Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Конфигурация | Соединение корпуса | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CZ5343B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 14 недель | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 7,5 В | 5% | 175 мА | стабилитрон | 1,5 Ом | 1,5 Ом | 100 мкА при 5,7 В | 1,2 В при 1 А | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||
CZ5359B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -60°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 2 | 12 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 5 Вт | КРЕМНИЙ | 5 Вт | 24В | 5% | 50 мА | стабилитрон | 3,5 Ом | 3,5 Ом | 500 нА при 18,2 В | 1,2 В при 1 А | 24В | ||||||||
1N4683 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 800 нА при 1 В | 1,5 В при 100 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4623 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,6 кОм | 4 мкА при 2 В | 1 В @ 200 мА | 4,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4624 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,55 кОм | 10 мкА при 3 В | 1 В @ 200 мА | 4,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5918B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 5,1 В | 5% | 73,5 мА | стабилитрон | 4Ом | 4Ом | 5 мкА при 2 В | 1,5 В при 200 мА | 5,1 В | |||||||||||||||||||||||
1N5950B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 26 недель | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,5 Вт | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт | 110 В | 5% | 3,4 мА | стабилитрон | 300Ом | 300Ом | 1 мкА при 83,6 В | 1,5 В при 200 мА | 110 В | ||||||
CLL5248B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 13 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 18В | 5% | 7мА | стабилитрон | 21 Ом | 21 Ом | 100 нА при 14 В | 1,25 В при 200 мА | 18В | ||||||||||||||||||||||
1N6000B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 50 недель | ±5% | 500мВт | 15Ом | 100 нА при 8 В | 1,5 В при 100 мА | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CMPZ5263B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 24 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 56В | 5% | 2,2 мА | стабилитрон | 150Ом | 150Ом | 100 нА при 43 В | 900 мВ при 10 мА | 56В | ||||||||||||||||||||||
1N5240B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | совместимый | ±5% | 500мВт | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 1,1 В при 200 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5259B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 80Ом | 100 нА при 30 В | 1,1 В при 200 мА | 39В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5240B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 1,1 В при 200 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N6000B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 15Ом | 100 нА при 8 В | 1,5 В при 100 мА | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CMOZ5V1 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 5,1 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 60Ом | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||
1N4752A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 33В | 5% | 7,5 мА | стабилитрон | 45Ом | 45Ом | 5 мкА при 25,1 В | 1,2 В @ 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||
CMSZ5245B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 15 В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 16Ом | 16Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||
CLL4751A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 15 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 30В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 40Ом | 40Ом | 5 мкА при 22,8 В | 1,2 В @ 200 мА | 30В | ||||||||||||||||||||||
CMZ5929B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 26 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 15 В | 5% | 25 мА | стабилитрон | 9Ом | 9Ом | 1 мкА при 11,4 В | 1,5 В при 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||||||||
1N4616 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,3 кОм | 4 мкА при 1 В | 1 В @ 200 мА | 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4689 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 мкА при 3 В | 1,5 В при 100 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4710 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 19 В | 1,5 В при 100 мА | 25В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4619 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,6 кОм | 800 нА при 1 В | 1 В @ 200 мА | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5947B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 21 неделя | да | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1,5 Вт | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт | 82В | 5% | 4,6 мА | стабилитрон | 160Ом | 160Ом | 1 мкА при 62,2 В | 1,5 В при 200 мА | 82В | |||||||
CMDZ5226B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 6 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 3,3 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 1600Ом | 28Ом | 25 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||
CMDZ5239B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 6 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 9,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||||||||
1N5921B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 6,8 В | 5% | 55,1 мА | стабилитрон | 3Ом | 3Ом | 5 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||
1N5937B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 33В | 5% | 11,4 мА | стабилитрон | 33Ом | 33Ом | 1 мкА при 25,1 В | 1,5 В при 200 мА | 33В | |||||||||||||||||||||||
1N4470 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4462trpbfree-datasheets-9569.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 26 недель | ±5% | 1,5 Вт | 10Ом | 50 нА при 12,8 В | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4462 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4462trpbfree-datasheets-9569.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | 1,5 Вт | 2,5 Ом | 1 мкА при 4,5 В | 7,5 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.