Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Максимальное время цикла записи (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W947D6HBHX5I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w947d6hbhx5i-datasheets-6385.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25R128JVEIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25r128jvsiq-datasheets-9281.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG8MB-15 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg8mb12i-datasheets-6520.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9425G6KH-5I | Винбонд Электроникс | 1,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9425g6kh5-datasheets-7100.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W987D2HBJX7E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPSDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w987d6hbgx7etr-datasheets-9551.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 90 | 4ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 70 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25M512JVEIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25m512jvciq-datasheets-0833.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 10 недель | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9425G6JB-5I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9425g6jb5tr-datasheets-8892.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25M512JVFIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25m512jvciq-datasheets-0833.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9825G2JB-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6jb6tr-datasheets-8893.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 10 недель | 90 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 150 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JWSSIM | Винбонд Электроникс | 1,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jwssimtr-datasheets-2235.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 недель | совместимый | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9712G6KB-25 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9712g6kb25tr-datasheets-0116.pdf | 84-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVCIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpimtr-datasheets-0693.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W74M64JVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W74M12JVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W956D6HBCX7I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w956d6hbcx7itr-datasheets-7796.pdf | 54-ВФБГА | 7 недель | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 70нс | 133 МГц | ПСРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6NB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6nb11-datasheets-8498.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29C020CP90B | Винбонд Электроникс | 0,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 90 ГГц | АСИНХРОННЫЙ | 3,56 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29c020cp90b-datasheets-7393.pdf | 32-LCC (J-вывод) | 13,97 мм | 11,43 мм | Содержит свинец | 32 | EAR99 | АППАРАТНОЕ И ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ЗАЩИТЫ ДАННЫХ; ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 20 ЛЕТ | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,5 В~5,5 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,05 мА | Не квалифицирован | Р-PQCC-J32 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 90 нс | 5В | ВСПЫШКА | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 мс | 2097152 бит | 0,0001А | 10000 циклов записи/стирания | 10 мс | ДА | ДА | НЕТ | 111 | 8К240К8К | НИЗ/ВЕРХ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40AVSSIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x80avzpig-datasheets-1100.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 100 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 512КХ8 | 8 | 3 мс | 4194304 бит | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BVСНИГ | Винбонд Электроникс | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bvsnig-datasheets-5321.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | 3A991.B.1.B.1 | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8,5 нс | 2,7 В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 3 мс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6JB-3 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6jb3i-datasheets-5367.pdf | 84-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 84 | 2 ГБ | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 667 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | 155 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 84 | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 0,012А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32DWSSIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32dwsfig-datasheets-5426.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 1,8 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | EAR99 | ВЕРХНИЙ/НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Нет | 1 | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 1,95 В | 1,7 В | 0,04 мА | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 7,5 нс | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 256КХ16 | 16 | 3 мс | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVEIG | Винбонд Электроникс | $8,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 | 8 | SPI, серийный | 128 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 20 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 3В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 1 | 50 мкс, 3 мс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N01GVSIAA | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29n01gvsiaa-datasheets-3182.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 3,3 В | 48 | 14 недель | 48 | Параллельный, последовательный | 1 ГБ | неизвестный | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 28б | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX8 | 8 | 25нс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVSSIF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 32MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 33554432 бит | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVZPIQ | Винбонд Электроникс | $3,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W97BH2KBQX2E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w97bh2kbvx2e-datasheets-3586.pdf | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 20 недель | 168 | да | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,5 мм | 1,3 В | 1,14 В | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256SH9C | Винбонд Электроникс | 1,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256sh9t-datasheets-3542.pdf | 56-ТФБГА | 9 мм | 7 мм | 56 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б56 | 256Мб 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 0,0001А | 90 нс | ДА | ДА | ДА | 256 | 64К | ДА | ДА | 16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8KB-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8kb15-datasheets-3704.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 78 | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,34 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | 0,019А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVTIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG8KB-11 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg8kb12tr-datasheets-3791.pdf | 78-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно |
