Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Пропускная способность | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Полупроводниковый материал | Длина волны | Длина волны – пик | Пиковая длина волны | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий — Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный | Напряжение обратного проба-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БПВ10 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv10-datasheets-0659.pdf | Радиальный | 11пФ | 8,6 мм | 12,1 мм | 5 мм | 250 МГц | Без свинца | 19 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | 2,5 нс | 100°С | 100°С | 50 мА | 1,3 В | 40° | Прозрачный | 2,5 нс | 2,5 нс | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 920 нм | 920 нм | 1нА | 60В | 380 нм ~ 1100 нм | 0,79 мм2 | 1нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 206К | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh206k-datasheets-0664.pdf | Радиальный | 14 недель | 20нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 32В | 400 нм ~ 1100 нм | 7,02 мм2 | 2нА | 0,62 А/Вт при 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 203 ПФА | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh203pfa-datasheets-0669.pdf | Радиальный | 14 недель | 5нс | 150° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 50 В | 750 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 1нА | 0,62 А/Вт при 850 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ 34 БС-З | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpw34bsz-datasheets-0678.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 25нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 850 нм | 32В | 350 нм ~ 1100 нм | 7,45 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-C134F | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc134f-datasheets-5600.pdf | 3,76 мм | Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) | 5,31 мм | 14 недель | Пластик | 30 мм | 30° | 10 нс | 100В | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 950 нм | 2нА | 700 нм ~ 1100 нм | 1 538 мм2 | 2нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД5010Н | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtd5010n-datasheets-0689.pdf | 12 недель | 3,5 нс | 24° | 30 В | 850 нм | 5нА | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,2 А/Вт при 450 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSB34CGR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-qsb34cgr-datasheets-0470.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 4,5 мм | 1,2 мм | 4 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 4 недели | 46 015 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 150 мВт | Фотодиоды | 120° | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 32В | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 32В | Кремний | 940 нм | 30нА | ДА | 400 нм ~ 1100 нм | 6,5 мм2 | 0,037 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW21R | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw21r-datasheets-0704.pdf | Радиальный металлический корпус с линзами, 2 вывода | 400пФ | 9,1 мм | 3,3 мм | 9,1 мм | Без свинца | 14 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 14,1 мм | 300мВт | 300мВт | 3,1 мкс | 125°С | 125°С | 50 мА | 1,3 В | 100° | Плоский | 3,5 мкс | 3 мкс | 10 В | 10 В | ПРИКОЛОТЬ | 10 В | 10 В | 565 нм | 565 нм | 2нА | 10 В | 420 нм ~ 675 нм | 7,5 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП950 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op950-datasheets-0598.pdf | 60В | Радиальный | 5,84 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 2 | Пластик | Нет | 12,7 мм | 1 | 100мВт | 5нс | 60В | 18 мкА | 1,2 В | 1 мА | Прозрачный | 5нс | 5 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 935 нм | 935 нм | 1нА | 60В | 500 нм ~ 1100 нм | 1нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД204-6Б | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/everlight-pd2046b-datasheets-5621.pdf | Радиальная линза Т-1 | КРУГЛЫЙ | 15 недель | 2 | да | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | Фотодиоды | Прозрачный | 6нс | 6 нс | ОДИНОКИЙ | 32В | ПРИКОЛОТЬ | 170В | Кремний | 940 нм | 10нА | 3 мм | ДА | 840 нм ~ 1100 нм | 9 мм2 | 0,003 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW41N | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw41n-datasheets-0605.pdf | Радиальный, вид спереди | 70пФ | 5 мм | 6,4 мм | 3 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 7 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | 215мВт | 215мВт | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 850 нм | 2нА | ДА | 870 нм ~ 1050 нм | 7,5 мм2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД3910Н | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtd3910n-datasheets-0721.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | 12 недель | 900 нм | 30 В | 400 нм ~ 1060 нм | 10 нА Макс. | 0,58 А/Вт при 900 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭФД4300 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300-datasheets-0612.pdf | Радиальный | Без свинца | 32 недели | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | 100 нс | 50 мА | 1В | 40° | Прозрачный | 100 нс | 100 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 10 В | 60В | 950 нм | 150пА | 10 В | 350 нм ~ 1120 нм | 150пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTD5010W | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtd5010w-datasheets-0723.pdf | 12 недель | 1 | 3,5 нс | 110° | ОДИНОКИЙ | 30 В | 850 нм | 5нА | ДА | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,03 мА | 0,2 А/Вт при 450 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2430-З | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2430z-datasheets-0619.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 200 мкс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 570 нм | 6В | 400 нм ~ 900 нм | 7,02 мм2 | 100пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ10НФ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv10nf-datasheets-0730.pdf | Радиальный | 11пФ | 5,75 мм | 8,6 мм | 5,75 мм | 100 МГц | Без свинца | 29 недель | Неизвестный | 2 | Олово | Нет | 26,3 мм | 215мВт | 215мВт | 50 мА | 1,3 В | 40° | 2,5 нс | 2,5 нс | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 940 нм | 940 нм | 1нА | 60В | 790 нм ~ 1050 нм | 0,79 мм2 | 1нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП906 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op906-datasheets-0639.pdf | Радиальный | 6,35 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 2 | Пластик | 12,7 мм | 100мВт | 5нс | 35 мкА | 1,2 В | 20° | Прозрачный | 5нс | 5 нс | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 935 нм | 890 нм | 1нА | 60В | 500 нм ~ 1100 нм | 1нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВТБ1113БХ | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~110°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/excelitastechnologies-vtb1113bh-datasheets-0739.pdf | Радиальный металлический корпус с линзами, ТО-46-2 | КРУГЛЫЙ | 6 недель | Нет СВХК | 2 | неизвестный | 8541.40.60.50 | 1 | НЕТ | Фотодиоды | 30° | ОДИНОКИЙ | Кремний | 580 нм | 20пА | 1,6 мм | НЕТ | 40В | 330 нм ~ 720 нм | 1,60 мм2 | 0,006 мА | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭМД1000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd1020-datasheets-0096.pdf | СМД/СМТ | Без свинца | 14 недель | Неизвестный | 2 | Нет | 75мВт | 75мВт | 4нс | 50 мА | 1В | 30° | 4нс | 4 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | 940 нм | 1нА | 60В | 790 нм ~ 1050 нм | 0,23 мм2 | 1нА | 0,55 А/Вт при 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-1ВБ | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd1wb-datasheets-0507.pdf | 16 недель | неизвестный | 8нс | 60В | 940 нм | 200пА | 60В | 400 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 0,28 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AXUVHS11 | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АКСУВ | Крепление на панель, резьбовое | -10°К~40°К | Масса | 1 (без блокировки) | 40°С | -10°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/optodiodecorp-axuvhs11-datasheets-0512.pdf | 16 недель | 700пс | 1нА | 55В | 0,28 мм2 | 10нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 197-23-21-041 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-1972321041-datasheets-0517.pdf | 16 недель | 13нс | 82° | 660 нм | 50 В | 350 нм ~ 1100 нм | 2,435 мм2 (х4) | 1,4 нА | 0,55 А/Вт при 900 нм | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПД333-3Б/Х0/Л2 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | Радиальный | КРУГЛЫЙ | 15 недель | 2 | да | 8541.40.60.50 | 1 | 150 мВт | Фотодиоды | 80° | 45нс | 45 нс | ОДИНОКИЙ | ПРИКОЛОТЬ | 170В | 32В | Кремний | 940 нм | 5нА | 5 мм | ДА | 840 нм ~ 1100 нм | 19,6 мм2 | 0,035 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВБП104С | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbp104s-datasheets-0326.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 4,4 мм | 1,2 мм | 3,9 мм | КВАДРАТ | 13 недель | Неизвестный | 2 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 215мВт | 215мВт | Фотодиоды | 50 мА | 1,3 В | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 940 нм | 2нА | ДА | 430 нм ~ 1100 нм | 4,4 мм2 | 2нА | 0,035 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2400-З | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh2400z-datasheets-0320.pdf | 3-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 5нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 20 В | 750 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | 1нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AXUV100G | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АКСУВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -10°К~40°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/optodiodecorp-axuv100g-datasheets-0553.pdf | 16 недель | неизвестный | 10 В | 254 нм | 2нА | 10 В | 100 мм2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFC-30035-SMT-TR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 600пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 9 мм2 | 154нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПД-BQDA34-RR | Американская компания по производству яркой оптоэлектроники | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/americanbrightoptoelectronicscorporation-bpdbqda34rr-datasheets-0558.pdf | Радиальный | 10 недель | 50 нс | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 100 нА Макс. | Инфракрасный (БИК) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВБПВ34С | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbpw34s-datasheets-0348.pdf | 2-СМД, Крыло Чайки | 4,4 мм | 1,2 мм | 3,9 мм | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 13 недель | Неизвестный | 2 | да | Олово | Нет | 8541.40.60.50 | 1 | е3 | 215мВт | 215мВт | Фотодиоды | 50 мА | 1,3 В | 130° | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 60В | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 60В | 60В | Кремний | 940 нм | 2нА | ДА | 430 нм ~ 1100 нм | 7,5 мм2 | 2нА | 0,055 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭФД4300Ф | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300f-datasheets-0560.pdf | Радиальный | Без свинца | 32 недели | Неизвестный | 2 | Нет | 215мВт | 215мВт | 100 нс | 50 мА | 1В | 40° | 100 нс | 100 нс | 60В | ПРИКОЛОТЬ | 10 В | 60В | 950 нм | 150пА | 10 В | 750 нм ~ 1050 нм | 150пА |
