| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Количество контактов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОТФ260Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 92А | Одинокий | 60В | 1,9 Вт Ta 46,5 Вт Tc | N-канал | 11800пФ при 30В | 2,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 19А Та 92А Тс | 210 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ280Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot280l-datasheets-4913.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 140А | Одинокий | 80В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 11135пФ при 40В | 2,7 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 20,5 А Та 140 А Тс | 224 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ1404Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,79 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 220А | Одинокий | 40В | 2,1 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 20 В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 3,7 В @ 250 мкА | 15А Та 220А Тс | 86 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ11С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,93 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | Нет | 28 Вт | 1 | 545пФ | 11А | 600В | 28 Вт Тс | N-канал | 545пФ при 100В | 399 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 11А Тк | 11 нК при 10 В | 399 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОБ286Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aob286l-datasheets-8392.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 70А | Одинокий | 80В | 2,1 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 3142пФ при 40 В | 5,7 мОм при 20 А, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 13А Та 70А Тс | 63 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4710 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | Не квалифицирован | 12,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2376пФ при 15 В | 11,8 мОм при 12,7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 12,7А Та | 43 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||
| АОЛ1418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aol1418-datasheets-1825.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | неизвестный | 85А | 30 В | 2,08 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 15В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 15А Та 85А Тс | 32 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7700 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon7700-datasheets-4570.pdf | 8-PowerVDFN | неизвестный | 40А | 30 В | 3,1 Вт Та 26 Вт Тс | N-канал | 4250пФ при 15В | 8,5 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16А Та 40А Тс | 33 нК при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4444 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4444-datasheets-5997.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,1 Вт | 1 | 11А | 25 В | 80В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2865пФ при 40 В | 12 мОм при 11 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 11А Та | 46 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||
| АО4718 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1950пФ при 15В | 9 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 32 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6246 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 8 | 83 Вт | 1 | 80А | 20 В | 60В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3420пФ при 30В | 6,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 80А Тс | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2918Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 267 Вт | 1 | 90А | 20 В | 100В | 2,1 Вт Та 267 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 50В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 13А Та 90А Тс | 53 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7242 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | Без свинца | 16 недель | 8 | 50А | 40В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2365пФ при 20 В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 30А Та 50А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД208 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 62 Вт | 1 | 18А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 2210пФ при 15В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 18А Та 54А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ290 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 7,18 нФ | 140А | 100В | 1,9 Вт Та 500 Вт Тс | N-канал | 7180пФ при 50В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 17,5 А Та 140 А Тс | 126 нК при 10 В | 3,2 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6270 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $10,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | 83 Вт | 1 | 85А | 20 В | 75В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 37,5 В | 3,9 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 31,5 А Та 85 А Тс | 85 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4314 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4314-datasheets-2557.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 20А | Одинокий | 36В | 4,2 Вт Та | N-канал | 1470пФ при 18В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 20А Та | 23 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2618Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 1 | 23А | 20 В | 60В | 2,1 Вт Ta 41,5 Вт Tc | N-канал | 950пФ при 30 В | 19 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7А Та 23А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД474А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $23,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10А | 75В | 2,1 Вт Ta 28,5 Вт Tc | N-канал | 280пФ при 37,5 В | 130 мОм при 5 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 2,5 А Та 10 А Тс | 9 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН1620 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 6-PowerUFDFN | 6 | 4А | 12 В | 1,8 Вт Та | N-канал | 770пФ при 6В | 22 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Та | 12 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7758 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 75А | Одинокий | 30 В | 4,2 Вт Та 34 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 15В | 1,85 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 36А Та 75А Тс | 100 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 1,595 нФ | 10А | 600В | 43 Вт Тс | N-канал | 1595пФ при 100В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ4Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 522пФ | 4А | 600В | 35 Вт Тс | N-канал | 522пФ при 100 В | 2,1 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 нК при 10 В | 2,1 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ528 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoy514-datasheets-7884.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 50А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1400пФ при 15В | 5,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 17А Та 50А Тс | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1404 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1404-datasheets-4036.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8 | 60 Вт | 1 | 45А | 12 В | 20 В | 2,1 Вт Та 60 Вт Тс | N-канал | 4630пФ при 10 В | 4 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 18А Та 45А Тс | 43 нК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ418Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $7,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 16 недель | 105А | 100В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 9,5 А Та 105 А Тс | 83 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ472 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 | 1,9 Вт | 1 | 140А | 20 В | 75В | 1,9 Вт Та 417 Вт Тс | N-канал | 4500пФ при 30В | 8,9 мОм при 30 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 10А Та 140А Тс | 115 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4423Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 17А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3033пФ при 15 В | 6,2 мОм при 15 А, 20 В | 2,6 В @ 250 мкА | 17А Та | 57 нК при 10 В | 6В 20В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD256_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,165 нФ | 19А | 150 В | 2,5 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 1165пФ при 75В | 85 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 3А Та 19А Тс | 22 нК при 10 В | 85 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD516_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,229 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 33 нК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.