Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые изоляторы(3792)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Дифференциальный выход | Входные характеристики | Количество бит-приемника | Выходное напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Время подъема | Рабочее напряжение | Логическая функция | Задержка распространения | Количество передатчиков | Напряжение – изоляция | Защита от ЭСР | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Время подъема/спада (типичное) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Скорость к синфазным переходным процессам (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Напряжение питания1-ном. | Тип канала | Изолированное питание | Число бит драйвера | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Выходной низкий ток-Макс. | Входы — сторона 1/сторона 2 | Симплекс/Дуплекс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8405AA-B-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 6,2 мА | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si84xxisokit-datasheets-8229.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 6 недель | 188,155785мг | 16 | 1 | Двунаправленный, Однонаправленный | ДА | 275 Вт | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 1,27 мм | 16 | 4 | 1,7 Мбит/с | 40 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 25 кВ/мкс (тип.) | Двунаправленный, Однонаправленный | Нет | 3/3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88621ED-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 6 недель | ДА | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4,3 В | 2 | Другие оригинальные микросхемы | 4,3 В | 100 Мбит/с | 17,5 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 12,6 нс, 17,5 нс (тип.) | 40 кВ/мкс | 4,8 нс, тип. | 4,8 нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14930FAWE+ | Максим Интегрированный | $6,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 1 (без блокировки) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-max1493xsevkit-datasheets-0363.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 6 недель | 1 | ДА | 1,71 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 5,5 В | 1,71 В | 4 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2750 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 7,5 нс, 7,4 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 1нс | Однонаправленный | Нет | 4/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88322EC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 0/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO3088DWRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РС422, РС485 | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | Без свинца | 12 недель | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 2,35 мм | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 3,15 В~5,5 В 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | ИСО3088 | 16 | 3 | 20 Мбит/с | ДА | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА | 1 | 560В | Получатель | 1 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 25 кВ/мкс | 5В | Однонаправленный | Нет | 1 | ОВОС-422; ТИА-422; ОВОС-485; ТИА-485 | 45 нс | 0,008А | 2/1 | Полудуплекс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8605AB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 7,2 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8602abbis-datasheets-3592.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | Двунаправленный, Однонаправленный | 275 МВт | 3В~5,5В | 4 | 10 Мбит/с | 44 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 35кВ/мкс | Двунаправленный, Однонаправленный | Нет | 3/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM221N0WBRWZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-evaladum226n0ebz-datasheets-0168.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | АДУМ221 | 16 | 5В | 1,7 В | 2 | 150 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 13нс, 13нс | 75 кВ/мкс | 3нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1400WSRWZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | $6,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 11 мА | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-evaladumqsebz-datasheets-8034.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 5В | Содержит свинец | 16 | 20 недель | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Олово | 4 | 11 мА | е3 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | АДУМ1400 | 16 | 4 | 1 Мбит/с | 100 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 100 нс, 100 нс | 25 кВ/мкс | 40 нс | Однонаправленный | Нет | 4/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14934BAWE+T | Максим Интегрированный | $6,59 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИКМОС | Соответствует RoHS | 16 | 6 недель | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Другие оригинальные микросхемы | 1,8/5 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI83401AAA-IFR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СПИ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si83414aaaifr-datasheets-7160.pdf | 32-ВФДФН Открытая площадка | 6 недель | 2,25 В~5,5 В | 4 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 3 мкс 3 мкс | 2,3 мкс, 2,9 мкс (тип.) | 100 кВ/мкс | 10 мкс мин. | Однонаправленный | Нет | 4/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8462BB-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8461baais1r-datasheets-6334.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 188,155785мг | 16 | 8542.39.00.01 | 1 | 6,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 1,27 мм | 16 | 5,5 В | 2,7 В | 6 | 415 МВт | 150 Мбит/с | 9,5 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 9,5 нс, 9,5 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 2,5 нс | Однонаправленный | Нет | 4/2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88422BC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 0/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI83401ABA-IFR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СПИ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | /files/siliconlabs-si83414aaaifr-datasheets-7160.pdf | 32-ВФДФН Открытая площадка | 6 недель | 2,25 В~5,5 В | 4 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 3 мкс 3 мкс | 2,3 мкс, 2,9 мкс (тип.) | 100 кВ/мкс | 10 мкс мин. | Однонаправленный | Нет | 4/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO7760FQDBQQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4905 мм | 16 | 6 недель | да | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ VCC2 2,25–5,5 В; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В И 5 В. | 6 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,25 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | ИСО7760 | 6 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 нс 1,4 нс | 16нс, 16нс | 85кВ/мкс | 4,9 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0900-000E | Бродком Лимитед | $8,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ГМР (Гигантский магниторезистивный) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,999 мм | 10 мА | 3988 мм | Без свинца | 1,27 мм | 8 | 17 недель | МЭК, УЛ, ВДЕ | Нет СВХК | 8 | EAR99 | 1 | 12 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | 150 мВт | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1 | 40 | 110 МБд | 10 мА | 7В | 10 мкА | 15 нс | 4нс | 15 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | Да | 7,5 В | 1нс 1нс | 15нс, 15нс | 15 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8405AB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si84xxisokit-datasheets-8229.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 188,155785мг | 3В~5,5В | 4 | 275 Вт | 22 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 25 кВ/мкс (тип.) | 15 нс | Двунаправленный, Однонаправленный | Нет | 3/3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14932CASE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-max1493xsevkit-datasheets-0363.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | да | 1,71 В~5,5 В | МАКС14932 | 4 | 150 Мбит/с | 2750 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 7,5 нс, 7,4 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 1нс | Однонаправленный | Нет | 2/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI83402AAA-IFR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СПИ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si83414aaaifr-datasheets-7160.pdf | 32-ВФДФН Открытая площадка | 6 недель | 2,25 В~5,5 В | 4 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 3 мкс 3 мкс | 2,3 мкс, 2,9 мкс (тип.) | 100 кВ/мкс | 10 мкс мин. | Однонаправленный | Нет | 4/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88322BC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 0/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8462BA-A-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8461baais1r-datasheets-6334.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 188,155785мг | 2,7 В~5,5 В | 6 | 150 Мбит/с | 9,5 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 9,5 нс, 9,5 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 2,5 нс | Однонаправленный | Нет | 4/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88321BC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88320EC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI83411ABA-IFR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СПИ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si83414aaaifr-datasheets-7160.pdf | 32-ВФДФН Открытая площадка | 6 недель | 2,25 В~5,5 В | 4 | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 3 мкс 3 мкс | 2,1 мкс, 2,2 мкс (тип.) | 100 кВ/мкс | 10 мкс мин. | Однонаправленный | Нет | 4/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO7760QDBQQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4905 мм | 16 | 6 недель | да | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ VCC2 2,25–5,5 В; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В И 5 В. | 6 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,25 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | ИСО7760 | 6 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 нс 1,4 нс | 16нс, 16нс | 85кВ/мкс | 4,9 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO7810DWWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,551, 14,00 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 14 мм | Без свинца | 16 | 12 недель | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 2,45 мм | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ VCC2 ОТ 2,25–5,5 В; ТАКЖЕ РАБОТАЕТЕ С ПИТАНИЕМ 3,3 В И 5 В. | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,25 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | ИСО7810 | 1 | 100 Мбит/с | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 2,4 нс 2,4 нс | 16нс, 16нс | 100 кВ/мкс | 4,6 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8606AC-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8602abbis-datasheets-3592.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 143,703733мг | Двунаправленный, Однонаправленный | 275 Вт | 3В~5,5В | 260 | 4 | 30 | 1,7 Мбит/с | 26 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 35кВ/мкс | 32 нс | Двунаправленный, Однонаправленный | Нет | 4/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14935EAWE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-max1493xsevkit-datasheets-0362.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 6 недель | ДА | 1,71 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | МАКС14935 | 4 | Другие оригинальные микросхемы | 1,8/5 В | Р-ПДСО-G16 | 25 Мбит/с | 20,9 нс | 28,8 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 27,5 нс, 28,8 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 2,6 нс | Однонаправленный | Нет | 3/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1251WARZ-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | I2C | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-evaladum1250ebz-datasheets-0711.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | Содержит свинец | 8 | 20 недель | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Олово | 2 | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | АДУМ1251 | 8 | 2 | АЭК-Q100 | 1 Мбит/с | 150 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 26 нс 52 нс | 25 кВ/мкс | 145 нс 85 нс | 85 нс | Двунаправленный, Однонаправленный | Нет | 2/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88320BC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI88321EC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si886xxisokit-datasheets-6256.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 3В~5,5В | 260 | 2 | 100 Мбит/с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 18 нс, 23 нс | 40 кВ/мкс | 7нс | Однонаправленный | Нет | 1/1 |
