Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактHYB25D512800CE-5
2,6 В, 66-контактная микросхема памяти, 22,22 мм мм
- Производитель: Кимонда
- НЕТ: 4327-HYB25D512800CE-5
- Упаковка: 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм)
- Техническая спецификация:
- Запас: 2372
- Описание: 66-контактная микросхема памяти 2,6 В, 22,22 мм (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж ответит на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Минимальное напряжение питания (Vsup) | 2,3 В |
| Размер | 512Мб 64М х 8 |
| Количество портов | 1 |
| Тип | Неустойчивый |
| Режим работы | СИНХРОННЫЙ |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Максимальный ток питания | 0,23 мА |
| Время доступа | 200 мкс |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Организация | 64MX8 |
| Выходные характеристики | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ |
| Ширина памяти | 8 |
| Максимальный ток в режиме ожидания | 0,0046А |
| Плотность памяти | 536870912 бит |
| Тип ввода/вывода | ОБЩИЙ |
| Циклы обновлений | 8192 |
| Последовательная длина пакета | 248 |
| Длина очередного пакета | 248 |
| Высота сидя (макс.) | 1,2 мм |
| Длина | 22,22 мм |
| Ширина | 10,16 мм |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Без свинца | Без свинца |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) |
| Поверхностный монтаж | ДА |
| Количество контактов | 66 |
| Рабочая температура | 0°С~70°С ТА |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Опубликовано | 2007 год |
| Код JESD-609 | е3 |
| Статус детали | Снято с производства |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Количество окончаний | 66 |
| ECCN-код | EAR99 |
| Терминальные отделки | Матовый олово (Sn) |
| Дополнительная функция | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ |
| Код HTS | 8542.32.00.28 |
| Технология | SDRAM-DDR |
| Напряжение питания | 2,3 В~2,7 В |
| Положение терминала | ДВОЙНОЙ |
| Пиковая температура оплавления (Цел) | 260 |
| Количество функций | 1 |
| Напряжение питания | 2,5 В |
| Терминал Питч | 0,65 мм |
| Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | 40 |
| Количество контактов | 66 |
| Статус квалификации | Не квалифицирован |
| Напряжение питания-Макс (Vsup) | 2,7 В |
| Источники питания | 2,6 В |
