Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Текущий - Поставка | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Время выполнения заказа на заводе | Тип разъема | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Подкатегория | Скорость передачи данных | Тип оптоэлектронного устройства | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Встроенная функция | Длина волны | Тип волокна | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Стандарт связи | Возвратные потери-мин. | Тип излучателя/детектора | Выходная оптическая мощность-ном. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AFBR-821RH1Z | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МиниПОД™ | 1 (без ограничений) | 425 мА | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr821fn1z-datasheets-9085.pdf | 10 недель | неизвестный | Общего назначения | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 10,3125 ГБбод | ПЕРЕДАТЧИК | ||||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-820БПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr820bez-datasheets-9291.pdf | 8 недель | EAR99 | совместимый | 8517.62.00.50 | Общего назначения | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 10 Гбит/с | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | |||||||||||||||||||||||||||||||
AFCT-5961ATLZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5961atlz-datasheets-3038.pdf | 16 недель | ЖК Дуплекс | Общего назначения | 3,1 В~3,5 В | 155 Мбит/с | 1300 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||
AFCT-5179BZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5179az-datasheets-3217.pdf | 8 недель | СК | 5А991.Б.5.А | МАССИВ 1 х 9 | 8517.62.00.50 | Ethernet | НЕТ | 3,1 В~5,25 В | 3,3 В | 70°С | 125 МБд | 9,8 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | 1300 нм | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | ||||||||||||||||||
AFCT-5701LZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5705lz-datasheets-3692.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 1,25 Гб/с | 8,5 мм | 42,3 мм | 13,8 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1310 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1313 нм | 12 дБ | 0,237 мВт | |||||||||||||||||||
AFCT-5815CZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5815bz-datasheets-3717.pdf | 8 недель | СК | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,3 В 5 В | 4,2 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 9,8 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | 1311 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | PIN-ФОТОДИОД | 0,5623 мВт | |||||||||||||||||
АФБР-57Ф5МЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr57f5mz-datasheets-3772.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | неизвестный | Ссылки на оптоволоконные каналы | 3,3 В | 4,25 ~ 14,025 Гбит/с | 850 нм | ТРАНСИВЕР | ||||||||||||||||||||||||||||||
AFCT-5962ATGZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5962tlz-datasheets-3799.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 9,8 мм | 49 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | 9/125, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | 14 дБ | ЛАЗЕР, МОНИТОР, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||
AFCT-5964NGZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5964tlz-datasheets-3824.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 70°С | -5°С | 115 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 9,8 мм | 49 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | 9/125, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | 14 дБ | ЛАЗЕР, МОНИТОР, PIN-ФОТОДИОД | 0,562 мВт | |||||||||||||||
АФЦТ-5760НПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5760nlz-datasheets-3860.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | MSA-SFF-8074I, MSA-SFF-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -10°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 12,2 мм | 55,2 мм | 13,8 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1310 нм | Банкомат, GR-253, GR-468, GR-1089, ITU-T-G957, OC-3, OC-12, SDH, SONET, STM-1 | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 1мВт | |||||||||||
СФБР-709СМЗ-ДЦ1 | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-720XPDZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr720xpdz-datasheets-9111.pdf | XFP | 5А991.Б.1 | 8517.62.00.50 | сеть | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 70°С | 10 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 62,1 мм | 18,35 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,384 мВт | ||||||||||||||||||
АФЦТ-57Ф5АТМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct57f5atmz-datasheets-5606.pdf | ЖК Дуплекс | неизвестный | Ссылки на оптоволоконные каналы | 3,135 В~3,465 В | 9,138 Гбит/с | 1310 нм | ТРАНСИВЕР | ||||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-79ЕАДЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сменный, QSFP+ | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr79eepz-datasheets-3131.pdf | 8 недель | МТР® (МПО) | 3,3 В | 40Гбэ | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
АФЦТ-57Ф3АТМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-812РН1З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МиниПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr822rn1z-datasheets-9074.pdf | 8 недель | Универсальная ссылка | неизвестный | 70°С | 3,3 В | Волоконно-оптические излучатели | 850 нм | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-77Д2СЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr78d2sz-datasheets-9090.pdf | 8 недель | неизвестный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-78Д1СЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МикроПОД™ | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr78d1sz-datasheets-9048.pdf | 8 недель | неизвестный | Общего назначения | ДА | 70°С | Оптоволоконные приемники | 10 Гбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ПРИЕМНИК | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-824ФН1З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МикроПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr824fh1z-datasheets-9076.pdf | 10 недель | неизвестный | Общего назначения | 2,5 В 3,3 В | 70°С | Оптоволоконные приемники | 10 Гбит/с | ПРИЕМНИК | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-820БЭЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr820bez-datasheets-9291.pdf | 8 недель | EAR99 | совместимый | 8517.62.00.50 | Общего назначения | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 10 Гбит/с | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | |||||||||||||||||||||||||||||||
HFBR-5911ALZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-hfbr5911alz-datasheets-3043.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | НЕТ | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 1,25 Гб/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 9,8 мм | 48,19 мм | 11,84 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,281 мВт | |||||||||||||||
АФБР-5715АПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5715alz-datasheets-2962.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 12,1 мм | 42,3 мм | 16,25 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГР-468 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД | 0,223 мВт | |||||||||||||
АФБР-5701АЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5701lz-datasheets-2976.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | 3,3 В | 1,25 Гбит/с | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
АФЦТ-5710АПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5715alz-datasheets-3005.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | НЕТ | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гб/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 12,1 мм | 42,3 мм | 16,25 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1310 нм | 50, 62,5, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1313 нм | ГБЭ, ГР-468 | 12 дБ | ЛАЗЕР | 0,237 мВт | |||||||||||||
АФЦТ-5760ТПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5765lz-datasheets-3741.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | ||||||||||||
AFCT-5961ATGZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5961atlz-datasheets-3038.pdf | 16 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | МАССИВ 2 X 5 | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 10,2 мм | 49 мм | 15,2 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | 9/125, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | АТМ, GR-253, ITU-TG.957, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | 14 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||
ХФБР-53А5ВФМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-hfbr53a5vemz-datasheets-3244.pdf | 8 недель | СК | EAR99 | МАССИВ 1 X 9, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ОТ 770 ДО 860 НМ, ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДЛЯ ТИПА ВОЛОКОН 50/125 СОСТАВЛЯЕТ 13,5 ДБМ. | 8517.62.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | Ethernet | НЕТ | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 70°С | 1,25 Гб/с | 9,8 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | 850 нм | ГБЭ | 12 дБ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,211 мВт | |||||||||||||||
АФЦТ-739СМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct739smz-datasheets-3868.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | 3,3 В | 10 ГБбод | 1310 нм | ТРАНСИВЕР | |||||||||||||||||||||||||||||||
АФБР-54Д7АПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr54d7apz-datasheets-3904.pdf | ЖК Дуплекс | ТАКЖЕ ЕСТЬ СТАНДАРТЫ MIL-STD-883C, IEEE, TUV, UL. | Ethernet, оптоволоконный канал | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 1,0625 ~ 8,5 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,55 мм | 47,5 мм | 11,5 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГР-1089 | 12 дБ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | ||||||||||||||||||||
АФБР-53Д3ЭЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr53d3ez-datasheets-9147.pdf | СК | 5А991.Б.4.А | совместимый | 8517.62.00.50 | Ethernet | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5В | 70°С | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 10,2 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | 850 нм | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,199 мВт |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.