Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИнсигнис Технолоджи Корпорейшн(64)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Напряжение питания | Размер памяти | Тип памяти | Время доступа | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НДЛ46ПФП-9МИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| НДС36ПТ5-16ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||
| NSEC53K004-ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 153-ВФБГА | 4 недели | 3,3 В | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||
| NDD56PT6-2AIT | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||
| NSEC00K004-ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 100-ЛБГА | 4 недели | 3,3 В | 32 ГБ 4G х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||
| НДТ16PFJ-9МЕТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ВФБГА | 4 недели | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| NSEC53K016-ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 153-ВФБГА | 4 недели | 3,3 В | 16 ГБ 2 ГБ х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||
| NDT16PFJ-8KIT | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ВФБГА | 7 недель | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| NSEC00K016-ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 100-ЛБГА | 4 недели | 3,3 В | 128Гб 16Гб х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||
| НДЛ16ПФЖ-8КЕТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| NSEC00K008-ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 100-ЛБГА | 4 недели | 3,3 В | 64 ГБ 8 ГБ х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||
| NDL16PFJ-8KIT | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| НДС76ПТ5-16ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||
| НДЛ26ПФГ-8КИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| НДС36ПТ5-16ЭТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||
| НДЛ26ПФГ-9МИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| NDD36PT6-2AIT | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||
| NSEC53K008-ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 153-ВФБГА | 4 недели | 3,3 В | 8Гб 1Г х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | |||||||
| НДТ18ПФХ-9МЕТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| НДС66ПТ5-16ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||
| NDS73PT9-16ET | Инсигнис Технолоджик Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 3В~3,6В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||
| НДС76ПТ5-20ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||
| NDB16PFC-5EET | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||
| NDS66PT5-16ET | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||
| NDB16PFC-4DIT | Инсигнис Технолоджик Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 6 недель | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 450пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| НДС96ПТ4-16ИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||
| НДТ18ПФХ-8КИТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| NSEC00K008-AT | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | Соответствует ROHS3 | 100-ЛБГА | 3,3 В | 64 ГБ 8 ГБ х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | eMMC | ||||||||
| НДЛ28ПФХ-9МЕТ | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||
| NDS63PT9-16IT | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно |
