Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MLX75023STF-BAA-001-TR | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3D время полета | -20°К~85°К | Поднос | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/melexistechnologiesnv-mlx75023rtfbaa000tr-datasheets-2782.pdf | 44-УФБГА, ВЛБГА | 16 недель | 3В~3,6В | 15 мкмx15 мкм | 600 | 320 х 240 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 4LS_2K5_B&W_LGA ФТ SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1335CSSC32SMD20 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar1335cssc32smd20-datasheets-2857.pdf | Править | Без свинца | АКТИВНО (последнее обновление: 21 час назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||
| AR1335CSSC32SMD10 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Править | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3SE5000A-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | ||||||||||||||||||||||||
| 4LS_15K_B&W_V1.2 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3СН5000А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | Без свинца | 12 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | |||||||||||||||||||||||
| 4LS_10K_RGB_V2.1 ФУТ SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3СН1300А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 360 МГЦ (10 БИТ) И 288 МГЦ (8 БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | ДА | 1,8 В~3,3 В | 72 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 50 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | ||||||||||||
| KAI-08052-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai08052abajpba-datasheets-2852.pdf | 52 недели | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 35 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||
| CHR71000HGES-1E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3СН5000А-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | ||||||||||||||||||||||||
| 4LS_7K5_RGB_CERAMIC_PGA_V1.0 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0833CS3C12SUAA0-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0833cs3c12suaa0dp1-datasheets-2752.pdf | 48-LFQFN Открытая колодка | Без свинца | 22 недели | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | 1,8 В 2,8 В | 48-CLCC (10х10) | 1,4 мкмx1,4 мкм | 30 | 3264Г х 2448В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-47051-QXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai47051qxajdb2-datasheets-2761.pdf | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 38 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 69,96 мм | 44,55 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 66 дБ | 7 | 8856Г х 5280В | |||||||||||||||||||
| KAE-08151-ABA-JP-FA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -70°К~50°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kae08151abajpfa-datasheets-2766.pdf | 12 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 44 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,75 В~15,25 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,5 мкмx5,5 мкм | 86 дБ | 14 | 2856Г х 2856В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||||
| КАИ-08050-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | |||||||||||||||||||||||||||
| MLX75023RTF-BAA-000-TR | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3D время полета | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~105°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/melexistechnologiesnv-mlx75023rtfbaa000tr-datasheets-2782.pdf | 44-УФБГА, ВЛБГА | 16 недель | 3,3 В | 44-ВЛБГА (6,6х5,5) | 15 мкмx15 мкм | 320 х 240 В | |||||||||||||||||||||||||
| MLX75023RTF-BAA-001-SP | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3D время полета | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°С~105°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/melexistechnologiesnv-mlx75023rtfbaa000tr-datasheets-2782.pdf | 44-УФБГА, ВЛБГА | 16 недель | 3,3 В | 44-ВЛБГА (6,6х5,5) | 15 мкмx15 мкм | 320 х 240 В | ||||||||||||||||||||||||
| MT9M025IA3XTC-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 19 недель | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-09001-АБА-ДД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~60°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf09001abaddba-datasheets-2811.pdf | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 24 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ В ДИНАМИЧЕСКОМ ДИАПАЗОНЕ 75 ДБ НА ЧАСТОТЕ 20 МГЦ ЛИНЕЙНЫЙ. | НЕТ | 14,8 В~17 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,45 мм | 63,8 мм | 51,25 мм | КЕРАМИКА | 12 мкмx12 мкм | 84 дБ | 3024Г х 3024В | ||||||||||||||||||
| MT9M440C36STM-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Не соответствует требованиям RoHS | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3SE1300A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 360 МГЦ (10 БИТ) И 288 МГЦ (8 БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | ДА | 1,8 В~3,3 В | 72 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 50 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | ||||||||||||
| KAI-08052-QBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kai08052qbajdba-datasheets-2821.pdf | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | ||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН2000А-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 15 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | ||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН5000А-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 15 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592 х 2048 В | ||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6G00XPEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6g00xpea0drbr1-datasheets-2728.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 115 дБ | 45 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду |
