Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Самообновление | Режим доступа | ФАПЧ | Производитель | Тип модуля |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT18JSF51272AZ-1G6K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 3 недели | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1,6 ГГц | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,5 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
МТ18КСФ1Г72АЗ-1Г6П1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18ksf51272az1g6k3-datasheets-1214.pdf | 240-УДИММ | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 5 недель | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,235 В | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
МТА18АСФ4Г72ХЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta18asf4g72hz3g2b1-datasheets-0475.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
МТА18АСФ2Г72ПДЗ-3Г2Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | R-XDMA-N288 | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 3,2 ГТ/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTA18ASF2G72PF1Z-2G9WP1AB | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-NVDIMM | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2,933 ГТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
МТ18ВДФ12872Г-335Д3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 167 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vddf6472g40bg3-datasheets-4521.pdf | 184-РДИММ | 28,6 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 184 | 2,7 В | 2,3 В | 184 | не_совместимо | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | DRAM | 7,29 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 мкс | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | 0,09А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT16VDDT12864AY-40BD3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-УДИММ | Без свинца | 184 | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18VDVF12872DY-335F4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf | 184-РДИММ | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
МТ18ВДДТ12872АГ-335Ф1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ag40bf1-datasheets-4406.pdf | 184-УДИММ | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTEDFAE004SCA-1P2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 500 евро | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | Модуль | 5 недель | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTEDFAE004SCA-1P2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 500 евро | Соответствует ROHS3 | 2017 год | Модуль | 5 недель | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTEDFAE008SCA-1P2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 500 евро | Соответствует ROHS3 | 2017 год | Модуль | 5 недель | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18JSF25672AY-1G1D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt18jsf25672ay1g1d1-datasheets-5302.pdf | 240 | DDR3 SDRAM | 256Мх72 | 8К | Да | Нет | 240UDIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT4LSDT1664AG-133G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | не соответствует RoHS | /files/microntechnology-mt4lsdt1664ag133g1-datasheets-0186.pdf | 168 | SDRAM | 16Мх64 | 8К | Да | Нет | 168UDIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8JSF12864HZ-1G4F1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt8jsf12864hz1g4f1-datasheets-2871.pdf | 204 | DDR3 SDRAM | 128Мx64 | 8К | Да | Нет | 204SODIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8VDDT6464HIY-335F3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt8vddt6464hiy335f3-datasheets-9039.pdf | 200 | ГДР SDRAM | 64Мx64 | 200СОДИММ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT18JSF51272AZ-1G4M1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | /files/microntechnology-mt18jsf51272az1g4m1-datasheets-9815.pdf | 240 | DDR3 SDRAM | 512Mx72 | 8К | Да | Нет | 240UDIMM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CT8G4RFD8266 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microntechnology-ct8g4rfd8266-datasheets-9318.pdf | 288 | DDR4 SDRAM | 1Gx72 | Нет | РДИММ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | DDR4 SDRAM | 260-SODIMM | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | Микрон Технология Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTA16ATF4G64HZ-3G2F1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | DDR4 SDRAM | 260-SODIMM | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | Микрон Технология Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTSD128AKC7MS-1WTCS | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 6 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SMC512AFB6E | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/micron-smc512afb6e-datasheets-1777.pdf | 4ГБ | Нет | 512 МБ | КомпактФлэш® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTSD064AHC6MS-1WT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | 64 ГБ | microSD™ | Класс 10, Класс UHS 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
МТ4ВДТ1664АГ-40БФ3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt1664ag40bf3-datasheets-4236.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8VDDT6464HDY-40BF2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hdy40bf2-datasheets-4265.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,6 В | Без свинца | 200 | 2,7 В | 2,5 В | 200 | 400 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 1,94 мА | Не квалифицирован | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 900 нс | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04 А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT8VDDT6464HDY-335F2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 167 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hdy40bf2-datasheets-4265.pdf | 200-SODIMM | 67,6 мм | 31,8 мм | 2,5 В | Без свинца | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,61 мм | 200 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 8 | DRAM | 1,64 мА | 512 МБ | ГДР SDRAM | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 900 нс | 8 | 0,04 А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDDT6472HY-335F2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-SODIMM | 67,6 мм | 31,8 мм | 31,75 мм | 2,5 В | Без свинца | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 333 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ЗИГ-ЗАГ | 260 | 2,5 В | 0,6 мм | 200 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 9 | Другие микросхемы памяти | 3,645 мА | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 166 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||
МТ5ВДДТ3272АГ-335Ф1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272ag40bf1-datasheets-4288.pdf | 184-УДИММ | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT9VDDF3272Y-40BG3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddf3272y40bg3-datasheets-4409.pdf | 184-РДИММ | 28,6 мм | Без свинца | 184 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.