| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Время выполнения заказа на заводе | Тип разъема | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Подкатегория | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Встроенная функция | Длина волны | Длина волны – пик | Тип волокна | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Стандарт связи | Возвратные потери-мин. | Тип излучателя/детектора | Тип приема | Рабочая длина волны-Макс. | Рабочая длина волны-мин. | Выходная оптическая мощность-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АФБР-822ФН1З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МикроПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr822rn1z-datasheets-9074.pdf | 8 недель | неизвестный | Общего назначения | 2,5 В 3,3 В | 70°С | Оптоволоконные приемники | 12,5 Гбит/с | ПРИЕМНИК | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-786БЕЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И СПРАВОЧНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | совместимый | Общего назначения | НЕТ | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||||
| АФБР-59Р5ЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconn-afbr59r5lz-datasheets-1945.pdf | 8 недель | ЛК | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 70°С | 4,25 ГБд | 9,65 мм | 48,1 мм | 13,59 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 845 нм | ГБЭ | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,125 мВт | |||||||||||||||||
| АБКУ-5730RZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-abcu5730arz-datasheets-3055.pdf | 8 недель | RJ45 | Ethernet | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гб/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 47,5 мм | 13,4 мм | ТРАНСИВЕР | ГБЭ | ||||||||||||||||||||||||
| АФБР-5922АЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5922alz-datasheets-3670.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Оптический | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,0625 Гб/д, 2,125 Гб/д | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ, КРЕПЛЕНИЕ В ОТВЕРСТИЕ | 9,65 мм | 13,59 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | 12 дБ | ВКСЭЛ ЛАЗЕР | 0,316 мВт | ||||||||||||||||||||
| AFCT-5805BZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5805az-datasheets-3107.pdf | 8 недель | СК | 5А991.Б.5.А | МАССИВ 2 X 9 | 8517.62.00.50 | НЕТ | 3,3 В 5 В | 3,3 В | 70°С | 155 Мбит/с | 9,8 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1, TELCORDIA | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||||||
| АФБР-57ДЖ9АМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr57j9amz-datasheets-3745.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | ТАКЖЕ ЕСТЬ СТАНДАРТЫ MIL-STD-883C, IEEE, TUV, UL. | е4 | Золото (Ау) | Беспроводная связь | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,288 ~ 7,3728 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ, КРЕПЛЕНИЕ В ОТВЕРСТИЕ | 8,55 мм | 47,5 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | 12 дБ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | ||||||||||||||||
| АФЦТ-5760АТПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5765lz-datasheets-3741.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||
| AFCT-5715PZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5715alz-datasheets-3005.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | НЕТ | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 85°С | -10°С | 1,25 Гб/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 12,1 мм | 42,3 мм | 16,25 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1310 нм | 50, 62,5, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1313 нм | ГБЭ, ГР-468 | 12 дБ | ЛАЗЕР | 0,237 мВт | |||||||||||||
| AFCT-5760NLZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5760nlz-datasheets-3860.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | MSA-SFF-8074I, MSA-SFF-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -10°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 12,2 мм | 55,2 мм | 13,8 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1310 нм | Банкомат, GR-253, GR-468, GR-1089, ITU-T-G957, OC-3, OC-12, SDH, SONET, STM-1 | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 1мВт | ||||||||||||
| АФЦТ-739ДМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct739dmz-datasheets-3891.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | 3,3 В | 10 ГБбод | 1310 нм | ТРАНСИВЕР | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФЦТ-5805АЭМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5805az-datasheets-3107.pdf | СК | Системы передачи данных общего назначения | НЕТ | 3,1 В~5,25 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | 9,8 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1, TELCORDIA | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | ||||||||||||||||||||||
| АФБР-53Д3З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr53d3ez-datasheets-9147.pdf | СК | 5А991.Б.4.А | совместимый | 8517.62.00.50 | Ethernet | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5В | 70°С | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 10,2 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | 850 нм | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,199 мВт | ||||||||||||||||||||
| АФБР-710ИСМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-703СНЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 70°С | 10 ГБбод | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,55 мм | 47,5 мм | 11,5 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГБЭ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | ||||||||||||||||||||||
| АФБР-83ЦДЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, CXP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr83cdz-datasheets-6913.pdf | 8 недель | МТР® (МПО) | Телекоммуникационные/информационные системы | 3,3 В | 12,5 ГБ | 850 нм | ТРАНСИВЕР | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-77Д4СЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr78d4sz-datasheets-9084.pdf | 8 недель | неизвестный | ДА | 70°С | Волоконно-оптические излучатели | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-776БХЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ПЕРЕДАТЧИК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFBR-821RH3Z | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МикроПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr821fn1z-datasheets-9085.pdf | 10 недель | неизвестный | Общего назначения | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 10,3125 ГБбод | ПРИЕМНИК | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-786БПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И СПРАВОЧНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | Общего назначения | НЕТ | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | |||||||||||||||||||||||
| АФБР-5921АЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5921alz-datasheets-3022.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 2,125 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 9,65 мм | 48,1 мм | 13,59 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГБЭ | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД | 1мВт | ||||||||||||||||
| AFCT-5179AZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5179az-datasheets-3217.pdf | 8 недель | СК | 5А991.Б.5.А | МАССИВ 1 х 9 | 8517.62.00.50 | Ethernet | НЕТ | 3,3 В 5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 125 МБд | 9,8 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1,36 мкм | СМФ | 1300 нм | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 1360 нм | 1260 нм | 0,07 мВт | |||||||||||||||
| АФБР-5701ПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5701lz-datasheets-2976.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -10°С | 1,25 Гбит/с | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГР-468 | -12 дБ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,223 мВт | ||||||||||||||||
| АФЦТ-5705АПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5705lz-datasheets-3692.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гб/с | 8,5 мм | 42,3 мм | 13,8 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1310 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1313 нм | 12 дБ | 0,237 мВт | ||||||||||||||||||
| АФБР-59Р5АЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr59r5alz-datasheets-3746.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 4,25 Гбит/с | 9,65 мм | 48,1 мм | 13,59 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГБЭ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,125 мВт | ||||||||||||||||||
| АФКТ-5760АЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5765lz-datasheets-3741.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||
| AFCT-5964TLZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5964tlz-datasheets-3824.pdf | 16 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 70°С | 115 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 9,8 мм | 49 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | 9/125, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | 14 дБ | ЛАЗЕР, МОНИТОР, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||||
| AFCT-5765NLZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5760nlz-datasheets-3860.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | MSA-SFF-8074I, MSA-SFF-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -10°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 12,2 мм | 55,2 мм | 13,8 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1310 нм | Банкомат, GR-253, GR-468, GR-1089, ITU-T-G957, OC-3, OC-12, SDH, SONET, STM-1 | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 1мВт | ||||||||||||
| АФЦТ-739ИСМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct739ismz-datasheets-3894.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | 3,3 В | 10 ГБбод | 1310 нм | ТРАНСИВЕР | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФКТ-5750ПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5755pz-datasheets-3897.pdf | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -10°С | 622 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.