Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ХКНР200-500Э | Бродком Лимитед | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 1 | е3 | 60мВт | 1 | 60мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 15 В | 25 мА | Фотоэлектрические, линеаризованные | 25 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 В | 1,6 В | 0,25% при 10 мА | 0,75% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ2-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 16 | Нет | 250 мВт | 4 | 250 мВт | 4 | 16-СМД | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 500% при 10 мА | 1,2 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2531SDVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n136tvm-datasheets-6270.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 720мг | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 250 нс, 260 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОУ135-Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vow136x017t-datasheets-0342.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | 1 | 25В | 25 мА | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,38 В | 8мА | 25В | 7% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS8501-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps8501ax-datasheets-2246.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8мА | 35В | 35В | 25 мА | 2,2 В | Транзистор с базой | 25 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 15 % | 8мА | 35В | 15% при 16 мА | 220 нс, 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD615-1X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | 8 | 2 | 500мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6345-X019T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $4,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6345x001-datasheets-6347.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 25В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 400мВ | 400мВ | 1,33 В | 8мА | 30 % | 19% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2530SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530sd-datasheets-9937.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 792мг | 8 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2531SD | ОН Полупроводник | 2,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2531sd-datasheets-9991.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 9 недель | 792мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 8мА | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 8мА | 1,45 В | 5В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПВ2121СЗ | Электромонтажные работы Панасоник | $2,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 4 | 1 | 1 | 8,2 В | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 50 мА | 8мкА | 8мкА | 800 мкс, 100 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6136-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6136x001-datasheets-6290.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ ТТЛ, ПРИЗНАН УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 25В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 16 мА | 1,6 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH640-3X019T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6402x007-datasheets-6303.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Олово | Нет | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | 6-СМД | 300В | 60 мА | 1,1 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 50 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 300В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139-Х007Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n139x009-datasheets-1755.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | 6Н139 | 1 | 18В | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 25 мА | 60 мА | 60 мА | 500% при 1,6 мА | 600 нс, 1,5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD2-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 8 | Нет | 250 мВт | 2 | 250 мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 10 мА | 400% при 10 мА | 1,1 мкс, 2,5 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6343T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6316t-datasheets-9670.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 мА | 6,1 мм | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 8 | СОВМЕСТИМ ТТЛ, ОДОБРЕНО УЛ | Олово | Нет | 3В | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 25В | 25В | 8мА | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | ОДИНОКИЙ | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 8мА | 1,6 В | 3В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 250 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2801-4-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,3 мм | Без свинца | 16 | Олово | Нет | 120 мВт | 4 | 4 | 100°С | 16-ССОП | 80В | 5мА | 1,1 В | Транзистор | 1А | 6 мкс | 5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6326-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6326x009-datasheets-6444.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 50мВт | 2 | 145 МВт | 2 | 1 Мбит/с | 25В | 16 мА | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 4,5 В | 1,9 В | 1,33 В | 25 мА | 4,5 В | 8мА | 19 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4504-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Олово | Нет | е3 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 25% при 16 мА | 60% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6345-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6345x001-datasheets-6347.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Олово | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 Мбит/с | 25В | 16 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 400мВ | 400мВ | 1,33 В | 3В | 8мА | 30 % | 25В | 19% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD615-2X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 500мВт | 2 | 500мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0454-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 мА | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 65 % | 21% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139-Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-6n139x009-datasheets-1755.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 100мВт | 6Н139 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 18В | 25 мА | Дарлингтон с базой | 25 мА | 60 мкс | 25 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 2000 % | 500% при 1,6 мА | 600 нс, 1,5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64 юаняST | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny64agrst-datasheets-6321.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е4 | Серебро (Ag) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 32В | 32В | 75 мА | Транзистор | 75 мА | 2,4 с | 2,7 с | ОДИНОКИЙ | 8200 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,32 В | 2,4 мкс 2,7 мкс | 50 мА | 200нА | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11D1-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2,5 мкс | 5,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20 % | 20% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8204SR2M | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d3m-datasheets-4627.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 80 мА | Без свинца | 5 недель | 810мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 400В | 400В | 80 мА | Транзистор с базой | 80 мА | Транзисторный выход оптопара | 5 мкс | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 100 мА | 1,15 В | 2мА | 20% | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11D1-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11d1x007t-datasheets-9639.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | EAR99 | Нет | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,1 В | 2,5 мкс 5,5 мкс | 100 мА | 20% при 10 мА | 5 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD74-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq74x009-datasheets-6715.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 8-СМД | 20 В | 1,3 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 20 В | 1,3 В | 60 мА | 35 % | 20 В | 12,5% при 16 мА | 3 мкс, 3 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД223Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $3,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod223t-datasheets-9539.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 6 недель | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | 2 | 250 мВт | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 30В | 30 мА | Дарлингтон | 30 мА | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,3 В | 1В | 30В | 1,3 В Макс. | 500% | 50нА | 500% при 1 мА | 15 мкс, 30 мкс (мин) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135-Х007Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n136x007-datasheets-4789.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 8 | 100мВт | 6Н135 | 1 | 100мВт | 1 | 8-СМД | 15 В | 400мВ | 25 мА | 1,33 В | Транзистор с базой | 25 мА | 5нс | 5 нс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,33 В | 25 мА | 8мА | 16 % | 8мА | 15 В | 7% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6136-X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6136x001-datasheets-6290.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | да | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ПРИЗНАНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 25В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 16 мА | 1,6 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс |
