Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН6946 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 6 | 18 недель | 8 | 3,9 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 18А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 Вт 3,9 Вт | 16А | 64А | 0,0116Ом | 9 мДж | 2 N-канала (полумост) | 485пФ при 15В | 11,6 мОм при 13 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14А 18А | 15 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8814 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao8814-datasheets-8880.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18 недель | 1,5 Вт | 7,5 А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1390пФ при 10 В | 16 мОм при 7,5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 15,4 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС3862 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 6-XDFN | 18 недель | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1,25 В @ 250 мкА | 46 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД604 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aod604-datasheets-5008.pdf | ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) | неизвестный | 1,7 Вт | 8А | 40В | 1,6 Вт 1,7 Вт | N и P-канал | 404пФ при 20В | 33 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9,2 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЭ6930 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-VDFN Открытая площадка | 18 недель | 30В | 24 Вт 75 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1075пФ при 15В 5560пФ при 15В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В, 0,83 м Ом при 30 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА, 1,9 В @ 250 мкА | 22А Тк 85А Тк | 15 нК при 4,5 В, 65 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4600CL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6908ALS_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 30В | 1,9 Вт Ta 31 Вт Tc 2,1 Вт Ta 78 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1110пФ при 15В 5260пФ при 15В | 8,9 мОм при 11,5 А, 10 В, 3,6 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА, 2 В при 250 мкА | 11,5 А Ta 46 А Tc 17 А Ta 80 А Tc | 15 нК при 10 В, 38 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4605 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon4605-datasheets-2591.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 16 недель | 8 | 1,9 Вт | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,4А | 20 В | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4.3А | N и P-канал | 210пФ при 15В | 50 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 4,3 А 3,4 А | 5 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД607 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 16 недель | 2,1 Вт | 12А | 30В | Дополняющие N и P-каналы | 1250пФ при 15В | 25 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 25 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6938 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 33А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 N-канала (полумост) | 1150пФ при 15В | 8,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 17А 33А | 24 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6978 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 28А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,6 Вт 4,3 Вт | 36А | 2 N-канала (полумост) | 1010пФ при 15В | 5,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А 28А | 25 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4812Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 6А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6,3 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4852Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,4 Вт | 3А | 60В | 1,4 Вт | 2 N-канала (двойной) | 450пФ при 30В | 90 мОм при 3 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 9,2 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8814#А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 8-ЦСОП | 1,39 нФ | 20 В | 1,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1390пФ при 10 В | 16 мОм при 7,5 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 15,4 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 16 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНС36316 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 5 Вт Та 26 Вт Тс | N-канал | 2005пФ при 15В | 4,1 мОм при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 28А Та 32А Тс | 42 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ15С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 3 | 1 | 15А | 30В | 600В | 27,8 Вт Тс | N-канал | 717пФ при 100 В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 15А Тс | 15,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3435 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 16 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,9 А | 8В | Одинокий | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 745пФ при 10 В | 70 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,9А Та | 11 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОСС32136C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 20 В | 1,3 Вт Та | N-канал | 660пФ при 10 В | 20 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 6,5 А Та | 14 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4468 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4468-datasheets-2204.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 10,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1200пФ при 15В | 14 мОм при 11,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,5 А Та | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| AOD66923 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 6,2 Вт Та 73 Вт Тс | N-канал | 1725пФ при 50В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16,5 А Та 58 А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТЛ66401 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSFN | 18 недель | 40В | 8,3 Вт Та 300 Вт Тс | N-канал | 19180пФ при 20В | 0,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 82А Та 400А Тс | 340 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6368 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 820пФ | 52А | 30В | 6,2 Вт Та 27 Вт Тс | N-канал | 820пФ при 15 В | 6,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 25А Та 52А Тс | 13 нК при 10 В | 6,1 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ10Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10А | 30В | Одинокий | 600В | 250 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ66616Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 18 недель | 60В | 8,3 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 2870пФ при 30 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 38,5 А Та 140 А Тс | 60 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6358 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | да | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 85А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 6,2 Вт Та 48 Вт Тс | 230А | 0,0036Ом | 63 мДж | N-канал | 2200пФ при 15В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 42А Та 85А Тс | 47 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3456 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,4 Вт Та | 3,6А | 0,05 Ом | N-канал | 200пФ при 15В | 50 мОм при 3,6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 12 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6424 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao6424-datasheets-3845.pdf | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 6 | Нет | 1,25 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,25 Вт Та | 5А | N-канал | 310пФ при 15В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 5А Та | 6,3 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2810 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod2810-datasheets-4451.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 3 | 100 Вт | 1 | 46А | 20 В | 80В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 1871 пФ при 40 В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 10,5 А Та 46 А Тс | 38 нК при 10 В | 6В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ4Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | 640пФ | 4А | 600В | 25 Вт Тс | N-канал | 640пФ при 25В | 2,3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 14,5 нК при 10 В | 2,3 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7318 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 18 недель | 30В | 4,1 Вт Та 39 Вт Тс | N-канал | 2840пФ при 15В | 1,95 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 36,5 А Та 50 А Тс | 52 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
