Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Размер / Размер | Напряжение - номинальное | Технология | Частота | Текущий - Поставка | Пакет/кейс | Емкость | Высота | Текущий | Приложения | Напряжение питания | Тип РФ | Количество элементов | Пакет устройств поставщика | Частота испытаний | Выходная мощность | P1дБ | Значение затухания | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | РЧ частота | Частота гетеродина | Уровень шума | Мощность - Макс. | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Защита от ЭСР | Ценности | Напряжение – выключенное состояние | Напряжение – прорыв | Напряжение – состояние включения | Ток — удержание (Ih) | Ток — пиковый импульс (8/20 мкс) | Порядок фильтра | Центральная/частота среза | Вторичные атрибуты | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Тип СКР | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | ВГС (Макс) | Упаковка | Производитель | Статус продукта | Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | Рассеиваемая мощность (макс.) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HFA3624IA | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 2,4 ГГц ~ 2,5 ГГц | 28-SSOP (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 802.11, ТДМА | 28-ССОП/КСОП | Повышающий/понижающий преобразователь | Преобразователь вверх/вниз | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF523 | Харрис Корпорейшн | $8,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | -55°C ~ 175°C (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220 | 80 В | N-канал | 350 пФ при 25 В | 360 мОм при 5,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А (Тс) | 15 нК при 10 В | - | ±20 В | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | 10 В | 60 Вт (Тс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF442119U | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HFA3767IA | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 130 МГц | 20-SSOP (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АМПС, CDMA, TDMA | 20-QSOP | Модулятор | Повышающий преобразователь | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ИРФ712С2497 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSP50307SC | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | 60 мА | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 4,75 В ~ 5,25 В, 8,55 В ~ 9,45 В | - | - | - | Модулятор | - | - | - | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP18N08 | Харрис Корпорейшн | 1,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | -55°C ~ 150°C (ТДж) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220 | 80 В | N-канал | 1700 пФ при 25 В | 100 мОм при 9 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 18А (Тс) | - | ±20 В | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HFA3663IA | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 2 ГГц ~ 2,3 ГГц | 20-SSOP (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | CDMA, TDMA, WLAN | 20-QSOP | Повышающий преобразователь | Повышающий преобразователь | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
СГТ23У13 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | TO-202 Короткая вкладка | 90пФ | 1 | 100 А | 225В | 275В | 2 В | 130 мА | 200 А | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSP50210JI-52 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 52 МГц | 84-LCC (J-вывод) | АМ, ФМ | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | Демодулятор | - | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSP50214AVC | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | - | 120-БКФП | AMPS, CDMA, GSM, NA TDMA | 120-МКФП (28х28) | Понижающий преобразователь | Понижающий преобразователь | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD20N03SM9AR4761 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ИРФ640С2470 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Д45С4 | Харрис Корпорейшн | $4,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | -55°C ~ 150°C (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220 | 30 Вт | 45 В | 4 А | 10 мкА | ПНП | 25 @ 1А, 1В | 40 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3Н206 | Харрис Корпорейшн | $14,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | ТО-72 | 25 В | 360 мВт | 2 N-канала (двойной) | 0,03 пФ при 15 В | 500 мВ при 20 мкА | 30 В | 3 мА при 15 В | 17 мОм | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S30N06LE | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSP48901JC-20 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | Низкий проход | - | Поверхностный монтаж | 0°С ~ 70°С | - | 5В | - | 68-LCC (J-вывод) | - | 30 мА | Общего назначения | - | Да | С = 100 нФ | 1-й | - | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CD22402D | Харрис Корпорейшн | $421,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | Генератор | - | Сквозное отверстие | 24-CDIP (0,600", 15,24 мм) | - | 24-СБДИП | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDP1877CE | Харрис Корпорейшн | $140,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | Программируемый контроллер прерываний (PIC) | - | Сквозное отверстие | 28-ДИП (0,600 дюйма, 15,24 мм) | - | 28-ПДИП | Масса | Харрис Корпорейшн | Устаревший | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S25N06SMR4643 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HFA3665IA | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 869 МГц ~ 895 МГц | 28-SSOP (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АМПС, CDMA, TDMA | 28-ССОП/КСОП | Понижающий преобразователь, МШУ, Микшер | Понижающий преобразователь | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CD22402E | Харрис Корпорейшн | $8,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | Генератор | - | Сквозное отверстие | 24-ДИП (0,600 дюйма, 15,24 мм) | - | 24-ПДИП | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HFA3664IA | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 2,3 ГГц ~ 2,7 ГГц | 20-SSOP (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | CDMA, TDMA, WLAN | 20-QSOP | Повышающий преобразователь | Повышающий преобразователь | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ХИП2060ASE | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CA3140R1167 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
СГТ21Б13А | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | TO-202 Короткая вкладка | 50пФ | 2 | 100 А | 185В | 290В | 2 В | 130 мА | 200 А | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4987 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | -65°C ~ 125°C (ТДж) | ТО-98-3 | ТО-98 | 30 В | 1,55 мА | - | 1 А | Стандартное восстановление | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БУЗ60БУ | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ИРФУ1920 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
СГТ10С10 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | TO-202 Короткая вкладка | 90пФ | 2 | 100 А | 1В | 100В | 2 В | 100 мА | 200 А | Харрис Корпорейшн |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.