Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПодразделение интегральных микросхем IXYS(386)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Тип входа | Текущий - Поставка | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Входное напряжение смещения (Vos) | Источники питания | Скорость нарастания | Количество цепей | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Стиль завершения | Тип выхода | Схема | Напряжение — вход | Выбросить конфигурацию | Тип реле | Напряжение – нагрузка | Ток нагрузки | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Тип усилителя | Продукт увеличения пропускной способности | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Максимальное ограничение напряжения питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение пробоя | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Устойчивость к синфазным переходным процессам (мин.) | Искажение ширины импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Ширина импульса (PWD) | Выходной ток на канал | Драйвер высокой стороны | Текущий коэффициент передачи | Входы — сторона 1/сторона 2 | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Напряжение — выход | Отрицательное напряжение питания-Макс (Vsup) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Максимальное синфазное напряжение | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Напряжение — входное смещение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЛДА100С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 недель | 6 | 1 | 150 мВт | 1 | 1 | 6-СМД | 30 В | 30 В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор с базой | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 300 % | 30 В | 33% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛИА120 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 145 МВт | 1 | 8-ДИП | Фотоэлектрический | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 20 мА | 1% при 5 мА | 3% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXI858S1T/Р | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-ixi858s1tr-datasheets-7945.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 449,991981мг | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | Преобразователь, автономные приложения на базе микроконтроллера | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 13В | IXI858 | 8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 8,2 В~17 В | 1 | НЕТ | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3730CTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3730ctr-datasheets-3829.pdf | ТО-243АА | 130,492855мг | 4 | 1,4 Вт | 1 | 1,4 Вт | 1 | СОТ-89 | 20 нс | 10 нс | 50 нс | 20 нс | 140 мА | -3,9 В | 350В | 35мОм | N-канал | 200пФ при 25В | 35 Ом при 140 мА, 0 В | Режим истощения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛИА100 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $608,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 5мА | 5мА | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-lia100p-datasheets-6423.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 18В | 5В | 16 | 2 | 3мВ | 0,3 В/мкс | 2 | 16-ДИП | 3,75 кВ | Изоляция | 40 кГц | ±5 В~18 В | 3мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КПК2017Н | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КПК, ОптоМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc2017n-datasheets-1215.pdf | 8-SOP (ширина 0,150, 3,81 мм) | 50 мА | Без свинца | 8 недель | 16Ом | Нет | 8-СОИК | 400В | 120 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 форма А) х 2 | 1,2 В постоянного тока | ДПСТ | Реле | 0 В~60 В | 120 мА | 1,5 кВ | 16 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2601 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПС | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | ПК-контакт | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ixys-ps2601-datasheets-9064.pdf | 8-SIP, 4 отведения | 19,2 мм | 100 мА | 3,3 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | 4 | Нет | 1,6 Вт | 1 | 4-SIP | 1А | 260В | 600В | 1А | 5мА | ПК-контакт | переменный ток, нулевой крест | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,2 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~600В | 1А | 3,75 кВ | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDA215S | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $3,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Оптическая связь | 5мА | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda215s-datasheets-8808.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 недель | ЕН, МЭК, ТУВ | 8 | Нет | 500мВт | 2 | 500мВт | 2 | 2 | 8-СМД | 100 мА | 1,4 В | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,2 В | 100 мА | 5 мс, 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC5001G | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Логика | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 2,26799 г | 8 | 800мВт | 2,7 В~5,5 В | 2 | 5 МБд | Открытый слив | 100 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 250 нс, 100 нс | 5кВ/мкс, 7кВ/мкс | 1/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА111 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 1,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 недель | 6 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 70 мкА | 1,4 В | Дарлингтон с базой | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1В | 1В | 1,2 В | 1 мА | 1,4 В | 30 В | 300% при 1 мА | 30000% при 1 мА | 8 мкс, 345 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА200 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 6 | Нет | 150 мВт | 2 | 150 мВт | 2 | 8-ДИП | 30 В | 300мВ | 100 мА | 1,4 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 30 В | 500мВ | 30 В | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LOC111S | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 2,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,65 мм | 3,3 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | 8 | Нет | 500мВт | 1 | 500мВт | 1 | 1 | 8-СМД | 100 мА | 1,4 В | Фотоэлектрический, линеаризованный | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,2 В | 5В | 3 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LDA202STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $4,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 2 | 150 мВт | 2 | 8-СМД | 50В | 1 мА | 1,4 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА203С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 2 | 8-СМД | 85В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXI859S1T/Р | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-ixi858s1tr-datasheets-7945.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 16 недель | 449,991981мг | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | Преобразователь, автономные приложения на базе микроконтроллера | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 13В | IXI859 | 8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 8,2 В~17 В | 1 | НЕТ | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3714CTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc3714ctr-datasheets-7252.pdf | ТО-243АА | 130,492855мг | 4 | 1 | СОТ-89 | 350В | N-канал | 100пФ при 25В | 14 Ом при 240 мА, 0 В | Режим истощения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛИА101П | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 5мА | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-lia101-datasheets-6427.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 16 | 16 | EAR99 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 16 | 40 | 3мВ | +-15 В | 0,3 В/мкс | 2 | Не квалифицирован | 40 МГц | 3,75 кВ | Изоляция | 40 кГц | 18В | -15В | -18В | ±5 В~18 В | 3750В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC2030NTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 2,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КПК, ОптоМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc2030ntr-datasheets-3897.pdf | 8-SOP (ширина 0,150, 3,81 мм) | 6 недель | 30Ом | 600мВт | 8-СОИК | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 форма А) х 2 | 1,2 В постоянного тока | ДПСТ | Реле | 0В~350В | 120 мА | 30 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЛКА110 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8-ДИП | ПК-контакт | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,2 В постоянного тока | 0В~350В | 120 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX3180G | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ix3180g-datasheets-9157.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | УР | 1 | 8-ДИП | 2,5 А | 1,35 В | 200 нс | 2А | 2А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 2А 2А | 25 нс 25 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 10 кВ/мкс | 65нс | 10 В~20 В | 2,5 А | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC5002G | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc5002g-datasheets-9142.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 недель | 2,7 В~5,5 В | 2 | 8-ДИП | 10 МБд | 1,3 В | Открытый слив | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | - 15нс | 20 мА | 120 нс, 120 нс | 5кВ/мкс, 7кВ/мкс | 10 мА | 2/0 | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC1302G | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 2 | 150 мВт | 2 | 8-ДИП | 350В | 50 мА | 1,2 В | Дарлингтон | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,2 В | 1,2 В | 1,2 В | 40 мкс 5 мкс | 1 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 8000% при 1 мА | 5 мкс, 60 мкс | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LDA110STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 3,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 6 | 1 | 1 | 6-СМД | 30 В | Дарлингтон с базой | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 300% при 1 мА | 30000% при 1 мА | 8 мкс, 345 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LDA111STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $3,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 6 | 1 | 150 мВт | 1 | 1 | 6-СМД | 30 В | 1 мА | 1,4 В | Дарлингтон с базой | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1В | 1В | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 300% при 1 мА | 30000% при 1 мА | 8 мкс, 345 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LDA203STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 2 | 8-СМД | 85В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА212С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 2 | 150 мВт | 2 | 8-СМД | 30 В | 1 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 300% при 1 мА | 30000% при 1 мА | 8 мкс, 345 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXI858S1 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~125°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-ixi858s1tr-datasheets-7945.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 449,991981мг | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | Преобразователь, автономные приложения на базе микроконтроллера | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 13В | IXI858 | 8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1А | 8,2 В~17 В | 1 | НЕТ | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC3703C | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~125°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3703c-datasheets-4235.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 130,492855мг | 4 | 1 | 1,1 Вт | 1 | СОТ-89-3 | 350пФ | 360 мА | 20 В | 250В | 1,6 Вт Та | 4Ом | N-канал | 350пФ при 25В | 4 Ом при 200 мА, 0 В | 360 мА Та | Режим истощения | 4 Ом | 0 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛИА100ПТР | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИПОЛЯРНЫЙ | 5мА | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-lia100p-datasheets-6423.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 16 | 16 | EAR99 | неизвестный | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 16 | 40 | 11 Вт | 1 | 3мВ | 0,3 В/мкс | 2 | Не квалифицирован | 40 МГц | 20 мА | 1,4 В | 3,75 кВ | Изоляция | 40 кГц | -15В | 5В | ±5 В~18 В | 3747,66В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC1916Y | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КПК, ОптоМОС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | ПК-контакт | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc1916y-datasheets-4260.pdf | 8-SIP, 4 отведения | 21,1 мм | 50 мА | 10,2 мм | 3 мм | Без свинца | 8 недель | 340мОм | 4 | Нет | 150 мВт | 4-SIP | 2,5 А | 100В | 100В | 2,5 А | ПК-контакт | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,2 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0 В~100 В | 2,5 А | 2,5 кВ | 50 мА | 340 мОм |
