Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | разрешение | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Коэффициент конверсии |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CYBL10162-56LQXI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cybl1016156lqxi-datasheets-3898.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | Без свинца | 56 | 15 недель | 56 | I2C, SPI, УАРТ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 30 | -91 дБм | 1 Мбит/с | 16,4 мА~21,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 16 КБ SRAM | 12,5 мА~20 мА | 36 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 3 дБм | Да | 4 | 36 | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 16000 | I2C | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ8002-Р1Q32-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -25°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | -25°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf8002r1q32r-datasheets-2098.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 850 мкм | 5 мм | 3В | 16 недель | 188,609377мг | 2-проводной, UART | 1,9 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -87 дБм | -87дБм | 1 Мбит/с | 14,5 мА | 14,5 мА | 8б | 0 дБм | 2 | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ8002-R1Q32-T | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~70°К | Поднос | 2 (1 год) | 70°С | -25°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf8002r1q32r-datasheets-2098.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 850 мкм | 5 мм | 3В | 16 недель | 3,6 В | 1,9 В | 32 | 2-проводной, UART | 1,9 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -87 дБм | -87дБм | 1 Мбит/с | 14,5 мА | 14,5 мА | 8б | 0 дБм | 2 | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24АП1 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24ap1reel-datasheets-2087.pdf | 24-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 3В | 2,4 ГГц | 5 мм | 22 мА | 16 недель | Нет СВХК | 24 | Нет | 8542.39.00.01 | 1,9 В~3,6 В | -80 дБм | 1 Мбит/с | 22 мА | 13 мА~16 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | УСАРТ | ГФСК | АНТ™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRF24E1G-КАТУШКА | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24e1greel7-datasheets-2108.pdf | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,3 В | 6 мм | 3мА | 16 недель | 3,6 В | 1,9 В | СПИ, УАРТ | Нет | 1,9 В~3,6 В | 36-КФН (6х6) | -90 дБм | -90 дБм | 1 Мбит/с | 18 мА~25 мА | 512Б ПЗУ 4,25КБ ОЗУ | 9 мА~13 мА | 0 дБм | 11 | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ГФСК | 11 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XWL1831MODGAMOCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-xwl1835modgamoct-datasheets-1955.pdf | Модуль 130-ФЛГА | 1,8 В | Содержит свинец | 100 | Нет СВХК | 130 | СДИО, УАРТ | нет | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,9 В~4,8 В | НИЖНИЙ | 0,7 мм | WL1831 | Р-ПБГА-Н100 | -96,3 дБм | 100 Мбит/с | 85 мА | 420 мА | 17,3 дБм | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС2500РТКР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2500rgpr-datasheets-7557.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | Содержит свинец | 4 мм | 20 | 20 | 0 б | 5А991.Г | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 21,6 мА | е4 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2500 | 20 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,8/3,6 В | -104 дБм | 500 кбод | 13,3 мА~19,6 мА | 11,1 мА~21,5 мА | 1 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, ГФСК, МСК, ООК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4421-A0-FTR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/siliconlabs-si4421a1ft-datasheets-9525.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 28мА | 8 недель | 172,98879мг | 16 | 3 | 2,2 В~3,8 В | -110 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 15 мА~24 мА | 7 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMX9820ASM/НОПБ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | 2,4 ГГц | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-lmx9820asmnopb-datasheets-1916.pdf | Модуль 116-LGA | 14 мм | 9,95 мм | Без свинца | 116 | 116 | УАРТ | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,85 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | LMX9820 | Не квалифицирован | -81 дБм | 704 кбит/с | 62 мА Макс. | 256 КБ флэш-памяти | 68 мА Макс. | 1 дБм | Bluetooth | JTAG, UART, USB | Bluetooth v1.1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XWL1801MODGAMOCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-xwl1835modgamoct-datasheets-1955.pdf | Модуль 130-ФЛГА | 1,8 В | Содержит свинец | 100 | Нет СВХК | 130 | СДИО, УАРТ | нет | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,9 В~4,8 В | НИЖНИЙ | 0,7 мм | WL1801 | Р-ПБГА-Н100 | -96,3 дБм | 100 Мбит/с | 85 мА | 420 мА | 17,3 дБм | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1025-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1034-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U3600BM-NFN19 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -25°К~75°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 20 МГц~50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 44-БСОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,1 В~5,2 В | 8,5 мА | Нестандартный | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1036-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1033-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 85 мА | 16 | ВСПЫШКА | 4,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF24XA-I/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-mrf24xaimq-datasheets-2042.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5,1 мм | 950 мкм | 5,1 мм | 1,2 В | Без свинца | 32 | 12 недель | 32 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,5 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | МРФ24ХА | Другие телекоммуникационные микросхемы | Не квалифицирован | -95 дБм | -103 дБм | 2 Мбит/с | 13,5 мА~16,5 мА | 30 мА | 1 дБм | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ДССС, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee®, MiWi® | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMX5251SQX/НОПБ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 48-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,85 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LMX5251 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3/3,3 В | 0,078 мА | Не квалифицирован | -79 дБм | 1 Мбит/с | 62 мА | 56 мА | 3 дБм | Bluetooth | СПИ | ФСК, ГФСК | Bluetooth v1.1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XWL1805MODGAMOCT | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-xwl1835modgamoct-datasheets-1955.pdf | Модуль 130-ФЛГА | 100 | нет | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,9 В~4,8 В | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,7 мм | WL1805 | Р-ПБГА-Н100 | -96,3 дБм | 100 Мбит/с | 85 мА | 420 мА | 17,3 дБм | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1031-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 10 недель | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMS6002DFN | ООО «Лайм Микросистемс» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 300 МГц~3,8 ГГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/limemicrosystemsltd-lms6002dfn-datasheets-1941.pdf | 120-VFQFN, двухрядный, открытая колодка | 4 недели | СПИ | 1,7 В~3,5 В | 220 мА | 280 мА | 6 дБм | Сотовая связь | СПИ | CDMA, GSM, HSPA, LTE, WCDMA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1032-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 6 недель | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1037-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 4,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T2802-PLH | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-t2802plh-datasheets-1674.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,2 В~4,6 В | 48-КФН (7х7) | 85 мА | 54 мА~58 мА | 3 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24Z1 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24z1-datasheets-2074.pdf | 36-VFQFN Открытая колодка | 3В | 2,4 ГГц | 36 | 16 недель | Нет СВХК | 36 | 2-проводной, I2C, I2S, S/PDIF, SPI | Нет | 33,5 мА | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 0,5 мм | 1 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -80 дБм | 4 Мбит/с | 19,5 мА~32 мА | 2 Б | 14 мА~18 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | И2К, И2С, СПИ | ГФСК | 48 тыс.спс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТА5830-PNQW 18 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5830pnqw18-datasheets-1959.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 1,9 В~3,6 В | 32-ВКФН (5х5) | -121 дБм | 80 кбит/с | 9,3 мА | 6 КБ флэш-памяти 512 байт EEPROM 24 КБ ROM 768 байт SRAM | 9,1 мА~13,8 мА | 14,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5830N-PNQW 18 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5830pnqw18-datasheets-1959.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 1,9 В~3,6 В | 32-ВКФН (5х5) | -121 дБм | 80 кбит/с | 9,3 мА | 6 КБ флэш-памяти 512 байт EEPROM 24 КБ ROM 768 байт SRAM | 9,1 мА~13,8 мА | 14,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XWL1835MODGAMOCT | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-xwl1835modgamoct-datasheets-1955.pdf | Модуль 130-ФЛГА | 1,8 В | Содержит свинец | 100 | Нет СВХК | 130 | СДИО, УАРТ | нет | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 2,9 В~4,8 В | НИЖНИЙ | 3,7 В | 0,7 мм | WL1835 | Р-ПБГА-Н100 | -96,3 дБм | 100 Мбит/с | 85 мА | 420 мА | 17,3 дБм | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYRF69313-40LTXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПРОК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyrf6931340ltxc-datasheets-1983.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,3 В | Без свинца | 40 | 40 | SPI, USB | 5А991.Г | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4 В~5,25 В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | 40 | 40 | Другие микропроцессорные ИС | 3,35 В | -90 дБм | 1,5 Мбит/с | 20,2 мА~23,4 мА | 8 КБ флэш-памяти 256 байт SRAM | 22,4 мА~27,7 мА | М8С | 256Б | 8б | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | SPI, USB | ДССС, ГФСК | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1030-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1027-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 85 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | 53 | ВСПЫШКА | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 |
