Светодиодные излучатели — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по продаже электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Форма Глубина Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Ориентация Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций мощность Код JESD-609 Терминальные отделки Максимальная рассеиваемая мощность Рассеяние активности Количество элементов Выходная мощность Прямой ток Прямое напряжение Прямой ток-Макс. Угол обзора Стиль объектива Количество светодиодов Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Тестовый ток Обратное напряжение проба Обратное напряжение Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Длина волны Длина волны – пик Пиковая длина волны Размер Интенсивность преобразования (Ie) Мин @ Если
QEB441TR QEB441TR ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Видимый Поверхностный монтаж -55°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) /files/onsemiconductor-qeb441-datasheets-4377.pdf 2-PLCC Вид сверху 120° 2,1 В 100 мА 730 нм 2 мВт/ср при 100 мА
PDI-E900 ПДИ-Е900 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2002 г. /files/advancedphotonix-pdie900-datasheets-4450.pdf Править Вид сверху 1,3 В 100 мА 940 нм
QEC122C6R0 QEC122C6R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует RoHS Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) 1,7 В Без свинца 133,2 мг 1 Вид сверху Нет 100мВт 18° Круглый, Цветной, Рассеянный 50 мА 880 нм 27 мВт/ср при 100 мА
GL100MD0MP1 ГЛ100МД0МП1 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2-СМД, без свинца Без свинца Вид сверху 160° 1,5 В 50 мА 940 нм
QED233A4R0 QED233A4R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует RoHS Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) 6,1 мм 1,7 В Без свинца 6,1 мм 284,4 мг 2 Вид сверху 200мВт 200мВт 1 100 мА 40° Круглый, Бесцветный, Рассеянный 20 мА 1,6 В 940 нм 10 мВт/ср при 100 мА
PDI-E808-A PDI-E808-A Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Поднос 1 (без блокировки) 2006 г. /files/advancedphotonix-pdie808a-datasheets-4451.pdf Т 1 3/4 Вид сверху 1,5 В 100 мА 880 нм
QED121A4R0 QED121A4R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный /files/onsemiconductor-qed121-datasheets-4208.pdf Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) Вид сверху 18° 1,7 В 100 мА 880 нм 16 мВт/ср при 100 мА
GL453E00000F GL453E00000F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl453e00000f-datasheets-4452.pdf Радиальный Без свинца Вид спереди, двойной 1,2 В 46° 1,2 В 50 мА 950 нм
QEC113C6R0 QEC113C6R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует RoHS /files/onsemiconductor-qec113-datasheets-4142.pdf Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) 1,5 В Без свинца 133,2 мг 1 Вид сверху 100мВт 18° 50 мА 940 нм 14 мВт/ср при 100 мА
PDI-E810 ПДИ-Е810 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS
GL513F ГЛ513Ф Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 125°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl514a-datasheets-4440.pdf ТО-18-2 Металлическая банка Без свинца Вид сверху 250 мВт 1,35 В 100° Круговой 1,35 В 150 мА 950 нм
GL514 GL514 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 125°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl514a-datasheets-4440.pdf ТО-18-2 Металлическая банка Без свинца Вид сверху 250 мВт 1,35 В 14° Круговой 1,35 В 150 мА 950 нм
QED122A3R0 QED122A3R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует RoHS /files/onsemiconductor-qed121-datasheets-4208.pdf Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) 1,7 В Без свинца 284,4 мг 2 Вид сверху 200мВт 18° Круговой 100 мА 880 нм 32 мВт/ср при 100 мА
GL100MN3MP1 ГЛ100МН3МП1 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 85°С -30°С Соответствует RoHS 2008 год /files/sharpmicroelectronics-gl100mn3mp-datasheets-4444.pdf 2-СМД, без свинца 3 мм Без свинца 1,5 мм 2 Вид сверху 75мВт 75мВт 1 50 мА 1,5 В 18° Круговой 20 мА 1,25 В 50 мА 940 нм 3 мВт/ср при 20 мА
LN75X LN75X Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Непригодный Соответствует RoHS 2004 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-ln75x-datasheets-4528.pdf Радиальный КРУГЛЫЙ да Вид спереди 8541.40.20.00 1 10мВт 0,1 А 50° ОДИНОКИЙ 1,5 В 100 мА 880 нм 3,5 мм 6 мВт/ср при 50 мА
LNA2902L LNA2902L Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-lna2902l-datasheets-4455.pdf Т 1 3/4 Без свинца Вид сверху 1,4 В 40° 1,4 В 100 мА 950 нм 9 мВт/ср при 50 мА
QEE123E3R0 QEE123E3R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует RoHS /files/onsemiconductor-qee123e3r0-datasheets-4536.pdf Радиальный, вид спереди 4,44 мм 1,7 В Без свинца 2,54 мм 135 мг 2 Вид спереди 100мВт 100мВт 1 100 мА 50° рассеянный 100 мА 50 мА 880 нм 8 мВт/ср при 100 мА
GL100MD1MP1 ГЛ100МД1МП1 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/sharpmicroelectronics-gl100md1mp1-datasheets-4458.pdf 2-СМД, без свинца 2,8 мм Без свинца 13 недель Неизвестный 2 Вид сверху Нет 75мВт 75мВт 75мВт 1 20 мА 160° Круглый, Купол 20 мА 1,2 В 50 мА 940 нм 0,3 мВт/ср при 20 мА
SFH 4230 СФХ 4230 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh4230-datasheets-0213.pdf 2-СМД, Крыло Чайки Вид сверху 120° 1,8 В 850 нм 250 мВт/ср при 1 А
OP272 ОП272 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 1999 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op270-datasheets-4387.pdf 2-SMD, изгиб хомута 2,5 мм 2,2 мм 30 В Без свинца 2,2 мм 2 Вид сверху Нет 130 мВт 130 Вт 1 20 мА 1,5 В 25° Круговой 500 нс 20 мА 30 В 1,5 В 50 мА 890 нм 890 нм
GL551 GL551 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -20°С~85°С ТА 1 (без блокировки) 85°С -20°С Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl551-datasheets-4565.pdf Т 1 3/4 Без свинца Вид сверху 1,5 В 20° 1,5 В 100 мА 880 нм
GL4910JE000F GL4910JE000F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~60°С ТА Непригодный Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl4910je000f-datasheets-4460.pdf Радиальный Без свинца Вид спереди 64° Круговой 1,55 В 50 мА 850 нм
AN1102W-TR АН1102W-TR Стэнли Электрик
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует RoHS /files/stanleyelectricco-an1102wtr-datasheets-4601.pdf 2-СМД, без свинца 3 мм Без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 1,5 мм 2 да Вид сверху неизвестный 1 75мВт 1 2мВт 50 мА 1,4 В Бесцветный, рассеянный ОДИНОКИЙ 20 мА 950 нм 0,5 мВт/ср при 20 мА
LED55CFB LED55CFB ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) /files/onsemiconductor-led56-datasheets-4106.pdf Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-2 Вид сверху 80° 1,7 В 100 мА 940 нм
GL390V ГЛ390В Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl390-datasheets-4436.pdf Радиальный Без свинца Вид спереди 150 мВт 1,3 В 36° Прямоугольный 1,3 В 60 мА 950 нм 9 мВт/ср при 50 мА
LED55CB LED55CB ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) /files/onsemiconductor-led56-datasheets-4106.pdf Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-2 Вид сверху 16° 1,7 В 100 мА 940 нм
SE5455-003 SE5455-003 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-se3455003-datasheets-0356.pdf ТО-46-2 Металлическая банка 5,56 мм Содержит свинец 5,56 мм 4 недели Неизвестный 2 Вид сверху Нет 150 мВт 150 мВт 1 100 мА 1,7 В 20° Купол, Круглый 1 700 нс 700 нс 1,7 В 100 мА 935 нм 935 нм
LN69 ЛН69 Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2008 год /files/panasonicelectroniccomComponents-ln69-datasheets-4445.pdf Т-1 Без свинца КРУГЛЫЙ 1 да Вид сверху ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ неизвестный 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 0,05 А 30° ОДИНОКИЙ 1,3 В 50 мА 940 нм 3 мм 3,5 мВт/ср при 50 мА
GL610T ГЛ610Т Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 85°С -25°С Соответствует RoHS 1999 год /files/sharpmicroelectronics-gl610t-datasheets-4425.pdf 2-СМД, без свинца 1,6 мм Без свинца 800 мкм 2 Вид сверху 150 мВт 150 мВт 1 50 мА 1,5 В 120° Рассеянный, Прямоугольный 50 мА 1,3 В 50 мА 950 нм
GL480QE0000F GL480QE0000F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Непригодный Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gl480-datasheets-4218.pdf Радиальный Без свинца Вид спереди 75мВт 26° Круговой 1,2 В 50 мА 950 нм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.