Фотодиоды – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Диаметр Пакет/ключи Эмкость Длина Высота Ширина Пропускная способность Без свинца Форма Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Материал корпуса Радиационная закалка Длина результата Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Подкатегория Максимальный переход температуры (Tj) Диапазон температуры окружающей среды: высокий Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Максимальный входной ток Угол обзора Стиль объектива Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение проба Обратное напряжение проба Обратное напряжение Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Обратное напряжение (постоянный ток) Полупроводниковый материал Длина волны Длина волны – пик Пиковая длина волны Темный ток Размер Инфракрасный спектр Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Спектральный диапазон Активная область Текущий — Темный (тип.) Световой ток-ном. Чувствительность @ нм Цвет — улучшенный Напряжение обратного проба-мин.
BPV10 БПВ10 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv10-datasheets-0659.pdf Радиальный 11пФ 8,6 мм 12,1 мм 5 мм 250 МГц Без свинца 19 недель Неизвестный 2 Нет 215мВт 215мВт 2,5 нс 100°С 100°С 50 мА 1,3 В 40° Прозрачный 2,5 нс 2,5 нс 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В 920 нм 920 нм 1нА 60В 380 нм ~ 1100 нм 0,79 мм2 1нА
SFH 206K СФХ 206К Опто-полупроводники OSRAM
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh206k-datasheets-0664.pdf Радиальный 14 недель 20нс 120° ПРИКОЛОТЬ 850 нм 32В 400 нм ~ 1100 нм 7,02 мм2 2нА 0,62 А/Вт при 850 нм
SFH 203 PFA СФХ 203 ПФА Опто-полупроводники OSRAM
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh203pfa-datasheets-0669.pdf Радиальный 14 недель 5нс 150° ПРИКОЛОТЬ 850 нм 50 В 750 нм ~ 1100 нм 1 мм2 1нА 0,62 А/Вт при 850 нм
BPW 34 BS-Z БПВ 34 БС-З Опто-полупроводники OSRAM
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К Масса 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpw34bsz-datasheets-0678.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 12 недель 25нс 120° ПРИКОЛОТЬ 850 нм 32В 350 нм ~ 1100 нм 7,45 мм2 2нА
PDB-C134F ПДБ-C134F Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2005 г. /files/advancedphotonix-pdbc134f-datasheets-5600.pdf 3,76 мм Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) 5,31 мм 14 недель Пластик 30 мм 30° 10 нс 100В ПРИКОЛОТЬ 100В 950 нм 2нА 700 нм ~ 1100 нм 1 538 мм2 2нА Синий
MTD5010N МТД5010Н Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 г. /files/marktechoptoelectronics-mtd5010n-datasheets-0689.pdf 12 недель 3,5 нс 24° 30 В 850 нм 5нА 30 В 400 нм ~ 1100 нм 0,2 А/Вт при 450 нм Инфракрасный (NIR)/красный
QSB34CGR QSB34CGR ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-qsb34cgr-datasheets-0470.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 4,5 мм 1,2 мм 4 мм Без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 4 недели 46 015 мг 2 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА Нет 1 е3 Олово (Вс) 150 мВт 150 мВт Фотодиоды 120° 50 нс 50 нс ОДИНОКИЙ 32В ПРИКОЛОТЬ 32В 32В Кремний 940 нм 30нА ДА 400 нм ~ 1100 нм 6,5 мм2 0,037 мА
BPW21R BPW21R Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) 125°С -40°С Соответствует ROHS3 1999 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw21r-datasheets-0704.pdf Радиальный металлический корпус с линзами, 2 вывода 400пФ 9,1 мм 3,3 мм 9,1 мм Без свинца 14 недель Неизвестный 2 Нет 14,1 мм 300мВт 300мВт 3,1 мкс 125°С 125°С 50 мА 1,3 В 100° Плоский 3,5 мкс 3 мкс 10 В 10 В ПРИКОЛОТЬ 10 В 10 В 565 нм 565 нм 2нА 10 В 420 нм ~ 675 нм 7,5 мм2 2нА
OP950 ОП950 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op950-datasheets-0598.pdf 60В Радиальный 5,84 мм Без свинца 10 недель Неизвестный 2 Пластик Нет 12,7 мм 1 100мВт 5нс 60В 18 мкА 1,2 В 1 мА Прозрачный 5нс 5 нс 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 935 нм 935 нм 1нА 60В 500 нм ~ 1100 нм 1нА
PD204-6B ПД204-6Б Эверлайт Электроникс Ко Лтд. 0,43 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2005 г. /files/everlight-pd2046b-datasheets-5621.pdf Радиальная линза Т-1 КРУГЛЫЙ 15 недель 2 да Нет 8541.40.60.50 1 150 мВт Фотодиоды Прозрачный 6нс 6 нс ОДИНОКИЙ 32В ПРИКОЛОТЬ 170В Кремний 940 нм 10нА 3 мм ДА 840 нм ~ 1100 нм 9 мм2 0,003 мА
BPW41N BPW41N Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2005 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw41n-datasheets-0605.pdf Радиальный, вид спереди 70пФ 5 мм 6,4 мм 3 мм Без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 7 недель Неизвестный 2 Нет 8541.40.60.50 1 215мВт 215мВт 130° 100 нс 100 нс ОДИНОКИЙ 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В 850 нм 2нА ДА 870 нм ~ 1050 нм 7,5 мм2
MTD3910N МТД3910Н Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -30°К~100°К 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtd3910n-datasheets-0721.pdf ТО-18-2 Металлическая банка 12 недель 900 нм 30 В 400 нм ~ 1060 нм 10 нА Макс. 0,58 А/Вт при 900 нм
TEFD4300 ТЭФД4300 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2012 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300-datasheets-0612.pdf Радиальный Без свинца 32 недели Неизвестный 2 Нет 215мВт 215мВт 100 нс 50 мА 40° Прозрачный 100 нс 100 нс 60В ПРИКОЛОТЬ 10 В 60В 950 нм 150пА 10 В 350 нм ~ 1120 нм 150пА
MTD5010W MTD5010W Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 г. /files/marktechoptoelectronics-mtd5010w-datasheets-0723.pdf 12 недель 1 3,5 нс 110° ОДИНОКИЙ 30 В 850 нм 5нА ДА 30 В 400 нм ~ 1100 нм 0,03 мА 0,2 А/Вт при 450 нм Инфракрасный (NIR)/красный
SFH 2430-Z СФХ 2430-З Опто-полупроводники OSRAM
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Разрезанная лента (CT) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2430z-datasheets-0619.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 12 недель 200 мкс 120° ПРИКОЛОТЬ 570 нм 400 нм ~ 900 нм 7,02 мм2 100пА
BPV10NF БПВ10НФ Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2004 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv10nf-datasheets-0730.pdf Радиальный 11пФ 5,75 мм 8,6 мм 5,75 мм 100 МГц Без свинца 29 недель Неизвестный 2 Олово Нет 26,3 мм 215мВт 215мВт 50 мА 1,3 В 40° 2,5 нс 2,5 нс 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В 940 нм 940 нм 1нА 60В 790 нм ~ 1050 нм 0,79 мм2 1нА
OP906 ОП906 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op906-datasheets-0639.pdf Радиальный 6,35 мм Без свинца 10 недель Нет СВХК 2 Пластик 12,7 мм 100мВт 5нс 35 мкА 1,2 В 20° Прозрачный 5нс 5 нс 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 935 нм 890 нм 1нА 60В 500 нм ~ 1100 нм 1нА
VTB1113BH ВТБ1113БХ Экселитас Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~110°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2000 г. /files/excelitastechnologies-vtb1113bh-datasheets-0739.pdf Радиальный металлический корпус с линзами, ТО-46-2 КРУГЛЫЙ 6 недель Нет СВХК 2 неизвестный 8541.40.60.50 1 НЕТ Фотодиоды 30° ОДИНОКИЙ Кремний 580 нм 20пА 1,6 мм НЕТ 40В 330 нм ~ 720 нм 1,60 мм2 0,006 мА
TEMD1000 ТЭМД1000 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd1020-datasheets-0096.pdf СМД/СМТ Без свинца 14 недель Неизвестный 2 Нет 75мВт 75мВт 4нс 50 мА 30° 4нс 4 нс 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В 940 нм 1нА 60В 790 нм ~ 1050 нм 0,23 мм2 1нА 0,55 А/Вт при 950 нм
ODD-1WB ОДД-1ВБ Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Видимый Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2013 год /files/optodiodecorp-odd1wb-datasheets-0507.pdf 16 недель неизвестный 8нс 60В 940 нм 200пА 60В 400 нм ~ 1100 нм 1 мм2 0,28 А/Вт при 450 нм Синий
AXUVHS11 AXUVHS11 Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать АКСУВ Крепление на панель, резьбовое -10°К~40°К Масса 1 (без блокировки) 40°С -10°С Соответствует RoHS 2015 год /files/optodiodecorp-axuvhs11-datasheets-0512.pdf 16 недель 700пс 1нА 55В 0,28 мм2 10нА
197-23-21-041 197-23-21-041 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/advancedphotonix-1972321041-datasheets-0517.pdf 16 недель 13нс 82° 660 нм 50 В 350 нм ~ 1100 нм 2,435 мм2 (х4) 1,4 нА 0,55 А/Вт при 900 нм Красный
PD333-3B/H0/L2 ПД333-3Б/Х0/Л2 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2013 год Радиальный КРУГЛЫЙ 15 недель 2 да 8541.40.60.50 1 150 мВт Фотодиоды 80° 45нс 45 нс ОДИНОКИЙ ПРИКОЛОТЬ 170В 32В Кремний 940 нм 5нА 5 мм ДА 840 нм ~ 1100 нм 19,6 мм2 0,035 мА
VBP104S ВБП104С Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, внешнее крепление Поверхностный монтаж -40°К~100°К Диги-Рил® 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbp104s-datasheets-0326.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 4,4 мм 1,2 мм 3,9 мм КВАДРАТ 13 недель Неизвестный 2 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Нет 8541.40.60.50 1 е3 Матовый олово (Sn) 215мВт 215мВт Фотодиоды 50 мА 1,3 В 130° 100 нс 100 нс ОДИНОКИЙ 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В Кремний 940 нм 2нА ДА 430 нм ~ 1100 нм 4,4 мм2 2нА 0,035 мА
SFH 2400-Z СФХ 2400-З Опто-полупроводники OSRAM
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh2400z-datasheets-0320.pdf 3-СМД, Крыло Чайки 14 недель 5нс 120° ПРИКОЛОТЬ 900 нм 20 В 750 нм ~ 1100 нм 1 мм2 1нА
AXUV100G AXUV100G Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать АКСУВ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -10°К~40°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год /files/optodiodecorp-axuv100g-datasheets-0553.pdf 16 недель неизвестный 10 В 254 нм 2нА 10 В 100 мм2
MICROFC-30035-SMT-TR1 MICROFC-30035-SMT-TR1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать SIPM C-СЕРИИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-СМД, без свинца 4 недели да 600пс лавина 420 нм 24,7 В 300 нм ~ 950 нм 9 мм2 154нА Синий
BPD-BQDA34-RR БПД-BQDA34-RR Американская компания по производству яркой оптоэлектроники 0,56 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/americanbrightoptoelectronicscorporation-bpdbqda34rr-datasheets-0558.pdf Радиальный 10 недель 50 нс ПРИКОЛОТЬ 60В 100 нА Макс. Инфракрасный (БИК)
VBPW34S ВБПВ34С Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, внешнее крепление Поверхностный монтаж -40°К~100°К Диги-Рил® 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbpw34s-datasheets-0348.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 4,4 мм 1,2 мм 3,9 мм Без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 13 недель Неизвестный 2 да Олово Нет 8541.40.60.50 1 е3 215мВт 215мВт Фотодиоды 50 мА 1,3 В 130° 100 нс 100 нс ОДИНОКИЙ 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В Кремний 940 нм 2нА ДА 430 нм ~ 1100 нм 7,5 мм2 2нА 0,055 мА
TEFD4300F ТЭФД4300Ф Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300f-datasheets-0560.pdf Радиальный Без свинца 32 недели Неизвестный 2 Нет 215мВт 215мВт 100 нс 50 мА 40° 100 нс 100 нс 60В ПРИКОЛОТЬ 10 В 60В 950 нм 150пА 10 В 750 нм ~ 1050 нм 150пА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.