1 Мбит/с | 8,1 мА | 35 нс | 4нс | 35 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 35нс, 35нс | 20 кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1401ARW-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/analogdevicesinc-evaladumqsebz-datasheets-8034.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 16 | нет | EAR99 | Свинец, Олово | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В | 1,27 мм | АДУМ1401 | 16 | 5,5 В | 2,7 В | 4 | 30 | Другие оригинальные микросхемы | 3/5 В | 1 Мбит/с | 22 мА | 100 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 100 нс, 100 нс | 25кВ/мкс | 40 нс | Однонаправленный | Нет | 3/1 | |||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1301BRW-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 8,2 мА | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum1300brwzrl-datasheets-3562.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5В | Содержит свинец | 16 | 16 | нет | EAR99 | 1 | 8,2 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В | 1,27 мм | АДУМ1301 | 16 | 3 | 30 | 10 Мбит/с | 30 мА | 50 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 50 нс, 50 нс | 25кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 2/1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8400AA-A-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8405aaais1r-datasheets-2146.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 95,396145мг | 8 | 1 | 4,2 мА | ДА | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 8 | 2 | 220мВт | 1,7 Мбит/с | 40 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 25 кВ/мкс (тип.) | Двунаправленный | Нет | 2/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8423BB-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 95,396145мг | 8 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 8 | 5,5 В | 2 | 150 Мбит/с | 9,5 нс | 9,5 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8711BD-B-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 10 мм | 12,5 мм | 940 мкм | 8 | 6 недель | Неизвестный | 8 | 1 | 1,7 мА | ДА | 3В~30В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 2,54 мм | 30 В | 3В | 1 | 140мВт | 15 Мбит/с | 2,8 В | 30 мА | 30 нс | 15 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 35кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8712AD-B-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 10 мм | 12,5 мм | 940 мкм | 8 | Неизвестный | 8 | 1 | 1,7 мА | ДА | 3В~30В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 2,54 мм | 30 В | 3В | 1 | 140мВт | 15 Мбит/с | 15 мА | 15 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1301ARW-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum1300brwzrl-datasheets-3562.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 16 | нет | EAR99 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В | 1,27 мм | АДУМ1301 | 16 | 3 | 30 | 1 Мбит/с | 30 мА | 100 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 100 нс, 100 нс | 25кВ/мкс | 40 нс | Однонаправленный | Нет | 2/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1300ARW-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum1300brwzrl-datasheets-3562.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 16 | нет | EAR99 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В | 1,27 мм | АДУМ1300 | 16 | 3 | 30 | 1 Мбит/с | 30 мА | 100 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 100 нс, 100 нс | 25кВ/мкс | 40 нс | Однонаправленный | Нет | 3/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8422BD-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2,65 мм | 16 | 50,008559мг | 16 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 16 | 5,5 В | 2 | 150 Мбит/с | 5,6 мА | 11 нс | 4нс | 9,5 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8422AB-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | 125°С | -40°С | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,5 В | 2,7 В | 2,7 В~5,5 В | 2 | 8-СОИК | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 35нс, 35нс | 20 кВ/мкс | 25нс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8421BD-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 2,3 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2,65 мм | 16 | 50,008559мг | Неизвестный | 16 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 16 | 2 | 150 Мбит/с | 5,6 мА | 4нс | 9,5 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8420BD-A-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 3мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2,65 мм | 16 | 50,008559мг | Неизвестный | 16 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 16 | 2 | 150 Мбит/с | 8,7 мА | 4нс | 9,5 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8712CD-B-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1,7 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 8 | 6 недель | 8 | ДА | 140мВт | 3В~30В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 1 | Другие оригинальные микросхемы | 5В | 1 Мбит/с | 30 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8421AD-B-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 2,3 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2,65 мм | 16 | 50,008559мг | Неизвестный | 16 | да | 1 | ДА | 150 мВт | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 16 | 2 | 1 Мбит/с | 5,6 мА | 35 нс | 4нс | 35 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 35нс, 35нс | 20 кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8660BA-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8660baais1-datasheets-7558.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 1,25 мм | 16 | 50,008559мг | 16 | да | 8542.39.00.01 | 1 | 18,3 мА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 16 | 5,5 В | 2,5 В | 6 | 40 | 415 МВт | Другие оригинальные микросхемы | 2,5/5 В | 150 Мбит/с | 12,3 мА | 4нс | 13 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 13нс, 13нс | 35кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 6/0 | |||||||||||||||||||||||||
| SI8421BD-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~5,5 В | 2 | 150 Мбит/с | 11 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8711BD-B-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1,7 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 8 | 6 недель | 8 | ДА | 140мВт | 3В~30В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 1 | Другие оригинальные микросхемы | 5В | 15 Мбит/с | 30 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 35кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8712CD-B-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 10 мм | 12,5 мм | Без свинца | 940 мкм | 8 | 6 недель | Неизвестный | 8 | 1 | 1,7 мА | ДА | 3В~30В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 2,54 мм | 30 В | 3В | 1 | 140мВт | 1 Мбит/с | 15 мА | 15 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8711AD-B-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si87xxdip8kit-datasheets-3654.pdf | 8-ВЕЛГА | 10 мм | 12,5 мм | 940 мкм | 8 | 6 недель | Неизвестный | 8 | 1 | 1,7 мА | ДА | 3В~30В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 2,54 мм | 30 В | 3В | 1 | 140мВт | 15 Мбит/с | 15 мА | 30 нс | 15 нс | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 15 нс 5 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 20 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8422BD-B-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8410adaisr-datasheets-2095.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~5,5 В | 2 | 150 Мбит/с | 11 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 |
