Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОНР66922 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 18 недель | 100В | 4,1 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 2180пФ при 50В | 9 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 50А Тс | 46 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4752 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 | да | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 15А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 605пФ при 15В | 8,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 15 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ8Н50 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot8n50-datasheets-9473.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | Нет | 192 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 8А | Одинокий | 500В | 192 Вт Тс | 8А | N-канал | 1042пФ при 25В | 850 мОм при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4492 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | Мощность FET общего назначения | 14А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 770пФ при 15 В | 9,5 мОм при 14 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14А Та | 18 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ12Т60П | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 2,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aowf12t60p-datasheets-2837.pdf | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | ТО-262Ф | 2,028 нФ | 12А | 600В | 28 Вт Тс | N-канал | 2028пФ при 100В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 50 нК при 10 В | 520 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7414 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon7414-datasheets-3764.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | Мощность FET общего назначения | 20А | Одинокий | 30 В | 4,1 Вт Ta 15,5 Вт Tc | N-канал | 595пФ при 15 В | 15 мОм при 8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 12,5 А Та 20 А Тс | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД7Н60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Нет | 178 Вт | 1 | 7А | 600В | 178 Вт Тс | N-канал | 1170пФ при 25В | 1,3 Ом при 3,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 24 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ7Н60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | ТО-220-3 | 18 недель | 192 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 7А | 30 В | Одинокий | 600В | 192 Вт Тс | 7А | N-канал | 1035пФ при 25В | 1,2 Ом при 3,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ7Н65 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 192 Вт | 1 | 7А | 30 В | 650В | 192 Вт Тс | N-канал | 1060пФ при 25В | 1,56 Ом при 3,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 23 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ12Н40Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $4,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot12n40l-datasheets-5834.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | 11А | 400В | 184 Вт Тс | N-канал | 1110пФ при 25 В | 590 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 21 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ4С60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 16 недель | 3 | да | Нет | ОДИНОКИЙ | 3 | 31 Вт | 1 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 31 Вт Тс | ТО-220АБ | 4А | 0,9 Ом | 77 мДж | N-канал | 263пФ при 100 В | 900 мОм при 2 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6282 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | Полномочия общего назначения FET | 85А | Одинокий | 80В | 7,4 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2848пФ при 40 В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 26,5 А Та 85 А Тс | 51 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОСС21319C | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 30 В | 1,3 Вт Та | P-канал | 320пФ при 15В | 100 мОм при 2,8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 2,8А Та | 12 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2910 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aod2910-datasheets-7072.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 31А | 100В | 2,5 Вт Ta 53,5 Вт Tc | N-канал | 1190пФ при 15В | 24 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 31 А Тс | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1454Г | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 3-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 40В | 6,2 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 1480пФ при 20В | 5,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А Та 46А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4454 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod4454-datasheets-7298.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 20А | 150 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 985пФ при 75В | 94 мОм при 10 А, 10 В | 4,6 В @ 250 мкА | 3А Та 20А Тс | 20 нК при 10 В | 7В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6264Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6366Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 30 В | 46 Вт Тс | N-канал | 3020пФ при 15В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 34А Тк | 80 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7380 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8-ДФН (3х3) | 825пФ | 24А | 30 В | 4,1 Вт Та 24 Вт Тс | N-канал | 825пФ при 15В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24А Тк | 25 нК при 10 В | 6,8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7538 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 30А | Одинокий | 30 В | 4,2 Вт Та 24 Вт Тс | N-канал | 1128пФ при 15В | 5,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 30А Тс | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6576 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | да | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 32А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 5 Вт Та 26 Вт Тс | 128А | 0,0072Ом | 27 мДж | N-канал | 1320пФ при 15В | 4,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 26А Та 32А Тс | 27 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ22Н50Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | Нет | 417 Вт | 1 | 22А | 500В | 417 Вт Тс | N-канал | 3710пФ при 25 В | 260 мОм при 11 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 83 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20Н60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 20А | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 3680пФ при 25В | 370 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 74 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ1608Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $5,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 140А | 60В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 3690пФ при 25 В | 7,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,7 В при 250 мкА | 11А Та 140А Тс | 84 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ14Н50ФД | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $7,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot14n50fd-datasheets-8926.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Мощность FET общего назначения | 14А | Одинокий | 500В | 278 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 25В | 470 мОм при 7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Тс | 47 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ7С65 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 434пФ | 7А | 650В | 25 Вт Тс | N-канал | 434 пФ при 100 В | 650 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А Тк | 9,2 нК при 10 В | 650 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ16Н50 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 16А | 500В | 50 Вт Тс | N-канал | 2297пФ при 25 В | 370 мОм при 8 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 51 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК18Н65Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 2,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 417 Вт | 1 | 18А | 30 В | 650В | 417 Вт Тс | N-канал | 3785пФ при 25 В | 390 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 68 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК5Н100 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aok5n100-datasheets-4886.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | 4А | 1000В | 195 Вт Тс | N-канал | 1150пФ при 25В | 4,2 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 23 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6560 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 1 мм | 18 недель | DFN5x6_8L_EP1_P | 1 | 7,3 Вт | 150°С | 8-ДФН (5х6) | 11,5 нФ | 16 нс | 115,5 нс | 200А | 20 В | 30 В | 1,4 В | 7,3 Вт Та 208 Вт Тс | 550 мкОм | 30 В | N-канал | 11500пФ при 15В | 0,62 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 84А Та 200А Тс | 325 нК при 10 В | 680 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В |
