Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИС-РФ(112)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Максимальный выходной ток | Тип микросхемы интерфейса | Время подъема | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Приложение | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Скорость | Мощность — Выход | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Текущий рейтинг (А) | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время подъема/спада (типичное) | Тип канала | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Снижение сопротивления до источника | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – VIL, VIH | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Поставляемый контент | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДВРФД630-150/275 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Драйвер МОП-транзистора | 1 (без ограничений) | 2013 год | 10 недель | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXЖ10Н50Л2Б | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixzh10n50l2a-datasheets-9029.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 17 дБ | ТО-247 (IXFH) | 200 Вт | 10А | N-канал | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ316N60 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 600В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ixysrf-ixz316n60-datasheets-2447.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | 10 недель | да | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | 23 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 880 Вт | 18А | 18А | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПРФ-1150 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Драйвер МОП-транзистора | 1 (без ограничений) | 13,56 МГц | /files/ixysrf-prf1150-datasheets-3656.pdf | 10 недель | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50A-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixzr18n50a00-datasheets-9109.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | 350 Вт | 19А | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 475-501Н44А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | /files/ixysrf-475501n44a00-datasheets-2448.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | DE475 | 1800 Вт | 48А | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС150ТА60110 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss150ta60110-datasheets-3944.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Выпрямительные диоды | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 60 Вт | 600В | 50 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 10А | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,8 В при 5 А | 10А | -55°К~175°К | 3 Общий анод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120A-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 1200В | 65 МГц | /files/ixysrf-ixzr08n120a00-datasheets-9119.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | ПЛЮС247™-3 | 250 Вт | 8А | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 1200В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/ixysrf-ixzr08n120a00-datasheets-9119.pdf | ТО-247-3 | 3 | 10 недель | да | совместимый | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 23 дБ | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250 Вт | 8А | 8А | N-канал | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD631-NRF | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixysrf-ixrfd631nrf-datasheets-0699.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 1 | 8В~18В | 4нс 4нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС150ТИ60110 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss150ta60110-datasheets-3944.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Другие диоды | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 60 Вт | 600В | 50 мкА | 600В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 10А | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,8 В при 5 А | 10А | -55°К~175°К | 3 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120B-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 1200В | 65 МГц | /files/ixysrf-ixzr08n120a00-datasheets-9119.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | ПЛЮС247™-3 | 250 Вт | 8А | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 475-102Н20А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 1000В | /files/ixysrf-475102n20a00-datasheets-2477.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 10 недель | DE475 | 1800 Вт | 20А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD630 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 45 МГц | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 недель | Неизвестный | 6 | 1 | да | EAR99 | 8В~18В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4нс 4нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС150ТК60110 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss150ta60110-datasheets-3944.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Выпрямительные диоды | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 60 Вт | 600В | 50 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 10А | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,8 В при 5 А | 10А | -55°К~175°К | 3 Общий Катод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR16N60 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 600В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixysrf-ixzr16n60-datasheets-1063.pdf | ТО-247-3 | 3 | 10 недель | да | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 23 дБ | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350 Вт | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 18А | 18А | N-канал | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275-201Н25А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 200В | /files/ixysrf-275201n25a00-datasheets-2484.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 590 Вт | 25А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ631DF18N50 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | 10-SMD, плоский вывод | 10 недель | 1 | да | 8В~18В | 3,4 нс 1,65 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 95А 95А | 500В | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТК12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 Общий Катод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50B-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixzr18n50a00-datasheets-9109.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | ПЛЮС247™-3 | 350 Вт | 19А | N-канал | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 150-102Н02А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 1000В | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-150102n02a00-datasheets-8377.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 10 недель | 200 Вт | 2А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ631DF12N100 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | 2014 год | 10-SMD, плоский вывод | 10 недель | 1 | да | совместимый | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 2,4 нс 1,55 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 72А 72А | 1000В | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТА12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 Общий анод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ308N120 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | 1200В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixysrf-ixz308n120-datasheets-2360.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ДА | 880 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 23 дБ | Не квалифицирован | 5нс | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 2,1 Ом | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-0001 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD615X2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-SMD, плоский вывод | 10 недель | 2 | да | совместимый | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4нс 4нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТИ12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275Х2-501Н16А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | /files/ixysrf-275x2501n16a00-datasheets-2379.pdf | 8-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 1180 Вт | 16А | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXЖ16Н60 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 600В | /files/ixysrf-ixzh16n60-datasheets-5899.pdf | ТО-247-3 | 350 Вт | 1 мА | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD615 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/ixysrf-ixrfd615-datasheets-2981.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 1 | 8В~18В | 4нс 4нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В |
