Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактFoxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО(574)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Текущий - Поставка | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Время выполнения заказа на заводе | Тип разъема | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Подкатегория | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Время подъема | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Встроенная функция | Длина волны | Пиковая длина волны | Спектральная полоса пропускания | Тип трансмиссии | Тип волокна | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Стандарт связи | Возвратные потери-мин. | Тип подключения | Тип излучателя/детектора | Тип приема | Рабочая длина волны-Макс. | Рабочая длина волны-мин. | Выходная оптическая мощность-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АФЦТ-88ЭЕДЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФКТ-5750ТЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5755pz-datasheets-3897.pdf | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 622 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||||||||
| АФБР-89ЦДДЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сменный, QSFP28 | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr89cddz-datasheets-6746.pdf | 8 недель | МТР® (МПО) | Телекоммуникационные/информационные системы | 3,3 В | 100 Гбит/с | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-811ФН1З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МиниПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr821fn1z-datasheets-9085.pdf | 10 недель | Универсальная ссылка | неизвестный | 850 нм | 0,35 нм | ПЕРЕДАТЧИК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-776БЭПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | совместимый | ПЕРЕДАТЧИК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-824ФХ1З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МикроПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr824fh1z-datasheets-9076.pdf | 10 недель | неизвестный | Общего назначения | 2,5 В 3,3 В | 70°С | Оптоволоконные приемники | 10 Гбит/с | ПРИЕМНИК | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-785БПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 670 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr785bpz-datasheets-9276.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И СПРАВОЧНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | Общего назначения | НЕТ | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 2,5 В | 5 ГБбод | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | |||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-79Ф4З-Д | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сменный, QSFP+ | 1 (без ограничений) | 2013 год | 14 Гбит/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АБКУ-5730АРЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-abcu5730arz-datasheets-3055.pdf | 8 недель | RJ45 | Интерфейс переключателя | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 1,25 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 47,5 мм | 13,4 мм | ТРАНСИВЕР | ГБЭ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-708СМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr708smz-datasheets-3514.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | НЕТ | 3,14 В~3,46 В | 3,3 В | 70°С | 10,3125 ГБбод | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,55 мм | 47,5 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГБЭ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,371 мВт | ||||||||||||||||||||||||||
| AFCT-5705ALZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5705lz-datasheets-3692.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | 3,14 В~3,47 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гб/с | 8,5 мм | 42,3 мм | 13,8 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1310 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1313 нм | 12 дБ | 0,237 мВт | |||||||||||||||||||||||||
| АБКУ-5731АРЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-abcu5730arz-datasheets-3055.pdf | 8 недель | RJ45 | Интерфейс переключателя | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 47,5 мм | 13,4 мм | ТРАНСИВЕР | ГБЭ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АБКУ-5730ГЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-abcu5730arz-datasheets-3055.pdf | 8 недель | RJ45 | Ethernet | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 1,25 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 47,5 мм | 13,4 мм | ТРАНСИВЕР | ГБЭ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFCT-5962ATLZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5962tlz-datasheets-3799.pdf | 16 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 155 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 9,8 мм | 49 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | 9/125, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | 14 дБ | ЛАЗЕР, МОНИТОР, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||||||||||
| AFCT-5964TGZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5964tlz-datasheets-3824.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 70°С | 115 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 9,8 мм | 49 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | 9/125, ММФ, СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | АТМ, OC-3, SDH, SONET, STM-1 | 14 дБ | ЛАЗЕР, МОНИТОР, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | ||||||||||||||||||||||||
| AFCT-5971ALZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5971lz-datasheets-3858.pdf | 16 недель | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | МАССИВ 2X5 | 8517.62.00.50 | Ethernet | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 125 МБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 10,2 мм | 49 мм | 15,2 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,158 мВт | |||||||||||||||||||||||
| АФЦТ-5755АПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5755pz-datasheets-3897.pdf | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 622 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||||||||
| АФБР-53Д5З | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr53d5ez-datasheets-9149.pdf | СК | 5А991.Б.1 | МАССИВ 1X9 | 8517.62.00.50 | Ethernet | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5В | 70°С | 9,81 мм | 39,6 мм | 25,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, 62,5/125, ММФ, СМФ | 850 нм | ГБЭ | 12 дБ | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,398 мВт | ||||||||||||||||||||||||||
| СФБР-820БЕХЗ-CF1 | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФЦТ-5750ТПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МЕТРАК | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afct5755pz-datasheets-3897.pdf | ЖК Дуплекс | 5А991.Б.5.А | СФФ-8074И, СФФ-8472 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Общего назначения | НЕТ | 3,1 В~3,5 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 622 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 1300 нм | СМФ | ТРАНСИВЕР | 1300 нм | ГР-253, МСЭ-ТГ.957, ОС-12, СТМ-4 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД, PIN-ФОТОДИОД | 0,07 мВт | |||||||||||||||||||||
| АФБР-79ЭБМЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сменный, QSFP+ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | 3,1 В~3,47 В | 40 Гбит/с | 900 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFBR-811RH3Z | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr821fn1z-datasheets-9085.pdf | 10 недель | неизвестный | ПЕРЕДАТЧИК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-775БХЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr785bpz-datasheets-9276.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ. | совместимый | НЕТ | 2,5 В | 2,625 В | 2,375 В | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | ТИК | ЦИФРОВОЙ | ММФ | ПЕРЕДАТЧИК | 850 нм | ГБЭ | РАЗЪЕМ МТР | ЛАЗЕР | 860 нм | 830 нм | |||||||||||||||||||||||||||||
| AFBR-822RH1Z | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МикроПОД™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr822rn1z-datasheets-9074.pdf | 10 недель | неизвестный | Общего назначения | 2,5 В 3,3 В | 70°С | Оптоволоконные приемники | 12,5 Гбит/с | ПРИЕМНИК | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-785БЕЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 670 мА | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr785bpz-datasheets-9276.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И СПРАВОЧНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | совместимый | Общего назначения | НЕТ | 2,375 В~2,625 В 3,135 В~3,465 В | 2,5 В | 5 ГБбод | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||||||||||
| AFBR-8420Z | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr8420z-datasheets-2834.pdf | МТР® (МПО) | Ethernet | 3,3 В | 10,3125 Гбит/с | 850 нм | ТРАНСИВЕР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFBR-5911LZ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-hfbr5911alz-datasheets-3043.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | Ethernet | 3,3 В | 1,25 Гб/с | 260пс | 850 нм | 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-5710АЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5715alz-datasheets-2962.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 12,1 мм | 42,3 мм | 16,25 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГР-468 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД | 0,223 мВт | |||||||||||||||||||||
| АФБР-5715ЛЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5715alz-datasheets-2962.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | НЕТ | 3,3 В | 3,3 В | 1,25 Гбит/с | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | 12,1 мм | 42,3 мм | 16,25 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГР-468 | ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД | 0,223 мВт | ||||||||||||||||||||||||
| АФБР-5701АПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Подключаемый, SFP | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr5701lz-datasheets-2976.pdf | 8 недель | ЖК Дуплекс | EAR99 | 8517.62.00.50 | е4 | Золото (Ау) | Ethernet | 3,3 В | 3,3 В | 85°С | -40°С | 1,25 Гбит/с | 8,5 мм | 55,2 мм | 13,4 мм | УСИЛИТЕЛЬ | 850 нм | 50/125, ММФ | ТРАНСИВЕР | 850 нм | ГР-468 | -12 дБ | ЛАЗЕР, PIN-ФОТОДИОД | 0,223 мВт |
