Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное усиление постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4854 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | НПН И ПНП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4015 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2453-datasheets-4539.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 600мВт | 200 МГц | 60В | 300 мА | 2 ПНП (двойной) | 135 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMLT3906E ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmlt3946egtrpbfree-datasheets-1942.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | ПНП | 0,35 Вт | 150 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | 2 ПНП (двойной) | 150 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4033 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4033pbfree-datasheets-8685.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 260 | 30 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 7 Вт | 1,25 Вт | 100 МГц | 80В | 1А | 50нА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 400 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CET3906E TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cet3906etrpbfree-datasheets-4852.pdf | СК-101, СОТ-883 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,43 Вт | 250 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT6429 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt6428trpbfree-datasheets-5682.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 100 МГц | 45В | 200 мА | 100 нА | НПН | 500 @ 100 мкА 5 В | 700 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5232A PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5232apbfree-datasheets-7062.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 50В | 100 мА | 30нА | НПН | 250 при 2 мА 5 В | 125 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN-U07 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cenu57pbfree-datasheets-7829.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,75 Вт | 100В | 2А | 100нА ИКБО | НПН | 20 @ 500 мА 1 В | 50 МГц | 350 мВ при 25 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXTA92 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cxta92trpbfree-datasheets-9532.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 50 МГц | 300В | 500 мА | 250 нА ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMST3906 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmst3904trpbfree-datasheets-5203.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,25 Вт | 275 МВт | 250 МГц | 40В | 200 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5551 ОСТРОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | 1,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n5551tinlead-datasheets-1910.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | не_совместимо | е0 | Оловянный свинец | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 160 В | 600 мА | 50нА ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBCP68 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbcp68trpbfree-datasheets-1566.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 2 Вт | 2 Вт | 65 МГц | 20 В | 1А | 10 мкА ИКБО | НПН | 85 @ 500 мА 1 В | 65 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMST2907A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmst2907abkpbfree-datasheets-4787.pdf | СК-70, СОТ-323 | 26 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,275 Вт | 275 МВт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC212A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc212bpbfree-datasheets-5920.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 50В | 200 мА | 15нА ИКБО | ПНП | 100 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP591X-2N2907A-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp591x2n2907act20-datasheets-1815.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 60В | 1,6 В | 600 мА | 60В | 600 мА | 10нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD45H11 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cjd44h11tr13-datasheets-3730.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 20 Вт | 1,75 Вт | 80В | 8А | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 50 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4918 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n4918pbfree-datasheets-4564.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 40В | 1А | 100 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 50 мА 1 В | 3 МГц | 600 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2906 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2907apbfree-datasheets-6720.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,4 Вт | 1,8 Вт | 200 МГц | 40В | 600 мА | 20нА ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2905 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n2905apbfree-datasheets-9041.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 3 Вт | 3 Вт | 200 МГц | 40В | 600 мА | 20нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N1131A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n697apbfree-datasheets-1865.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | 40В | 500нА ИКБО | ПНП | 20 @ 150 мА 10 В | 90 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2270 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2270pbfree-datasheets-9086.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 1А | 50нА ИКБО | НПН | 50 @ 150 мА 10 В | 100 МГц | 900 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMUT2222A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cmut2222atrpbfree-datasheets-0725.pdf | СК-89, СОТ-490 | 6 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZT2907A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czt2907atrpbfree-datasheets-3697.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 2 Вт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP32A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip32pbfree-datasheets-5050.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 60В | 3А | 300 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP30B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip30cpbfree-datasheets-5061.pdf | ТО-220-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 80В | 1А | 300 мкА | ПНП | 40 @ 200 мА 4 В | 3 МГц | 700 мВ при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP396V-2N2369A-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~200°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp396v2n2369act20-datasheets-5516.pdf | умереть | 8 недель | да | EAR99 | 15 В | 500мВ | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 МГц | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУВ47А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-buv47a-datasheets-0676.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100 Вт | 450В | 1,5 В | 9А | 7 | НПН | 1,5 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMUT5401E ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmut5401etr-datasheets-0721.pdf | СК-89, СОТ-490 | 12 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,25 Вт | 250 мВт | 100 МГц | 220В | 600 мА | 50нА | ПНП | 100 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 150 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ101 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip102pbfree-datasheets-4835.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 80 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8А | ТО-220АБ | 80В | 2,5 В | 8А | 4 МГц | 80В | 5В | 1000 | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 4 МГц | 2,5 В @ 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||
| СОВЕТ48 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip47-datasheets-0770.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 40 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40 Вт | ТО-220АБ | 400В | 1В | 1А | 10 МГц | 1 мА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 10 МГц | 1 В при 200 мА, 1 А |
