Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Пропускная способность | Без свинца | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное входное напряжение | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Опорное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FOD070LR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod070lr1-datasheets-9214.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 400% при 500 мкА | 7000% при 500 мкА | 3 мкс, 50 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД070LR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod070lr1-datasheets-9214.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 400% при 500 мкА | 7000% при 500 мкА | 3 мкс, 50 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2761-1-F3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СОП (2,54 мм) | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2741CSD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2741bsdv-datasheets-9350.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | совместимый | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2741C | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2741bsdv-datasheets-9350.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 9,65 мм | 50 кГц | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 37В | 2% | 145 МВт | 145 МВт | 1 | 30В | 30В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 В | 30В | 400мВ | 30В | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2741CSV | ОН Полупроводник | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2741bsdv-datasheets-9350.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 | 1 | 30В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2741BT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2741bsdv-datasheets-9350.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 145 МВт | 1 | 30В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30В | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2712В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2712r1v-datasheets-9215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 145 МВт | 1 | 1 | 8-СОИК | 30В | 20 мА | 1,5 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30В | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2742AR1V | ОН Полупроводник | $44,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2742br2-datasheets-6180.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 70В | 70В | 20 мА | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,2 В | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2712 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2712r1v-datasheets-9215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,085 Вт | 1,5 В Макс. | 70В | 50 мА | 30В | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0534R1 | ОН Полупроводник | 4,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0531-datasheets-1278.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 800 нс | 800 нс | 450 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 30 % | 20 В | 15% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2712Р1В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2712r1v-datasheets-9215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 кГц | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 1 | 1 | 8-СОИК | 30В | 20 мА | 1,5 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2741CSDV | ОН Полупроводник | $4,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2741bsdv-datasheets-9350.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 | 1 | 30В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2506-1-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps25061a-datasheets-4543.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 40В | 80 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 40В | 200 мА | 1,17 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 2000 % | 200 мА | 40В | 200% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2742CR1V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2742br2-datasheets-6180.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД250LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod053lr2-datasheets-0006.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 1 | 8-СМД | Транзистор с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 7В | 15% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0453R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0531-datasheets-1278.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD070L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod070lr1-datasheets-9214.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 400% при 500 мкА | 7000% при 500 мкА | 3 мкс, 50 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0730R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 8-СОИК | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 300% при 1,6 мА | 5000% при 1,6 мА | 2 мкс, 7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2742BR1V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2742br2-datasheets-6180.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС8741-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps8741-datasheets-2558.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | 180мВт | 2 | 16-СОП | 5мА | 1,1 В | Фотоэлектрические, линеаризованные | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 50 мА | 3В | 1,8 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД270ЛСД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod070lr1-datasheets-9214.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 1 | 8-СМД | Дарлингтон с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 400% при 500 мкА | 7000% при 500 мкА | 3 мкс, 50 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2501-2-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps25012-datasheets-2342.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 120 мВт | 2 | 80В | 80 мА | Транзистор | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0731R1 | ОН Полупроводник | 1,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 8-СОИК | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 18В | 400% при 500 мкА | 5000% при 500 мкА | 300 нс, 1,6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД250Л | ОН Полупроводник | 1,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod053lr2-datasheets-0006.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 890,997162мг | 8 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 | 8-ДИП | 8мА | 7В | 25 мА | 1,7 В | Транзистор с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 7В | 15% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2712R2V | ОН Полупроводник | $6,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2712r1v-datasheets-9215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД250LT | ОН Полупроводник | 1,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod053lr2-datasheets-0006.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 900,012311мг | 8 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 | 8-ДИП | 7В | 25 мА | 1,7 В | Транзистор с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 7В | 15% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДБ100В | ОН Полупроводник | 0,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Микропара™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodb102-datasheets-3619.pdf | 4-ТЕБГА | 1 | 4-БГА (3,5х3,5) | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 1 мкс 5 мкс | 30 мА | 50 мА | 75В | 100% при 1 мА | 3 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2805-1-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Полоска | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 120 мВт | 1 | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 1А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД270LT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod070lr1-datasheets-9214.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 8-ДИП | Дарлингтон с базой | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 400% при 500 мкА | 7000% при 500 мкА | 3 мкс, 50 мкс |
