Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Коэффициент гистерезиса-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI823H4AB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398AD4-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H2BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW3120#300 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 295мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82396CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233AD-D-IS3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82395CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275ABD-IM1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275ABD-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 14-ВФЛГА | 5 мм | 14 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 14 | 1 | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 4А | 75 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 4,6 В~30 В | 8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82393CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8318R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | 3 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8318r2v-datasheets-1849.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 758мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 30 В | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BD-D-IS3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM4120CRIZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum41201ariz-datasheets-9125.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 6 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | нет | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ4120 | 6 | 2,5 В | 1 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,3А | 0,079 мкс | 18нс 18нс | 69нс, 79нс | 150 кВ/мкс | 16,5 нс | 11,6 В~35 В | 2,3А | 15 В | 4,5 В | ДА | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82396BD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82394BD4-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82397CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,1 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8318R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8318r2v-datasheets-1849.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3 мм | 7,5 мм | 30 В | 16 | 24 недели | 758мг | UL | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 5,5 В | 1 | 30 | 3А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 30 В | 2,5 А | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 2,5 А | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82391AD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398BD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82397AD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,1 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AD-D-IS3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82391BD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82394AD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82394AD4-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AD-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82394CD4-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390BD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275BBD-IM1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А |
