Фототранзисторы – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Форма Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree Ориентация ECCN-код Дополнительная функция Материал корпуса Радиационная закалка Длина результата Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Цвет линзы Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Потребляемая мощность Выходная мощность Выходное напряжение Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Максимальный ток во включенном состоянии Угол обзора Стиль объектива Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Время отклика-Макс. Мощность - Макс. Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Длина волны Длина волны – пик Темный ток Размер Инфракрасный спектр Темный ток-Макс. Световой ток-ном. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Текущий — Темный (Id) (Макс.)
MTD8600T-T МТД8600Т-Т Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 г. /files/marktechoptoelectronics-mtd8600tt-datasheets-9011.pdf ТО-18-2 Металлическая банка 12 недель Вид сверху неизвестный 250мВт Фототранзисторы 0,05А 110° 250мВт 30 В 50 мА 880 нм 100нА 100нА
EAPSR3216A1 EAPSR3216A1 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2014 год /files/everlightelectronicscoltd-eapsr3216a1-datasheets-9040.pdf 1206 (3216 Метрическая единица) 20 недель Вид сверху ФОТО ТРАНЗИСТОР 75мВт 940 нм 30 В 20 мА 50нА
EAPLP04RRAA2 EAPLP04RRAA2 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Сумка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2014 год Радиальный, 3 выхода, вид сбоку 20 недель Вид спереди 75мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 75мВт 30 В 20 мА 940 нм 100нА 100нА
EAPSR3216A0 EAPSR3216A0 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2014 год /files/everlightelectronicscoltd-eapsr3216a0-datasheets-8900.pdf 2-СМД 20 недель Вид сверху 75мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 75мВт 30 В 20 мА 940 нм 100нА 100нА
EAPSZ2520A0 EAPSZ2520A0 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2014 год 2-СМД 20 недель Вид сверху 1 75мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР ОДИНОКИЙ 75мВт 30 В 20 мА 940 нм 100нА ДА 1,5 мА 100нА
EAPSV3026A0 EAPSV3026A0 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2012 год /files/everlightelectronicscoltd-eapsv3026a0-datasheets-8615.pdf 2-СМД, без свинца 20 недель Вид сверху 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР 35° ОДИНОКИЙ 75мВт 30 В 940 нм ДА 100нА 4мА 30 В 20 мА 100нА
SFH 325-Z СФХ 325-З OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БОКОВОЙ Поверхностный монтаж, под углом -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) 2 (1 год) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh3254z-datasheets-1504.pdf 2-СМД, Бумеранг 10 недель Вид спереди 120° 165мВт 980 нм 35В 15 мА 50нА
EAPLP05RDQA0 EAPLP05RDQA0 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Сумка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2014 год /files/everlightelectronicscoltd-eaplp05rdqa0-datasheets-8911.pdf Радиальный 20 недель 75мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 75мВт 30 В 20 мА 940 нм 100нА 100нА
SFH 3710-3/4-Z СФХ 3710-3/4-З OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 2 (1 год) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh371023z-datasheets-1477.pdf 0805 (метрика 2012 г.) КВАДРАТ 12 недель Вид сверху 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР 120° ОДИНОКИЙ 570 нм 0,29 мм НЕТ 50нА 0,35 мА 5,5 В 20 мА 50нА
EAPLP03RDAA1 EAPLP03RDAA1 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Сумка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2014 год /files/everlightelectronicscoltd-eaplp03rdaa1-datasheets-8917.pdf Радиальный 20 недель 75мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 75мВт 30 В 20 мА 940 нм 100нА 100нА
PT2559B/L2-F PT2559B/L2-F Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2007 год /files/everlightelectronicscoltd-pt2559bl2f-datasheets-9074.pdf Радиальный, 3 выхода, вид сбоку ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 20 недель 3 да Вид спереди Нет 8541.40.70.80 1 Черный НПН ФОТО ТРАНЗИСТОР Плоский ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР, 2 ЭЛЕМЕНТА 30 В 20 мА 940 нм 100нА 4,8 мм ДА 0,129 мА
BPW96C BPW96C Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2001 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw96-datasheets-2979.pdf 50 мА Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) 5,75 мм 8,6 мм 5,75 мм 12 недель Неизвестный 2 Вид сверху Нет Прозрачный НПН 150 мВт 1 150 мВт 1 150 мВт 40° Прозрачный, куполообразный 2 мкс 2,3 мкс 150 мВт 70В 70В 300мВ 70В 50 мА 850 нм 200нА 70В 50 мА 200нА
LTR-4206E LTR-4206E Lite-On
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2000 г. /files/liteonnc-ltr4206e-datasheets-9078.pdf Т-1 Без свинца КРУГЛЫЙ 12 недель 1 Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Пластик 1 Прозрачный НПН 100мВт 100мВт Фототранзисторы 100мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 20° Куполообразный 10 мкс 10 мкс ОДИНОКИЙ 0,000005 с 30 В 4,8 мА 940 нм 100нА 3 мм ДА 2мА
QSE133 QSE133 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2016 год /files/onsemiconductor-qse133-datasheets-8950.pdf Радиальный, вид спереди Без свинца КРУГЛЫЙ 14 недель 135 мг Неизвестный 2 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да Вид спереди EAR99 БОКОВОЙ СМОТРИТЕЛЬ Нет 1 Черный, Прозрачный е3 Олово (Вс) НПН 100мВт 100мВт 1 Фототранзисторы 100мВт 100мВт 30 В 100 мкА ФОТО ДАРЛИНГТОН 50° Куполообразный 20 мкс 50 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 30 В 9мА 880 нм 100нА ДА 9мА
PT2559B/L2/H2-F PT2559B/L2/H2-F Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2007 год Радиальный, 3 выхода, вид сбоку ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 20 недель 3 да Вид спереди 1 Черный НПН 75мВт 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР Плоский 15 мкс 15 мкс ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР, 2 ЭЛЕМЕНТА 30 В 20 мА 940 нм 100нА 4,8 мм ДА 0,129 мА
OP506B ОП506Б ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op506w-datasheets-1700.pdf Т-1 5,08 мм 3,05 мм Без свинца 12 недель Нет СВХК 2 Вид сверху Пластик 12,7 мм НПН 100мВт 100мВт 1 100мВт 60° 100мВт 30 В 30 В 400мВ 30 В 5,95 мА 935 нм 100нА 30 В 5,95 мА 100нА
MTD8000D3 МТД8000Д3 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -20°К~85°К Масса 2 (1 год) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtd8000d3-datasheets-8983.pdf Радиальный 6 недель Вид сверху ФОТО ТРАНЗИСТОР 130° 880 нм 30 В 50 мА 100нА
QSC114C QSC114C Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-qsc114c-datasheets-8843.pdf Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) КРУГЛЫЙ да Вид сверху 1 е3 ИНН 100°С -40°С ФОТО ТРАНЗИСТОР ОДИНОКИЙ 100мВт 30 В 880 нм 2,95 мм ДА 100нА 4мА 30 В 100нА
SFH 3710-Z СФХ 3710-З OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 2 (1 год) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh371023z-datasheets-1477.pdf 0805 (метрика 2012 г.) 12 недель Вид сверху 120° 570 нм 5,5 В 20 мА 50нА
AA4040P3C-P22 AA4040P3C-P22 Кингбрайт
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж, под углом -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 2018 год 2-СМД, Бумеранг 12 недель Вид спереди ФОТО ТРАНЗИСТОР 120° 100мВт 940 нм 30 В 100нА
QSD733C QSD733C Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-qsd733c-datasheets-8859.pdf ТО-18-2 КРУГЛЫЙ да Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА 1 НЕ УКАЗАН 100°С -40°С ФОТО ДАРЛИНГТОН 40° ОДИНОКИЙ 100мВт 30 В 880 нм 4,675 мм ДА 100нА 5мА 30 В 100нА
XRNI30W-1 XRNI30W-1 SunLED
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2008 год Радиальный КРУГЛЫЙ 6 недель да Вид сверху 8541.40.70.80 1 100мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР ОДИНОКИЙ 30 В 100нА 3 мм ДА 0,8 мА 100нА
SFH 3010-Z СФХ 3010-З OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°С~100°С ТА Разрезанная лента (CT) 2 (1 год) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh3010z-datasheets-8753.pdf 2-СМД, плоский вывод Вид сверху 160° 130 мВт 860 нм 15 В 15 мА 50нА
PT28-21B/TR8 ПТ28-21Б/ТР8 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2005 г. /files/everlightelectronicscoltd-pt2821btr8-datasheets-8606.pdf 2-СМД, Крыло Чайки ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ 20 недель 2 да Вид сверху Нет 8541.40.70.80 1 Черный НПН 75мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР Плоский ОДИНОКИЙ 75мВт 30 В 30 В 20 мА 940 нм 100нА ДА
OP505B ОП505Б ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op506w-datasheets-1700.pdf Т-1 4,19 мм 5,84 мм 3,05 мм Без свинца 10 недель Нет СВХК 2 Вид сверху Пластик Нет 12,7 мм НПН 100мВт 1 100мВт 1 100мВт 25° 100мВт 30 В 400мВ 30 В 5,95 мА 935 нм 100нА 30 В 5,95 мА 100нА
VTT9812FH VTT9812FH Экселитас Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВТТ Сквозное отверстие Коробка 1 (без блокировки) 115°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/excelitastechnologies-vtt1314h-datasheets-2139.pdf Т 1 3/4 ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ 6 недель Неизвестный 2 да Вид сверху 8541.40.70.80 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР 56° ОДИНОКИЙ 100нА ДА 30 В 100 мкА
PT334-6C ПТ334-6С Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2012 год Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) КРУГЛЫЙ 20 недель 2 да Вид сверху 8541.40.70.80 1 Прозрачный НПН 100мВт Фототранзисторы ФОТО ТРАНЗИСТОР Куполообразный 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 30 В 20 мА 940 нм 100нА 5 мм ДА 3,5 мА
QSE122 QSE122 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-qse122-datasheets-8656.pdf 30 В Радиальный, вид спереди 4,44 мм 100 мкА 5,08 мм 2,54 мм Без свинца КРУГЛЫЙ 4 недели 135 мг Нет СВХК 2 АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) да Вид спереди EAR99 БОКОВОЙ СМОТРИТЕЛЬ Нет 1 Черный, Прозрачный е3 Олово (Вс) НПН 100мВт 100мВт 1 Фототранзисторы 100мВт 30 В 100 мкА ФОТО ТРАНЗИСТОР 50° Куполообразный 8 мкс 8 мкс ОДИНОКИЙ 0,000008 с 30 В 400мВ 12 мА 880 нм 100нА ДА 3мА
PT333-3B ПТ333-3Б Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2006 г. Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) Без свинца КРУГЛЫЙ 20 недель 2 да Вид сверху 8541.40.70.80 1 Черный НПН ФОТО ТРАНЗИСТОР Куполообразный ОДИНОКИЙ 30 В 20 мА 940 нм 100нА 5 мм ДА 3мА
XZRNI56W-1 XZRNI56W-1 SunLED
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°С~85°С ТА Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2014 год 3-СМД, без свинца 6 недель да Вид спереди 100мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 30 В 30 В 940 нм 100нА 100нА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.