Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИС-РФ(112)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Частота | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Тип микросхемы интерфейса | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Приложение | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Скорость | Мощность — Выход | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Текущий рейтинг (А) | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время подъема/спада (типичное) | Тип канала | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне высокого напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – VIL, VIH | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Поставляемый контент | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СС275ТК12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 Общий Катод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50B-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixzr18n50a00-datasheets-9109.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | ПЛЮС247™-3 | 350 Вт | 19А | N-канал | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 150-102Н02А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 1000В | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-150102n02a00-datasheets-8377.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 10 недель | 200 Вт | 2А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ631DF12N100 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | 2014 год | 10-SMD, плоский вывод | 10 недель | 1 | да | совместимый | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 2,4 нс 1,55 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 72А 72А | 1000В | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТА12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 Общий анод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ308N120 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | 1200В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixysrf-ixz308n120-datasheets-2360.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ДА | 880 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 23 дБ | Не квалифицирован | 5нс | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 2,1 Ом | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-0001 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD615X2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-SMD, плоский вывод | 10 недель | 2 | да | совместимый | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4нс 4нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТИ12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275Х2-501Н16А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | /files/ixysrf-275x2501n16a00-datasheets-2379.pdf | 8-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 1180 Вт | 16А | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXЖ16Н60 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 600В | /files/ixysrf-ixzh16n60-datasheets-5899.pdf | ТО-247-3 | 350 Вт | 1 мА | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD615 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/ixysrf-ixrfd615-datasheets-2981.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 1 | 8В~18В | 4нс 4нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275-101Н30А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 100В | 2009 год | /files/ixysrf-275101n30a00-datasheets-7804.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 550 Вт | 30А | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-102Н12А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 1000В | 2009 год | /files/ixysrf-375102n12a00-datasheets-2387.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | DE375 | 940 Вт | 12А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK44N50F | ИКСИС-РФ | $55,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerRF™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysrf-ixfk44n50f-datasheets-3051.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 18нс | 8 нс | 53 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 184А | 0,12 Ом | 2500 мДж | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 120 мОм при 22 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 44А Тк | 156 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFDSM607X2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | 16-СМД | 10 недель | 2 | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4нс 4нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275-102Н06А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 1000В | /files/ixysrf-275102n06a00-datasheets-8599.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 18 недель | 590 Вт | 8А | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 150-101Н09А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 100В | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 10 недель | 200 Вт | 9А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFSM12N100 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СМПД | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 16-BESOP (0,790, ширина 20,11 мм), 15 выводов, открытая площадка | 1000В | 940 Вт | N-канал | 2875пФ при 800В | 1,05 Ом при 6 А, 15 В | 5,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 77 нК при 10 В | 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДВРФМ631DF12N100 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Драйвер МОП-транзистора | 3 (168 часов) | 2014 год | 10 недель | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ2210N50L2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixysrf-ixz2210n50l2-datasheets-8662.pdf | 8-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 10 недель | 17 дБ | 270 Вт | 10А | 2 N-канала (двойной) | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275-501Н16А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | /files/ixysrf-275501n16a00-datasheets-2393.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | DE275 | 590 Вт | 16А | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFSM18N50 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СМПД | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 16-BESOP (0,790, ширина 20,11 мм), 15 выводов, открытая площадка | 500В | 835 Вт | N-канал | 2250пФ при 400В | 340 мОм при 9,5 А, 20 В | 6,5 В @ 250 мкА | 19А Тк | 42 нК при 10 В | 20 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДВРФД631-150/275 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Драйвер МОП-транзистора | 1 (без ограничений) | 2013 год | 10 недель | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-501Н21А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 500В | 50 МГц | /files/ixysrf-375501n21a00-datasheets-8700.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 26 недель | 940 Вт | 25А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 150-201Н09А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | DE | Трубка | 1 (без ограничений) | 200В | /files/ixysrf-150201n09a00-datasheets-2404.pdf | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 10 недель | ДЭ150 | 200 Вт | 9А | N-канал |
