Решетка полупроводника

Решетка полупроводниковая(8880)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Рабочий ток питания Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Плотность Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Напряжение питания Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Количество контактов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Количество входов/выходов Тип памяти Размер оперативной памяти Включить время задержки Задержка распространения Количество выходов Количество программируемых входов/выходов Количество входов Тактовая частота Количество макроячеек Выходная функция Количество логических элементов/ячеек Количество логических блоков (LAB) Тип программируемой логики Количество логических ячеек Количество CLB Количество выделенных входов Тип модуля/платы Всего бит ОЗУ Количество LAB/CLB Комбинаторная задержка CLB-Max
PN-M132/LCMXO640C PN-M132/LCMXO640C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf Без свинца 8 недель 132 Модуль разъема - BGA
PN-M100/LCMXO640E PN-M100/LCMXO640E Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf Без свинца 8 недель 100 Модуль разъема - BGA
PN-T144/LFXP3E PN-T144/LFXP3E Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf TQFP Без свинца 8 недель Модуль сокета — TQFP
PN-S32-LCMXO2 PN-S32-LCMXO2 Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf QFN Без свинца 8 недель 32 Модуль разъема - QFN
PN-Q48/CLK5406D PN-Q48/CLK5406D Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ispPAC-CLK Розетка 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf Без свинца 8 недель Модуль разъема - QFN
PA-LF256/5384VE ПА-LF256/5384VE Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ispLSI® 5000VE 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf Без свинца 8 недель Модуль разъема - BGA
PN-F388/LFXP10C PN-F388/LFXP10C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf Без свинца 8 недель Модуль разъема - BGA
PN-F484-LCMXO2 PN-F484-LCMXO2 Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год Без свинца 8 недель 484 Модуль разъема - BGA
PSSN-JM80-LIF-MD PSSN-JM80-LIF-MD Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать КроссЛинк™ Соответствует ROHS3 /files/latticesemiconductorcorporation-pssnsg48lcmxo2-datasheets-5200.pdf 8 недель Модуль разъема - BGA
PA-F900/LFX1200 ПА-Ф900/LFX1200 Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ispXPGA® 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf Без свинца 8 недель Модуль разъема - BGA
PDS4102-J84 PDS4102-J84 Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ispLSI® 1000 1 (без ограничений) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf ПЛКК Без свинца 8 недель Модуль розеток - PLCC
LFXP2-17E-5FN484I LFXP2-17E-5FN484I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 2,6 мм Соответствует ROHS3 2009 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 Нет 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм LFXP2-17 484 30 Программируемые вентильные матрицы 1.21.2/3.33.3В 38,9 КБ 358 34,5 КБ 358 435 МГц 17000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 282624 2125 0,494 нс
LFE3-17EA-6FN484I LFE3-17EA-6FN484I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСР3 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 18 мА 2,6 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель Нет СВХК 484 EAR99 Нет 3,1 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ3-17 484 30 Программируемые вентильные матрицы 92 КБ 222 87,5 КБ 222 17000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 716800 2125 0,379 нс
LCMXO2-4000HC-4FG484C LCMXO2-4000HC-4FG484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 269 ​​МГц 8,45 мА 2,6 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 2,5 В Без свинца 484 8 недель Нет СВХК 484 92 КБ да EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 2,375 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 2,5 В 1 мм LCMXO2-4000 30 Программируемые вентильные матрицы 2,5/3,3 В Не квалифицирован 27,8 КБ 278 ВСПЫШКА 11,5 КБ 7,24 нс 279 2160 4320 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 94208 540
LCMXO2-1200ZE-1TG100C LCMXO2-1200ZE-1TG100C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 104 МГц 58 мкА Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 100-LQFP 14 мм 1,4 мм 14 мм 1,2 В Без свинца 100 8 недель 657,000198мг Нет СВХК 100 64 КБ да EAR99 8542.39.00.01 Матовый олово (Sn) 1,14 В~1,26 В КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 1,2 В 0,5 мм LCMXO2-1200 100 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 17,3 КБ 79 ВСПЫШКА 8 КБ 10,21 нс 80 640 1280 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 65536 160
LCMXO1200C-4FTN256C LCMXO1200C-4FTN256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 420 МГц 21 мА 1,55 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf 256-ЛБГА 17 мм 17 мм 3,3 В Без свинца 256 8 недель 256 да EAR99 ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. Нет 8542.39.00.01 21 мА е1 Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) 1,71 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,8 В 1 мм LCMXO1200 256 40 Программируемые вентильные матрицы 211 СРАМ 4,4 нс 4,4 нс 211 600 МАКРОКЛЕТКА 1200 ФЛЕШ ПЛД 7 9421 150
LFE3-70EA-8FN672C LFE3-70EA-8FN672C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСР3 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 18 мА 2,6 мм Соответствует ROHS3 2005 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм 1,2 В Без свинца 672 8 недель 672 EAR99 500 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ3-70 672 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 570,6кБ 380 552,5 КБ 380 67000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 4526080 8375 0,281 нс
LFE3-17EA-7MG328I LFE3-17EA-7MG328I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСР3 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 49,4 мА 1,5 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf 328-ЛФБГА, ЦСБГА 10 мм 10 мм 1,2 В Без свинца 328 8 недель 328 EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,2 В 0,5 мм ЛФЭ3-17 328 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 92 КБ 116 87,5 КБ 116 420 МГц 17000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 716800 2125 0,335 нс
LCMXO3LF-2100E-5MG121C LCMXO3LF-2100E-5MG121C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаXO3 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 1 мм Соответствует ROHS3 2015 год /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf 121-ВФБГА 6 мм 6 мм 121 8 недель 121 EAR99 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1,2 В 0,5 мм НЕ УКАЗАН 100 9,3 КБ 2112 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 264 75776 264
LCMXO1200C-3MN132I LCMXO1200C-3MN132I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 420 МГц 21 мА Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf 132-ЛФБГА, КСПБГА 8 мм 1,1 мм 8 мм 3,3 В Без свинца 132 8 недель Нет СВХК 132 да EAR99 ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,71 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,8 В 0,5 мм LCMXO1200 132 40 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 101 СРАМ 5,1 нс 101 600 МАКРОКЛЕТКА 1200 ФЛЕШ ПЛД 7 9421 150
LCMXO2-640HC-5MG132I LCMXO2-640HC-5MG132I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 28 мкА 1,35 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 132-ЛФБГА, КСПБГА 8 мм 8 мм 2,5 В Без свинца 132 8 недель да EAR99 133 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 2,375 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 2,5 В 0,5 мм LCMXO2-640 30 Программируемые вентильные матрицы 2,5/3,3 В Не квалифицирован С-ПБГА-Б132 5,9 КБ 79 80 80 320 640 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 640 18432 80
LCMXO2-1200ZE-2TG100I LCMXO2-1200ZE-2TG100I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 56 мкА Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 100-LQFP 1,2 В Без свинца 100 8 недель 100 да EAR99 125 МГц 8542.39.00.01 МАТОВАЯ ЛОВУШКА (402) 1,14 В~1,26 В КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 1,2 В 0,5 мм LCMXO2-1200 100 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 17,3 КБ 79 80 640 1280 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 65536 160
LCMXO2-1200ZE-2TG144I LCMXO2-1200ZE-2TG144I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 56 мкА Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 144-LQFP 1,2 В Без свинца 144 8 недель 144 да EAR99 125 МГц 8542.39.00.01 е3 Матовый олово (Sn) 1,14 В~1,26 В КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 1,2 В 0,5 мм LCMXO2-1200 144 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 17,3 КБ 107 108 640 1280 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 65536 160
LCMXO2-4000HE-4MG132C LCMXO2-4000HE-4MG132C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 2,55 мА 1,35 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 132-ЛФБГА, КСПБГА 8 мм 8 мм 1,2 В Без свинца 132 8 недель 132 да EAR99 269 ​​МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 0,5 мм LCMXO2-4000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 27,8 КБ 104 ВСПЫШКА 11,5 КБ 105 2160 4320 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 94208 540
LCMXO2-2000HE-5MG132C LCMXO2-2000HE-5MG132C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 82 мкА 1,35 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 132-ЛФБГА, КСПБГА 8 мм 8 мм 1,2 В Без свинца 132 8 недель да EAR99 133 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 0,5 мм ЛКМСО2-2000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован С-ПБГА-Б132 21,3 КБ 104 105 105 1056 2112 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 75776 264
LCMXO640E-4FTN256C LCMXO640E-4FTN256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 85°С 0°С 420 МГц 14 мА Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf 256-ЛБГА 1,2 В Без свинца 8 недель Нет СВХК 1,26 В 1,14 В 256 550 МГц 14 мА 1,14 В~1,26 В LCMXO640 256-ФТБГА (17х17) 159 СРАМ 4,2 нс 4,2 нс 159 320 640 80 80
LCMXO2-4000HE-5MG132I LCMXO2-4000HE-5MG132I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 128 мкА Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 132-ЛФБГА, КСПБГА 1,2 В Без свинца 132 8 недель да EAR99 133 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 0,5 мм LCMXO2-4000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован С-ПБГА-Б132 27,8 КБ 104 105 105 2160 4320 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 94208 540
LCMXO2-2000HE-6MG132I LCMXO2-2000HE-6MG132I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 82 мкА 1,35 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 132-ЛФБГА, КСПБГА 8 мм 8 мм 1,2 В Без свинца 132 8 недель да EAR99 133 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 0,5 мм ЛКМСО2-2000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован С-ПБГА-Б132 21,3 КБ 104 105 105 1056 2112 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 75776 264
LFE2-50E-6FN484C LFE2-50E-6FN484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСП2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2008 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 Нет 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2-50 484 30 Программируемые вентильные матрицы 60,4 КБ 339 48,4 КБ 339 357 МГц 48000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 50000 396288 6000 0,331 нс
LCMXO2-256HC-6SG32C LCMXO2-256HC-6SG32C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 1,15 мА 0,6 мм Соответствует ROHS3 2004 г. /files/latticesemiconductor-lcmxo2256hc6sg32c-datasheets-0035.pdf 32-UFQFN Открытая площадка 5 мм 5 мм 3,3 В Без свинца 32 8 недель 188,609377мг EAR99 388 МГц 8542.39.00.01 2,375 В~3,465 В КВАД НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,5 мм LCMXO2-256 НЕ УКАЗАН Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 256Б 21 22 22 128 256 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 256 32

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.