Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Материал корпуса | Радиационная закалка | Длина результата | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Код дела (метрика) | Код дела (имперский) | Рассеяние активности | Время ответа | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Высота тела | Длина или диаметр тела | Напряжение проба | Обратное напряжение проба | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток | Размер | Тип трансмиссии | Тип волокна | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Инфракрасный спектр | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПДБ-С603-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6032-datasheets-6225.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 12нс | 75В | 940 нм | 3нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 2,55 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С617-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6171-datasheets-6350.pdf | Править | 40 нс | 75В | 940 нм | 65нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 62,91 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С604-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6041-datasheets-6251.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 15нс | 25В | 940 нм | 6нА | 25В | 350 нм ~ 1100 нм | 4,34 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С608-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6081-datasheets-6189.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 28нс | 75В | 940 нм | 25нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 38,4 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ331Ф | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz331f-datasheets-6289.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | нет | неизвестный | 80° | 3,2 мм | 4,6 мм | ПРИКОЛОТЬ | 30В | 900 нм | 100пА | ПОФ | ФОТОДИОДНЫЙ ДЕТЕКТОР | 900 нм | 30В | 0,739 мм2 | 0,55 А/Вт при 800 Нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С611-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6113-datasheets-6294.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 715нс | 75В | 940 нм | 50нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 52 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 012-УВК-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-012uvc011-datasheets-6298.pdf | 14 недель | 55° | 5В | 210 нм ~ 280 нм | 100нА | 0,06 А/Вт при 275 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С614-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6142-datasheets-6306.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 125 нс | 75В | 940 нм | 250 нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 177,9 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С611-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6113-datasheets-6294.pdf | Править | 715нс | 75В | 940 нм | 50нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 52 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С612-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6123-datasheets-6314.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 45нс | 75В | 940 нм | 75нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 68,7 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-711-10 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdb71110-datasheets-6176.pdf | Вариант ТО-5, 4 провода, металлическая банка с верхней крышкой линзы | 15нс | 82° | 15 В | 950 нм | 1нА | 15 В | 350 нм ~ 1100 нм | 5,09 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С142Ф | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc142f-datasheets-6180.pdf | 5,6 мм | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 8,7 мм | Без свинца | Пластик | 26,5 мм | 50 нс | 40° | 50 нс | 25В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 5нА | 50В | 700 нм ~ 1100 нм | 4,12 мм2 | 5нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС520 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-bs520-datasheets-6185.pdf | Вид спереди | Содержит свинец | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 2 | неизвестный | 1 | ОДИНОКИЙ | 10 В | 10 В | 560 нм | 3пА | НЕТ | 500 нм ~ 600 нм | 5,34 мм2 | 0,00055 мА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С608-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc6081-datasheets-6189.pdf | Править | 28нс | 75В | 940 нм | 25нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 38,4 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-705 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdb705-datasheets-6193.pdf | 9,14 мм | ТО-39 | 6,58 мм | Содержит свинец | Металл | 67° | 15нс | 125 В | 15 В | 950 нм | 1нА | 15 В | 350 нм ~ 1100 нм | 5,07 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С601-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6013-datasheets-6201.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 10 нс | 75В | 940 нм | 500пА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD413PI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | Вид спереди | Содержит свинец | 2 | 200 нс | 90° | 200 нс | 32В | 960 нм | 10нА | 32В | 750 нм ~ 1070 нм | 10нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ334 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz334-datasheets-6209.pdf | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | Содержит свинец | неизвестный | 140° | 2нс | 5 мм | 4,8 мм | ПРИКОЛОТЬ | 30В | 850 нм | 100пА | ЦИФРОВОЙ | ПОФ | ФОТОДИОДНЫЙ ДЕТЕКТОР | 850 нм | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC330-CSP32-001 | ЭСПРОС Фотоникс АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/esprosphotonicsag-epc310csp8001-datasheets-4334.pdf | 32-XFBGA, CSPBGA | 2 недели | 300 нс | 150° | 850 нм | 20 В | 400 нм ~ 1030 нм | 6,84 мм2 | 640пА | 0,6 А/Вт при 850 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDB-C154SMF | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~80°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc154sm-datasheets-0376.pdf | 1210 (3225 Метрическая единица) | 3,2 мм | 1,09 мм | 2,69 мм | Содержит свинец | 3225 | 1210 | 120° | 10 нс | 170 В | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 660 нм | 2нА | 32В | 400 нм ~ 1100 нм | 2,10 мм2 | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДВ-В419 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/advancedphotonix-pdvv419-datasheets-6219.pdf | 6 мм | Радиальный | 1,8 мм | Содержит свинец | Керамика | 5 мм | 500 нс | 15 В | ПРИКОЛОТЬ | 10 В | 560 нм | 75пА | 10 В | 320 нм ~ 730 нм | 1,55 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-716-100 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdb716100-datasheets-6148.pdf | Вариант ТО-5, 4 провода, металлическая банка с верхней крышкой линзы | Без свинца | 15нс | 82° | 15 В | 950 нм | 1нА | 15 В | 350 нм ~ 1100 нм | 5,07 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МАССИВJ-40035-64P-PCB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | разъемный | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-arrayj600354ppcb-datasheets-2253.pdf | Модуль | 4 недели | 420 нм | 9 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD100MC0MP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2008 год | Вид спереди | Без свинца | 17 недель | 2 | Нет | 75мВт | 10 нс | 40° | 10 нс | 10 нс | 20 В | 20 В | 820 нм | 10нА | 20 В | 400 нм ~ 1100 нм | 10нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С603-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6032-datasheets-6225.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 12нс | 75В | 940 нм | 3нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 2,55 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДИ-G104 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Т | 5,31 мм | Пластик | 30 мм | 30° | 1 мкс | 30В | 880 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДВ-В400 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -15°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdvv400-datasheets-6229.pdf | Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива | 1 мкс | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 525 нм | 10пА | 100В | 17,74 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PNZ331CL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz331cl-datasheets-6163.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | нет | неизвестный | 2нс | 140° | 3,25 мм | 4,2 мм | ПРИКОЛОТЬ | 30В | 900 нм | 100пА | ПОФ | ФОТОДИОДНЫЙ ДЕТЕКТОР | 900 нм | 30В | 0,739 мм2 | 0,55 А/Вт при 800 Нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС500Б | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs500b-datasheets-6233.pdf | Вид спереди | Содержит свинец | неизвестный | 10 В | 560 нм | 3пА | 10 В | 500 нм ~ 600 нм | 5,34 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД100МФ0МП | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sharpmicroelectronics-pd100mf0mp-datasheets-6159.pdf | Вид спереди | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 17 недель | 2 | Нет | 1 | е4 | Золото (Ау) | 75мВт | 40° | 10 нс | 10 нс | ОДИНОКИЙ | 20 В | 20 В | 850 нм | 10нА | 1,6 мм | ДА | 680 нм ~ 1100 нм | 0,0006 мА |
