Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ХМА121ФР3 | ОН Полупроводник | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 3 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 80 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2730WV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 792,000628мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2500 % | 7В | 300% при 1,6 мА | 300 нс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2503SDV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | совместимый | 1 | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 12% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL4502WV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 1 | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501A-1-LA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | Нет | 150 мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 500 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 30 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 30 мА | 30 мА | 70В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||
| МОК223Р2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd223r2vm-datasheets-9584.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 252 мг | 8 | да | Нет | 250мВт | 250мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | 1 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 1В | 150 мА | 1,08 В | 8 мкс 110 мкс | 150 мА | 1000 % | 150 мА | 500% при 1 мА | 10 мкс, 125 мкс | ||||||||||||||||||||||
| HCPL0452R2 | ОН Полупроводник | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 1 | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2730SV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 792,000628мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2500 % | 7В | 300% при 1,6 мА | 300 нс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3ТВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,17 В | 60 мА | 50 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD814W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod817300-datasheets-5269.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА121ДР4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 100% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2503WV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 1 | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 12% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХМА121ФР2В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК82043С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8204-datasheets-0198.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 2мА | 400В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0501R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2530WV | ОН Полупроводник | 1,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 792,000628мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||
| ХМА121Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 3 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 80 мА | 150% при 5 мА | 300% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0700R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОКД211ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd211r2m-datasheets-8645.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 251,998911мг | 8 | да | 250мВт | 250мВт | 2 | 30 В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3,2 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 150 мА | 1,25 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 150 мА | 20% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | ||||||||||||||||||||||||
| HCPL2530SDV | ОН Полупроводник | 1,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 792,000628мг | 8 | да | 100мВт | 2 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | |||||||||||||||||||||||
| ХМХА2801CR1 | ОН Полупроводник | $4,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | 4-мини-квартира | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2711С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 8 | 1 | 145 МВт | 1 | 1 | 8-СМД | 30 В | 30 В | 20 мА | 1,5 В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||
| Х11АА3СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,17 В | 60 мА | 50 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК256Р2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc256vm-datasheets-0176.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 252 мг | 8 | да | Нет | 250мВт | 250мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,2 В | 150 мА | 150 % | 150 мА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| МОКД208Р2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd208r2m-datasheets-5060.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 251,998911мг | 8 | да | Нет | 250мВт | 250мВт | 2 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 1,6 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 150 мА | 1,25 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 150 мА | 40% при 10 мА | 125% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | ||||||||||||||||||||||
| H11AA4TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 60 мА | 50 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА2М | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 1 | 6-ДИП | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 7500Впик | 400мВ | 30 В | 50 мА | 1,17 В | 60 мА | 50 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||
| МОК212Р1ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2711Т | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf | 30 В | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 1 | 8-ДИП | 30 В | 20 мА | 1,5 В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||
| HCPL2503SV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | совместимый | 1 | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 12% при 16 мА | 450 нс, 300 нс |
