Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Тип канала | Изолированное питание | Коэффициент гистерезиса-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ACPL-3130-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | Олово | 295мВт | 1 | 2,5 А | 500 нс | 100 нс | 100 нс | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 40 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8751AB-ASR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8751abisr-datasheets-8058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Нет СВХК | да | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 20 кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-3130-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | 100 нс | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 40 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9531l3ve3ax-datasheets-0774.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531-V-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9531l3ve3ax-datasheets-0774.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | CSA, SEMKO, UL, VDE | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8221DC-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 500 мА | 40 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 В Макс. | 300 мА 500 мА | 30 нс 30 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 14,8 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W347-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw347060e-datasheets-8719.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 6 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | 1А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | СЛОЖНЫЙ | 110 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 15 В~30 В | 40 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W341-060E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | 700мВт | 1 | 3А | 43нс | 40 нс | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 43 нс 40 нс | 25 мА | 200 нс, 200 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8320В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8320r2v-datasheets-0341.pdf | 6-SOIC (0,362, ширина 9,20 мм), 5 выводов | 25 мА | Без свинца | 4 недели | 400мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 25 мА | 400 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60нс | 60 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 16 В~30 В | 5В | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231AB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231AB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261CBD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BAC-C-IPR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 30 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 300мВт | 1 | 4А | 60 нс | 50 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 6,5 В~30 В | 10 нс | Однонаправленный | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГАП2СМ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgap2scm-datasheets-0901.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | СТГАП | 1 | НЕ УКАЗАН | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1700 В постоянного тока | 4А 4А | 30 нс 30 нс | 100 нс, 100 нс | 100 В/нс | 20нс | 3В~5,5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261AAD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 30 В | 5В | 6 | EAR99 | 2мА | 300мВт | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 600 мА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 60 нс | 50 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~30 В | 28 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9506L3-E3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9506ax-datasheets-0661.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 30 В | 1 | 4е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 25 кВ/мкс | 250 нс | 10 В~30 В | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P345-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 20 В | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 6 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 550 мВт | 1 | 1 | 1А | 1А | 4мА | 120 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8нс | 8 нс | ОДИНОКИЙ | 120 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 120 нс, 120 нс | 50 кВ/мкс | 10 В~20 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-H312-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 3 (168 часов) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | Без свинца | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | 295мВт | 1 | 2,5 А | 500 нс | 50 нс | 50 нс | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-K312-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 5В | 295мВт | 1 | 8-СО | 2,5 А | 1,5 В | 500 нс | 500 нс | 500 нс | 500 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8271ABD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8 недель | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-H312-500E | Бродком Лимитед | $4,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 22 недели | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГАП2СКМ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgap2scm-datasheets-0901.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | СТГАП | 1 | НЕ УКАЗАН | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 1700 В постоянного тока | 4А 4А | 30 нс 30 нс | 100 нс, 100 нс | 100 В/нс | 20нс | 3В~5,5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8271BBD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9506L3-AX | Ренесас Электроникс Америка | $3,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Полоска | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9506ax-datasheets-0661.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 30 В | 1 | 4е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,56 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 25 кВ/мкс | 250 нс | 10 В~30 В | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-K312-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 16 мА | 22 недели | ЦГА, УР | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 30 В | 16 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 500 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 260 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 1,4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | $25,66 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P345-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 20 В | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 1 | 1А | 120 нс | 120 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 120 нс, 120 нс | 50 кВ/мкс | 10 В~20 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P347-560E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | е3 | Олово (Вс) | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 40 нс | 15 В~30 В | 1А |
