Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФототранзисторы(1019)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Ведущая презентация | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Длина результата | Код HTS | Количество функций | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Потребляемая мощность | Выходная мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Максимальный ток во включенном состоянии | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Мощность - Макс. | Обратное напряжение запирания | Максимальное напряжение проба | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Средний выпрямленный ток | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Длина волны | Длина волны — Пик | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Темный ток-Макс. | Световой ток-ном. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EAPSV3026A0 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/everlightelectronicscoltd-eapsv3026a0-datasheets-8615.pdf | 2-СМД, без свинца | 20 недель | Вид сверху | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 35° | ОДИНОКИЙ | 75мВт | 30 В | 940 нм | ДА | 100 нА | 4мА | 30 В | 20 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 325-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БОКОВОЙ | Поверхностный монтаж, под углом | -40°С~100°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh3254z-datasheets-1504.pdf | 2-СМД, Бумеранг | 10 недель | Вид спереди | 120° | 165мВт | 980 нм | 35В | 15 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPLP05RDQA0 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaplp05rdqa0-datasheets-8911.pdf | Радиальный | 20 недель | 75мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 75мВт | 30 В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 3710-3/4-З | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh371023z-datasheets-1477.pdf | 0805 (метрика 2012 г.) | КВАДРАТ | 12 недель | Вид сверху | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 120° | ОДИНОКИЙ | 570 нм | 0,29 мм | НЕТ | 50нА | 0,35 мА | 5,5 В | 20 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPLP03RDAA1 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaplp03rdaa1-datasheets-8917.pdf | Радиальный | 20 недель | 75мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 75мВт | 30 В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT2559B/L2-F | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/everlightelectronicscoltd-pt2559bl2f-datasheets-9074.pdf | Радиальный, 3 выхода, вид сбоку | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 3 | да | Вид спереди | Нет | 8541.40.70.80 | 1 | Черный | НПН | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Плоский | ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР, 2 ЭЛЕМЕНТА | 30 В | 5В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | 4,8 мм | ДА | 0,129 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW96C | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw96-datasheets-2979.pdf | 50 мА | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 5,75 мм | 8,6 мм | 5,75 мм | 12 недель | Неизвестный | 2 | Вид сверху | Нет | Прозрачный | НПН | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 40° | Прозрачный, куполообразный | 2 мкс | 2,3 мкс | 150 мВт | 70В | 70В | 300мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 200нА | 70В | 50 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTR-4206E | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/liteonnc-ltr4206e-datasheets-9078.pdf | Т-1 | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 12 недель | 1 | Вид сверху | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Пластик | 1 | Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | Фототранзисторы | 100мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 20° | Куполообразный | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000005 с | 30 В | 5В | 4,8 мА | 940 нм | 100 нА | 3 мм | ДА | 2мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSE133 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-qse133-datasheets-8950.pdf | Радиальный, вид спереди | 5В | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 14 недель | 135 мг | Неизвестный | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Вид спереди | EAR99 | БОКОВОЙ СМОТРИТЕЛЬ | Нет | 1 | Черный, Прозрачный | е3 | Олово (Вс) | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | Фототранзисторы | 100мВт | 100мВт | 30 В | 100 мкА | ФОТО ДАРЛИНГТОН | 50° | Куполообразный | 20 мкс | 50 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 9мА | 880 нм | 100 нА | ДА | 9мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT2559B/L2/H2-F | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | Радиальный, 3 выхода, вид сбоку | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 3 | да | Вид спереди | 1 | Черный | НПН | 75мВт | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Плоский | 15 мкс | 15 мкс | ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР, 2 ЭЛЕМЕНТА | 30 В | 5В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | 4,8 мм | ДА | 0,129 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП506Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op506w-datasheets-1700.pdf | Т-1 | 5,08 мм | 3,05 мм | 5В | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | Пластик | 12,7 мм | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 100мВт | 60° | 100мВт | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 5,95 мА | 935 нм | 100 нА | 30 В | 5,95 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД8000Д3 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtd8000d3-datasheets-8983.pdf | Радиальный | 6 недель | Вид сверху | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 130° | 880 нм | 30 В | 50 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПТ-38ПТ3Ф | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/rohmsemiconductor-rpt38pt3f-datasheets-8985.pdf | Радиальный | КРУГЛЫЙ | 12 недель | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | Прозрачный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | НПН | 150 мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,002А | 72° | Куполообразный | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00001 с | 150 мВт | 32В | 32В | 30 мА | 800 нм | 500нА | 3,1 мм | ДА | 2мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД8000Д1 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtd8000d1-datasheets-8992.pdf | Радиальный | 6 недель | Вид сверху | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 60° | 880 нм | 30 В | 50 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPLP04RRKA1 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlight-eaplp04rrka1-datasheets-2833.pdf | Радиальный, вид спереди | Без свинца | 20 недель | Вид спереди | 75мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 75мВт | 30 В | 40 мА | 940 нм | 100 нА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD5491-004 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd5491005-datasheets-3299.pdf | 4,06 мм | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 17,77 мм | 5,08 мм | КРУГЛЫЙ | 4 недели | Неизвестный | 3 | Вид сверху | Нет | 1 | НПН | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 8мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 12° | 2 мкс | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 4мА | 935 нм | 100 нА | ДА | 4мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP508FA | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op509b-datasheets-1715.pdf | Радиальный | 10 недель | 2 | Вид сверху | Нет | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 120° | 100мВт | 30 В | 30 В | 5,1 мА | 890 нм | 100 нА | 30 В | 5,1 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VTT9812FH | Экселитас Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВТТ | Сквозное отверстие | Коробка | 1 (без блокировки) | 115°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/excelitastechnologies-vtt1314h-datasheets-2139.pdf | Т 1 3/4 | ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ | 6 недель | Неизвестный | 2 | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 56° | ОДИНОКИЙ | 100 нА | ДА | 30 В | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ334-6С | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | КРУГЛЫЙ | 20 недель | 2 | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | Прозрачный | НПН | 100мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Куполообразный | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | 5 мм | ДА | 3,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSE122 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-qse122-datasheets-8656.pdf | 30 В | Радиальный, вид спереди | 4,44 мм | 100 мкА | 5,08 мм | 2,54 мм | 5В | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 4 недели | 135 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) | да | Вид спереди | EAR99 | БОКОВОЙ СМОТРИТЕЛЬ | Нет | 1 | Черный, Прозрачный | е3 | Олово (Вс) | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | Фототранзисторы | 100мВт | 30 В | 100 мкА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 50° | Куполообразный | 8 мкс | 8 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000008 с | 30 В | 400мВ | 5В | 12 мА | 880 нм | 100 нА | ДА | 3мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ333-3Б | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 20 недель | 2 | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | Черный | НПН | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Куполообразный | ОДИНОКИЙ | 30 В | 5В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | 5 мм | ДА | 3мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XZRNI56W-1 | SunLED | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 3-СМД, без свинца | 6 недель | да | Вид спереди | 100мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 30 В | 30 В | 940 нм | 100 нА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ100МФ0МП | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/sharp-pt100mf0mp-datasheets-2816.pdf | 2-СМД, без свинца | 1,7 мм | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 16 недель | 2 | Универсальный | Нет | 1 | е4 | Золото (Ау) | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 30° | Куполообразный | 5 мкс | 6 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 35В | 35В | 3,45 мА | 910 нм | 1нА | ДА | 2мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП535Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op506w-datasheets-1700.pdf | Т-1 | Без свинца | 10 недель | 1 | Вид сверху | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 15 В | 100мВт | 15 В | 15 В | 1,1 В | 15 В | 32 мА | 935 нм | 100 нА | 15 В | 32 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AM2520P3C03-P22 | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | 2-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | Вид сверху | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 20° | 100мВт | 940 нм | 30 В | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KDT00030ATR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-kdt00030tr-datasheets-6750.pdf | 2-SMD, J-вывод | Без свинца | 4 недели | 135 мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад) | да | Вид сверху | EAR99 | Олово | 8541.40.70.80 | е3 | НПН | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Плоский | 6В | 6В | 4,6 В | 6В | 1,1 мА | 630 нм | 100 нА | 40нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП750Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op555a-datasheets-1863.pdf | Радиальный | 12 недель | Вид спереди | НПН | 200мВт | 200мВт | 30 В | 30 В | 30 мА | 935 нм | 100 нА | 30 В | 30 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AM2520P3BT03 | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | Вид сверху | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 20° | 100мВт | 940 нм | 30 В | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QTLP610CPDTR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-qtlp610cpdtr-datasheets-8787.pdf | 2-СМД, без свинца | 3,2 мм | 1,1 мм | 2,2 мм | Без свинца | 17 недель | 135 мг | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Вид спереди | EAR99 | Нет | Прозрачный | е3 | Олово (Вс) | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | Фототранзисторы | 160° | Куполообразный | 15 мкс | 15 мкс | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 500 мкА | 860 нм | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЕМТ1030 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-temt1000-datasheets-6501.pdf | 2-SMD, изгиб хомута | 14 недель | Нет СВХК | 2 | 5 мм | Вид сверху | Олово | Нет | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 100мВт | 70В | 30° | Куполообразный | 2 мкс | 2,3 мкс | 550В | 100мВт | 495В | 70В | 50В | 70В | 300мВ | 1,5 А | 5В | 50 мА | 950 нм | 200нА | 70В | 50 мА | 200нА |
