Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
АО8801АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 8-ЦСОП | 905пФ | 4,5 А | 20 В | 1,5 Вт | 2 P-канала (двойной) | 905пФ при 10 В | 42 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,5 А | 11 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 42 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОД508 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 18 недель | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 70А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 68 мДж | N-канал | 2010пФ при 15В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А Та 70А Тс | 49 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
АОН6294 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 52А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 6,2 Вт Та 57 Вт Тс | 80А | 0,014 Ом | 54 мДж | N-канал | 2265пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 17А Та 52А Тс | 40 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
АОБ240Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 176 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 105А | 20 В | Одинокий | 40В | 1,9 Вт Ta 176 Вт Tc | N-канал | 3510пФ при 20 В | 2,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Та 105А Тс | 72 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОК20С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 16 недель | 1 | 20А | 30В | 600В | 266 Вт Тс | N-канал | 1038пФ при 100В | 199 мОм при 10 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 20А Тс | 19,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОНС36314 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30В | 6,2 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 1890пФ при 15В | 2,9 мОм при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 36,5 А Та 85 А Тс | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АО6409 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao6409-datasheets-3939.pdf&product=alphaomegasemiconductornc-ao6409-6836194 | СК-74, СОТ-457 | 6 | 16 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 5,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2,1 Вт Та | 5А | 0,045 Ом | P-канал | 1450пФ при 10В | 45 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,5 А Та | 17,2 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||
АОД3Н80 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 2,8А | Одинокий | 800В | 83 Вт Тс | N-канал | 510пФ при 25 В | 4,8 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,8 А Тс | 10 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН6558 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 28А | Одинокий | 30В | 5 Вт Та 24 Вт Тс | 30А | N-канал | 1128пФ при 15В | 5,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 25А Та 28А Тс | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОТ414 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 | 16 недель | 43А | 100В | 1,9 Вт Та 115 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 25 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,6А Та 43А Тс | 34 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН7520 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerWDFN | 5 | 16 недель | 8 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н5 | 50А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 6,2 Вт Ta 83,3 Вт Tc | 200А | 0,0031Ом | 90 мДж | N-канал | 4175пФ при 15 В | 1,8 мОм при 20 А, 10 В | 1,2 В @ 250 мкА | 48А Та 50А Тс | 105 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||
АОТФ12Т60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 2,028 нФ | 12А | 600В | 35 Вт Тс | N-канал | 2028пФ при 100В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 50 нК при 10 В | 520 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН7430 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7430-datasheets-3767.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 13А | 30В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | N-канал | 910пФ при 15 В | 12 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 34А Тс | 17 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН7240 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | 1 | 40А | 20 В | 40В | 3,1 Вт Ta 36,7 Вт Tc | N-канал | 2200пФ при 20В | 5,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 19А Та 40А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОТФ7Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 7А | Одинокий | 600В | 38,5 Вт Тс | 7А | N-канал | 1035пФ при 25В | 1,2 Ом при 3,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН7510 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 4,5 нФ | 75А | 30В | 4,1 Вт Та 46 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 15В | 1,25 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 45А Та 75А Тс | 140 нК при 10 В | 1,25 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОТ7Н70 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 3,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 7А | Одинокий | 700В | 198 Вт Тс | 7А | N-канал | 1175пФ при 25В | 1,8 Ом при 3,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 25 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОТФ11Н62Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $9,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | ТО-220-3Ф | 1,99 нФ | 11А | 620В | 39 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 25 В | 650 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 37 нК при 10 В | 650 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОТФ454Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | ТО-220-3Ф | 985пФ | 13А | 150 В | 2,1 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 985пФ при 75В | 94 мОм при 10 А, 10 В | 4,6 В @ 250 мкА | 3А Та 13А Тс | 20 нК при 10 В | 94 мОм | 7В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AOSP36326C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 2,5 Вт Та | N-канал | 542пФ при 15В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 12А Та | 15 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОИ423 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | ТО-251Б | 2,76 нФ | 70А | 30В | 2,5 Вт Та 90 Вт Тс | P-канал | 2760пФ при 15 В | 6,7 мОм при 20 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та 70А Тс | 65 нК при 10 В | 6,7 мОм | 10 В 20 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОИ409 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aoi409-datasheets-7198.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 3 | 18 недель | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 26А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,5 Вт Та 60 Вт Тс | 80А | 0,055 Ом | 34 мДж | P-канал | 3600пФ при 30В | 40 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 26А Тк | 54 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
АОД4186 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod4186-datasheets-7339.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 35А | 40В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1200пФ при 20В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 10А Та 35А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН2392 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-VFDFN Открытая площадка | 18 недель | 100В | 4,1 Вт Та | N-канал | 840пФ при 50В | 32 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А Та | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН7460 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 5 | 18 недель | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 3,1 Вт Та 33 Вт Тс | 4А | 13А | 0,83 Ом | 132 мДж | N-канал | 380пФ при 25В | 830 мОм при 1,2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1,2 А Та 4 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
АОН7506 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7506-datasheets-7755.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | 12А | 30В | 3,1 Вт Ta 20,5 Вт Tc | N-канал | 542пФ при 15В | 9,8 мОм при 12 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 12А Та 12А Тс | 12,2 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОН6380 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АО4266Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 60В | 3,1 Вт Та | N-канал | 755пФ при 30 В | 13,5 мОм при 11 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та | 10 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОТ1404Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 417 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 220А | 20 В | Одинокий | 40В | 2,1 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 20 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 15А Та 220А Тс | 86 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АОБ11С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob11s65l-datasheets-8347.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 11А | 650В | 198 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 100 В | 399 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 13,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.