| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Максимальный ток во включенном состоянии | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Световой ток-ном. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РПТ-37ПБ3ФН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | Т-1 | 24 недели | Вид сверху | 150 мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 72° | 150 мВт | 32В | 30 мА | 800 нм | 500нА | 500нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WP3DP3BT | Кингбрайт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/kingbright-wp3dp3bt-datasheets-2605.pdf | Радиальный | КРУГЛЫЙ | 12 недель | Вид сверху | EAR99 | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 30 В | 30 В | 800мВ | 30 В | 500 мкА | 940 нм | 100 нА | 3 мм | ДА | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 300 ФА-3/4 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh300fa-datasheets-1787.pdf | Радиальный | 14 недель | Вид сверху | 50° | 200мВт | 880 нм | 35В | 50 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД8600Н4-Т | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/marktechoptoelectronics-mtd8600n4t-datasheets-7491.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 12 недель | Вид сверху | неизвестный | 250 мВт | Фототранзисторы | 0,05А | 24° | 250 мВт | 30 В | 50 мА | 880 нм | 100 нА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМТ4700-GS08 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemt4700gs08-datasheets-7370.pdf | 4-SMD, J-вывод | 3,5 мм | 1,75 мм | 2,8 мм | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 7 недель | Неизвестный | 3 | да | Вид сверху | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 1 | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | Фототранзисторы | 100мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,05А | 120° | Плоский | 6 мкс | 6 мкс | ОДИНОКИЙ | 70В | 70В | 150 мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 200нА | 2,4 мм | ДА | 0,5 мА | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТР-209 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/liteonnc-ltr209-datasheets-7497.pdf | Радиальный | КРУГЛЫЙ | 12 недель | 1 | Вид сверху | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | неизвестный | 1 | Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 16° | Прозрачный, куполообразный | 10 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000005 с | 30 В | 400мВ | 5В | 4мА | 940 нм | 100 нА | 3 мм | ДА | 4мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP804SL | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op800wsl-datasheets-2012.pdf | 30 В | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 100 мкА | 6,86 мм | 30 В | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 3 | Вид сверху | НПН | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 30 В | 25° | 7 мкс | 7 мкс | 250 мВт | 30 В | 30 В | 50 мА | 890 нм | 100 нА | 30 В | 50 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW17N | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw17n-datasheets-7503.pdf | 50 мА | Радиальный | 3,3 мм | 2,9 мм | 2,4 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 2 | да | Вид сверху | Нет | Прозрачный | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | Фототранзисторы | 100мВт | 0,05А | 24° | Прозрачный, куполообразный | 4,8 мкс | 5 мкс | 32В | 32В | 300мВ | 32В | 50 мА | 825 нм | 200нА | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП599А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op599c-datasheets-1779.pdf | Т 1 3/4 | 7,87 мм | 4,95 мм | 5В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | Пластик | Нет | 19,05 мм | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 100мВт | 20° | 100мВт | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 890 нм | 100 нА | 30 В | 50 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 313FA | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh313fa34-datasheets-7257.pdf | Радиальный | 14 недель | Вид сверху | 20° | 200мВт | 870 нм | 70В | 50 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW96B | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw96-datasheets-2979.pdf | 50 мА | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 5,75 мм | 8,6 мм | 5,75 мм | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 2 | Вид сверху | Нет | Прозрачный | НПН | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 40° | Куполообразный | 2 мкс | 150 мВт | 70В | 300мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 200нА | 70В | 50 мА | 200нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OP598C | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op593c-datasheets-2748.pdf | ТО-18-2 | 12 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | НПН | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 25° | 250 мВт | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 890 нм | 100 нА | 30 В | 50 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW85B | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw85-datasheets-3500.pdf | 50 мА | Радиальный | 3,4 мм | 4,5 мм | 3,4 мм | 12 недель | Неизвестный | 2 | Вид сверху | Нет | Прозрачный | НПН | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 50° | Прозрачный, куполообразный | 2 мкс | 2,3 мкс | 100мВт | 70В | 300мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 200нА | 70В | 100 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ91-21С/ТР10 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 2-СМД, З-изгиб | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 20 недель | 2 | да | Вид сверху | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 1 | Прозрачный | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Прозрачный, куполообразный | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 5В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | ДА | 1,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 314 ФА | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh314fa-datasheets-7413.pdf | Радиальный – 2 отведения | 14 недель | Вид сверху | 80° | 200мВт | 870 нм | 70В | 50 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ91-21Б/ТР10 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/everlight-pt9121btr10-datasheets-2602.pdf | 2-СМД, З-изгиб | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 20 недель | 2 | да | Вид сверху | Нет | 1 | Черный | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Куполообразный | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | ДА | 1,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП598Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op593c-datasheets-2748.pdf | ТО-18-2 | 5,72 мм | 7,62 мм | 5,72 мм | 5В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | Пластик | 19,1 мм | НПН | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 25° | 250 мВт | 30 В | 30 В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 890 нм | 100 нА | 30 В | 50 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПЙ 62 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-bpy624-datasheets-1677.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 10 недель | Вид сверху | 16° | 200мВт | 830 нм | 35В | 100 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПК-817 (Б БИН) | Американская компания по производству яркой оптоэлектроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛС-ПТ243-3С/Л177 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/everlightelectronicscoltd-alspt2433cl177-datasheets-7160.pdf | Радиальный | 15 недель | 2 | Нет | НПН | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Плоский | 110 мкс | 220 мкс | 5,5 В | 630 нм | 100 нА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПИ 62-3/4 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-bpy624-datasheets-1677.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 10 недель | Вид сверху | 16° | 200мВт | 830 нм | 35В | 100 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 309 ФА-5/6 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh309fa45-datasheets-7108.pdf | Радиальная линза Т-1 | 14 недель | Вид сверху | 24° | 165мВт | 900 нм | 35В | 15 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 310-2/3 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh31023-datasheets-7314.pdf | Радиальный | 14 недель | Вид сверху | 50° | 165мВт | 880 нм | 70В | 50 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 309 ФА-5 | OSRAM Оптические полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh309fa45-datasheets-7108.pdf | Радиальная линза Т-1 | 14 недель | Вид сверху | 24° | 165мВт | 900 нм | 35В | 15 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPW77NB | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw77na-datasheets-6808.pdf | 70В | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 5,5 мм | 50 мА | 6,15 мм | 5,5 мм | Без свинца | 20 недель | Неизвестный | 3 | Вид сверху | Нет | НПН | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 70В | 20° | Куполообразный | 6 мкс | 5 мкс | 250 мВт | 70В | 150 мВ | 70В | 50 мА | 850 нм | 100 нА | 70В | 50 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSD123 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-qsd123a4r0-datasheets-1491.pdf | 30 В | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 100 мкА | 5В | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 13 недель | 284 мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 14 часов назад) | да | Вид сверху | EAR99 | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА | Олово | Нет | Т-1 3/4 | 1 | Черный, Прозрачный | е3 | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | Фототранзисторы | 100мВт | 30 В | 100 мкА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 24° | Куполообразный | 7 мкс | 7 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 0,000008 с | 30 В | 30 В | 880 нм | 100 нА | 5 мм | ДА | 4мА | |||||||||||||||||||||||||||
| СМЛ-810ТБТ86 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПХ2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 2-СМД, без свинца | Без свинца | 10 недель | Вид сверху | 80мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 80мВт | 32В | 32В | 30 мА | 800 нм | 500нА | 0,5 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT908-7C-F | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | Радиальный, вид спереди | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 20 недель | 2 | да | Вид спереди | 1 | Прозрачный | НПН | 75мВт | 1 | ФОТО ТРАНЗИСТОР | Куполообразный | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 30 В | 5В | 20 мА | 940 нм | 100 нА | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ11Ф | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv11f-datasheets-7357.pdf | 50 мА | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 5,75 мм | 8,6 мм | 5,75 мм | Без свинца | 14 недель | Неизвестный | 3 | Вид сверху | Нет | НПН | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 30° | Куполообразный | 6 мкс | 5 мкс | 150 мВт | 70В | 70В | 130 мВ | 70В | 50 мА | 930 нм | 50нА | 70В | 10 мА | 50нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЭП5600 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tept5600-datasheets-7200.pdf | Радиальный | 5,75 мм | 8 мм | 5,75 мм | 5В | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 12 недель | Неизвестный | 2 | да | Вид сверху | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 1 | НПН | 100мВт | 1 | 100мВт | Фототранзисторы | 100мВт | Аналоговый | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 40° | Куполообразный | ОДИНОКИЙ | 6В | 1,5 В | 20 мА | 6В | 570 нм | 50нА | НЕТ | 0,35 мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.