Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFH601-3X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100 В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100 В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100 В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| К817П1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ203 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $564,50 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il203x009t-datasheets-9609.pdf | 1,2 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 15 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 20 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 1,2 В | 60 мА | 70В | 225% при 10 мА | 450% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| H11AA1-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11aa1x001-datasheets-6256.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 20% | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH655A | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh655a-datasheets-9671.pdf | 1,15 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Неизвестный | 4 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 4-ДИП | 55В | 55В | 60 мА | 1,5 В | Дарлингтон | 60 мА | 250 мкс | 200 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 55В | 125 мА | 1,15 В | 14 мкс 14 мкс | 60 мА | 6В | 125 мА | 125 мА | 55В | 600% при 1 мА | 16 мкс, 15 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||
| SFH601-2X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100 В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100 В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100 В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| ПК355MTJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 1 | 35В | Дарлингтон | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IL203-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il203x009t-datasheets-9609.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 70В | 1,2 В | 60 мА | 70В | 225% при 10 мА | 450% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCMT1111 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1114-datasheets-9571.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 15 недель | 4 | EAR99 | Нет | 230мВт | 1 | 230мВт | 1 | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-4X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100 В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| H11A1-X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11a1-datasheets-6229.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 60 мА | 1,1 В | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,1 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B1-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11b2-datasheets-3709.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | EAR99 | Нет | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 25 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 30 В | 100 мА | 1,1 В | 100 мА | 500% при 1 мА | 5 мкс, 30 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IL252-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 недель | 6 | Нет | 400мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ252-Х007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | Нет | 400мВт | 1 | 400мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил350 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $228,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 75°С | 0°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il350-datasheets-9561.pdf | 8-СОП (ширина 0,220, 5,60 мм) | 8 | да | Нет | 1 | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 15 В | 10 мА | Фотоэлектрический, линеаризованный | 30 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 350 нс | ОДИНОКИЙ | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 15 В | 1,8 В | 350 мкс - | 3В | 0,3 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD620-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild620gb-datasheets-4850.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 20 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| К817П9 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 4,75 мм | Неизвестный | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКМТ1114 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1114-datasheets-9571.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 15 недель | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 230мВт | 1 | 230мВт | 1 | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615ABM-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 15 недель | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ251 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 1,2 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 6 | Нет | 400мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 50В | 60 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B1-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11b2-datasheets-3709.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 25 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 30 В | 100 мА | 1,1 В | 100 мА | 500% | 500% при 1 мА | 5 мкс, 30 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ5211 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-mct5211x009-datasheets-9209.pdf | 1,2 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5мА | Неизвестный | 6 | Нет | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 30 В | 40 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 40 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 40 мА | 225 % | 30 В | 150% при 1,6 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 100 В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100 В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100 В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ252-Х016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 60 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ250-Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | 1 | 400мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| К817П3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | Нет СВХК | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,6 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||
| 6Н138-Х007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМ ТТЛ, ОДОБРЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 6Н138 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,1 Мбит/с | 7В | 25 мА | Дарлингтон с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 35 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000035 с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 1600 % | 300% при 1,6 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||
| ИЛ252-Х001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 6 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 100% | 50нА | 100% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н138-Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-6n138x009t-datasheets-1683.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 8 | EAR99 | Нет | 100мВт | 6Н138 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 25 мА | Дарлингтон с базой | 25 мА | 35 мкс | 10 мкс | 0,000035 с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 1600 % | 300% при 1,6 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ252-Х017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 3-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 400мВ |
