Фотодиоды – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Диаметр Пакет/ключи Эмкость Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Форма Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Дополнительная функция Контактное покрытие Материал корпуса Радиационная закалка Длина результата Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Подкатегория Максимальный переход температуры (Tj) Диапазон температуры окружающей среды: высокий Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип оптоэлектронного устройства Особенности монтажа Угол обзора Стиль объектива Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение проба Обратное напряжение проба Обратное напряжение Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Обратное напряжение (постоянный ток) Полупроводниковый материал Длина волны Длина волны – пик Темный ток Размер Инфракрасный спектр Темный ток-Макс. Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Спектральный диапазон Активная область Текущий — Темный (тип.) Световой ток-ном. Чувствительность @ нм Цвет — улучшенный Напряжение обратного проба-мин.
BPW83 БПВ83 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2008 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw83-datasheets-2346.pdf Радиальный, вид спереди 40пФ 7 недель Неизвестный 2 Нет 8541.40.60.50 215мВт 130° 100 нс 100 нс 60В 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 950 нм 2нА 790 нм ~ 1050 нм 7,5 мм2
TEMD6010FX01 TEMD6010FX01 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd6010fx01-datasheets-1681.pdf 1206 2 мм 1,05 мм 4 мм Без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 7 недель Неизвестный 2 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Нет 8541.40.60.50 1 е3 Матовый олово (Sn) 100мВт 100мВт Фотодиоды 120° ОДИНОКИЙ 16 В ПРИКОЛОТЬ 16 В 16 В 540 нм 2нА НЕТ 430 нм ~ 610 нм 0,27 мм2 0,001 мА
VTS2086H VTS2086H Экселитас Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~125°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2000 г. Править 6 недель Нет СВХК 2 неизвестный НЕТ 750 нс ФОТОЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ОБНАРУЖЕНИЯ КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ КРЕМНИЙ 925 нм 10нА 0,15 мм2 0,20 А/Вт при 400 нм
ODD-1B ОДД-1Б Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Видимый Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год /files/optodiodecorp-odd1b-datasheets-2366.pdf 16 недель неизвестный 8нс 60В 940 нм 200пА 60В 400 нм ~ 1100 нм 1 мм2 0,28 А/Вт при 450 нм Синий
VBPW34SR ВБПВ34СР Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, внешнее крепление Поверхностный монтаж -40°К~100°К Диги-Рил® 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbpw34s-datasheets-0348.pdf 2-СМД, З-изгиб 4,4 мм 1,4 мм 3,9 мм Без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 13 недель Неизвестный 2 да Нет 8541.40.60.50 1 е3 Матовый олово (Sn) 215мВт 215мВт Фотодиоды 100°С 100°С 50 мА 130° 100 нс 100 нс ОДИНОКИЙ 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В Кремний 940 нм 2нА ДА 430 нм ~ 1100 нм 7,5 мм2 2нА 0,055 мА
100-14-21-021 100-14-21-021 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/advancedphotonix-1001421021-datasheets-2380.pdf 14 недель 13нс 82° ПРИКОЛОТЬ 660 нм 75В 350 нм ~ 1100 нм 5 067 мм2 300пА 0,55 А/Вт при 900 нм Красный
SFH 2270R СФХ 2270Р OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh2270r-datasheets-1609.pdf 2-СМД, З-изгиб 8 недель 6 мкс 120° ПРИКОЛОТЬ 560 нм 480 нм ~ 650 нм 5пА
EAPDST6048A0 EAPDST6048A0 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/everlightelectronicscoltd-eapdst6048a0-datasheets-1622.pdf 1 неделя 8541.40.80.00 50 нс 125° ПРИКОЛОТЬ 940 нм 32В 420 нм ~ 1100 нм
BPW34 БПВ34 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2003 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw34s-datasheets-0654.pdf 2-ДИП (0,200, 5,10 мм) 70пФ 4,5 мм 2 мм 4,3 мм Без свинца КВАДРАТ 20 недель Неизвестный 2 ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Олово Нет 8541.40.60.50 1 е3 215мВт 215мВт Фотодиоды 130° Прозрачный 100 нс 100 нс ОДИНОКИЙ 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В Кремний 850 нм 2нА ДА 430 нм ~ 1100 нм 7,5 мм2 0,05 мА
OP993 ОП993 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op999-datasheets-0125.pdf 60В ТО-18 5,72 мм 1 мА 7,62 мм 5,72 мм Без свинца 8 недель Нет СВХК 2 1 100мВт 5нс 60В 1 мА 1,2 В 90° 5нс 5 нс 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 890 нм 1нА 60В 500 нм ~ 1100 нм 1нА
MTPD2600-100 МТПД2600-100 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtpd2600100-datasheets-2312.pdf Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-2 6 недель ПРИКОЛОТЬ 1300 нм 880 нм ~ 2600 нм 1 мм2 200 мкА Макс. 1,07 А/Вт при 1880 Нм
HSDL-5420 ХСДЛ-5420 Lite-On
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ХСДЛ-5400 Поверхностный монтаж, сквозное отверстие Поверхностный монтаж -40°К~85°К Масса 2А (4 недели) Соответствует ROHS3 2005 г. /fileonc-hsdl4400011-datasheets-4550.pdf 2-СМД, плоский вывод Без свинца КРУГЛЫЙ 12 недель 2 Нет 8541.40.60.50 1 150 мВт 1 мА 800мВ 56° 7,5 нс 7,5 нс ОДИНОКИЙ 40В 40В ПРИКОЛОТЬ 40В 875 нм 1нА 1,78 мм ДА 770 нм ~ 1000 нм 0,15 мм2 0,0043 мА
008-2151-112 008-2151-112 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/advancedphotonix-0082151112-datasheets-2314.pdf Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-3 2 недели 1нс Шоттки 220 нм ~ 370 нм 0,076 мм2 1пА 0,18 А/Вт при 350 нм Ультрафиолетовый (УФ)
ODD-5W ОДД-5W Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Видимый Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Поднос 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год /files/optodiodecorp-odd5w-datasheets-2227.pdf КРУГЛЫЙ 16 недель да неизвестный 1 10 нс ОДИНОКИЙ 60В 940 нм 1нА 5 мм 60В 300 нм ~ 1100 нм 5 мм2 0,4 А/Вт при 632 нм Красный 25 В
AXUV63HS1 AXUV63HS1 Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать АКСУВ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -10°К~40°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год /files/optodiodecorp-axuv63hs1-datasheets-2316.pdf 16 недель неизвестный 2нс 100нА 63 мм2
MICROFC-10010-SMT-TR1 MICROFC-10010-SMT-TR1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать SIPM C-СЕРИИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-СМД, без свинца 4 недели да 300пс лавина 420 нм 24,7 В 300 нм ~ 950 нм 1 мм2 1нА Синий
MTPD1346D-030 МТПД1346Д-030 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1346 Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2012 год /files/marktechoptoelectronics-mtpd1346d030-datasheets-2321.pdf Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-3 12 недель да неизвестный ПРИКОЛОТЬ 1300 нм 1 мкА 800 нм ~ 1750 нм Диаметр 0,30 мм
445-14-21-305 445-14-21-305 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -20°К~75°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 14 недель 13нс 120° ПРИКОЛОТЬ 660 нм 75В 350 нм ~ 1100 нм 100 мм2 6нА 0,55 А/Вт при 900 нм Красный
MICROFC-30020-SMT-TR1 МИКРОФК-30020-СМТ-ТР1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать SIPM C-СЕРИИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-СМД, без свинца 4 недели да 600пс лавина 420 нм 24,7 В 300 нм ~ 950 нм 9 мм2 50нА Синий
MTD3910D3 МТД3910Д3 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -20°К~85°К 2 (1 год) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtd3910d3-datasheets-2240.pdf Радиальный 12 недель 940 нм 20 В 400 нм ~ 1060 нм 10 нА Макс. 0,45 А/Вт при 660 нм
C30724PH C30724PH Экселитас Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -20°К~60°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 год /files/excelitastechnologies-c30724ph-datasheets-2332.pdf ТО-18-2 Металлическая банка 12 недель 2 неизвестный 8541.40.60.50 НЕТ 5нс Фотодиоды лавина Кремний 920 нм 40нА 350В 400 нм ~ 1100 нм Диаметр 0,50 мм 20нА 8,5 А/Вт при 920 нм
076-11-31-211 076-11-31-211 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/advancedphotonix-0761131211-datasheets-2242.pdf 14 недель 5нс 59° ПРИКОЛОТЬ 660 нм 75В 350 нм ~ 1100 нм 2,91 мм2 8нА 0,55 А/Вт при 900 нм Красный
VTP1112H ВТП1112Х Экселитас Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~110°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2000 г. Радиальный металлический корпус с линзами, ТО-46-2 6 недель 2 неизвестный 8541.40.60.50 НЕТ Фотодиоды PIN-ФОТОДИОД 30° Кремний 580 нм 7нА 40В 400 нм ~ 1150 нм 1,60 мм2 100пА
ARRAYJ-60035-4P-PCB МАССИВJ-60035-4P-PCB ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать J-СЕРИЯ SIPM Сквозное отверстие 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-arrayj600354ppcb-datasheets-2253.pdf Массив — 8 элементов 4 недели 420 нм 9 мм2
MTAPD-06-003 МТАПД-06-003 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -20°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2014 год /files/marktechoptoelectronics-mtapd06001-datasheets-2164.pdf ТО-46-3 Металлическая банка 12 недель неизвестный 300пс лавина 800 нм 120 В 400 нм ~ 1100 нм Диаметр 230 мкм 50пА 50 А/Вт при 800 нм
MICROFC-60035-SMT-TR1 MICROFC-60035-SMT-TR1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать SIPM C-СЕРИИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-СМД, без свинца 4 недели да 1нс лавина 420 нм 24,7 В 300 нм ~ 950 нм 36 мм2 618нА Синий
MICRORB-10020-MLP-TR1 МИКРОРБ-10020-MLP-TR1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать РБ-СЕРИЯ СИПМ Поверхностный монтаж -40°К~85°К 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-microrb10020mlptr1-datasheets-2268.pdf 4-СМД, без свинца 9 недель да 1нс ПРИКОЛОТЬ 905 нм 23В 300 нм ~ 1050 нм 1 мм2 540нА 270 кА/Вт при 905 нм Инфракрасный (NIR)/красный
MT03-004 МТ03-004 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 8 Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mt03004-datasheets-2179.pdf Вариант ТО-5, 4 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива 12 недель неизвестный 20 нс 940 нм 50В 400 нм ~ 1100 нм 5,7 мм2 500пА 0,6 А/Вт при 940 нм Синий/Зеленый
MICROFC-10035-SMT-TR1 MICROFC-10035-SMT-TR1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать SIPM C-СЕРИИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-СМД, без свинца 4 недели да 300пс лавина 420 нм 24,7 В 300 нм ~ 950 нм 1 мм2 15нА Синий
PDB-V107 ПДБ-В107 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~90°К Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. /files/advancedphotonix-pdbv107-datasheets-2189.pdf 9,19 мм Радиальный 2,92 мм 16 недель Керамика 12,7 мм 13нс 120° 1 мкс 50В ПРИКОЛОТЬ 75В 950 нм 400пА 75В 350 нм ~ 1100 нм 17,9 мм2 0,17 А/Вт при 450 нм Синий

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.