Фототранзисторы – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Форма Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree Ориентация ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Материал корпуса Радиационная закалка Идентификатор производителя производителя Длина результата Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Цвет линзы Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Потребляемая мощность Выходное напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Максимальный ток во включенном состоянии Угол обзора Стиль объектива Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение проба Время отклика-Макс. Мощность - Макс. Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Длина волны Длина волны – пик Темный ток Размер Инфракрасный спектр Световой ток-ном. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Текущий — Темный (Id) (Макс.)
RPT-37PB3FN РПТ-37ПБ3ФН РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2010 год Т-1 24 недели Вид сверху 150 мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 72° 150 мВт 32В 30 мА 800 нм 500нА 500нА
WP3DP3BT WP3DP3BT Кингбрайт
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Масса Непригодный Соответствует ROHS3 2013 год /files/kingbright-wp3dp3bt-datasheets-2605.pdf Радиальный КРУГЛЫЙ 12 недель Вид сверху EAR99 8541.40.70.80 1 100мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 100мВт 30 В 30 В 800мВ 30 В 500 мкА 940 нм 100 нА 3 мм ДА 0,5 мА
SFH 300 FA-3/4 СФХ 300 ФА-3/4 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh300fa-datasheets-1787.pdf Радиальный 14 недель Вид сверху 50° 200мВт 880 нм 35В 50 мА 50нА
MTD8600N4-T МТД8600Н4-Т Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 год /files/marktechoptoelectronics-mtd8600n4t-datasheets-7491.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 12 недель Вид сверху неизвестный 250 мВт Фототранзисторы 0,05А 24° 250 мВт 30 В 50 мА 880 нм 100 нА 100 нА
VEMT4700-GS08 ВЭМТ4700-GS08 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2008 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemt4700gs08-datasheets-7370.pdf 4-SMD, J-вывод 3,5 мм 1,75 мм 2,8 мм Без свинца КРУГЛЫЙ 7 недель Неизвестный 3 да Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Нет 1 НПН 100мВт 100мВт 1 Фототранзисторы 100мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 0,05А 120° Плоский 6 мкс 6 мкс ОДИНОКИЙ 70В 70В 150 мВ 70В 50 мА 850 нм 200нА 2,4 мм ДА 0,5 мА 100 мА
LTR-209 ЛТР-209 Lite-On
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Сумка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2000 г. /files/liteonnc-ltr209-datasheets-7497.pdf Радиальный КРУГЛЫЙ 12 недель 1 Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ неизвестный 1 Прозрачный НПН 100мВт 100мВт Фототранзисторы ФОТО ТРАНЗИСТОР 16° Прозрачный, куполообразный 10 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 0,000005 с 30 В 400мВ 4мА 940 нм 100 нА 3 мм ДА 4мА
OP804SL OP804SL ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op800wsl-datasheets-2012.pdf 30 В ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 100 мкА 6,86 мм 30 В Без свинца 10 недель Нет СВХК 3 Вид сверху НПН 250 мВт 250 мВт 1 250 мВт 30 В 25° 7 мкс 7 мкс 250 мВт 30 В 30 В 50 мА 890 нм 100 нА 30 В 50 мА 100 нА
BPW17N BPW17N Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw17n-datasheets-7503.pdf 50 мА Радиальный 3,3 мм 2,9 мм 2,4 мм Без свинца 7 недель Неизвестный 2 да Вид сверху Нет Прозрачный е3 Матовый олово (Sn) НПН 100мВт 100мВт 1 Фототранзисторы 100мВт 0,05А 24° Прозрачный, куполообразный 4,8 мкс 5 мкс 32В 32В 300мВ 32В 50 мА 825 нм 200нА 1 мА
OP599A ОП599А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op599c-datasheets-1779.pdf Т 1 3/4 7,87 мм 4,95 мм Без свинца 8 недель Нет СВХК 2 Вид сверху Пластик Нет 19,05 мм НПН 100мВт 100мВт 1 100мВт 20° 100мВт 30 В 30 В 400мВ 30 В 50 мА 890 нм 100 нА 30 В 50 мА 100 нА
SFH 313FA СФХ 313FA OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh313fa34-datasheets-7257.pdf Радиальный 14 недель Вид сверху 20° 200мВт 870 нм 70В 50 мА 200нА
BPW96B BPW96B Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2001 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw96-datasheets-2979.pdf 50 мА Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) 5,75 мм 8,6 мм 5,75 мм Без свинца 12 недель Неизвестный 2 Вид сверху Нет Прозрачный НПН 150 мВт 150 мВт 1 150 мВт 40° Куполообразный 2 мкс 150 мВт 70В 300мВ 70В 50 мА 850 нм 200нА 70В 50 мА 200нА
OP598C OP598C ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op593c-datasheets-2748.pdf ТО-18-2 12 недель Нет СВХК 2 Вид сверху НПН 250 мВт 250 мВт 1 250 мВт 25° 250 мВт 30 В 30 В 400мВ 30 В 50 мА 890 нм 100 нА 30 В 50 мА 100 нА
BPW85B BPW85B Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2001 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw85-datasheets-3500.pdf 50 мА Радиальный 3,4 мм 4,5 мм 3,4 мм 12 недель Неизвестный 2 Вид сверху Нет Прозрачный НПН 100мВт 1 100мВт 1 100мВт 50° Прозрачный, куполообразный 2 мкс 2,3 мкс 100мВт 70В 300мВ 70В 50 мА 850 нм 200нА 70В 100 мА 200нА
PT91-21C/TR10 ПТ91-21С/ТР10 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2006 г. 2-СМД, З-изгиб Без свинца КРУГЛЫЙ 20 недель 2 да Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Нет 1 Прозрачный НПН 75мВт 75мВт 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР Прозрачный, куполообразный 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 30 В 20 мА 940 нм 100 нА ДА 1,5 мА
SFH 314 FA СФХ 314 ФА OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh314fa-datasheets-7413.pdf Радиальный – 2 отведения 14 недель Вид сверху 80° 200мВт 870 нм 70В 50 мА 200нА
PT91-21B/TR10 ПТ91-21Б/ТР10 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2007 год /files/everlight-pt9121btr10-datasheets-2602.pdf 2-СМД, З-изгиб Без свинца КРУГЛЫЙ 20 недель 2 да Вид сверху Нет 1 Черный НПН 75мВт 75мВт 1 Фототранзисторы ФОТО ТРАНЗИСТОР Куполообразный 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 30 В 400мВ 30 В 20 мА 940 нм 100 нА ДА 1,5 мА
OP598B ОП598Б ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op593c-datasheets-2748.pdf ТО-18-2 5,72 мм 7,62 мм 5,72 мм Без свинца 8 недель Нет СВХК 2 Вид сверху Пластик 19,1 мм НПН 250 мВт 1 250 мВт 1 250 мВт 25° 250 мВт 30 В 30 В 400мВ 30 В 50 мА 890 нм 100 нА 30 В 50 мА 100 нА
BPY 62 БПЙ 62 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-bpy624-datasheets-1677.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 10 недель Вид сверху 16° 200мВт 830 нм 35В 100 мА 50нА
BPC-817 ( B BIN ) БПК-817 (Б БИН) Американская компания по производству яркой оптоэлектроники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) 10 недель
ALS-PT243-3C/L177 АЛС-ПТ243-3С/Л177 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Сумка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2008 год /files/everlightelectronicscoltd-alspt2433cl177-datasheets-7160.pdf Радиальный 15 недель 2 Нет НПН 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР Плоский 110 мкс 220 мкс 5,5 В 630 нм 100 нА 100 нА
BPY 62-3/4 БПИ 62-3/4 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-bpy624-datasheets-1677.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 10 недель Вид сверху 16° 200мВт 830 нм 35В 100 мА 50нА
SFH 309 FA-5/6 СФХ 309 ФА-5/6 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh309fa45-datasheets-7108.pdf Радиальная линза Т-1 14 недель Вид сверху 24° 165мВт 900 нм 35В 15 мА 200нА
SFH 310-2/3 СФХ 310-2/3 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh31023-datasheets-7314.pdf Радиальный 14 недель Вид сверху 50° 165мВт 880 нм 70В 50 мА 50нА
SFH 309 FA-5 СФХ 309 ФА-5 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh309fa45-datasheets-7108.pdf Радиальная линза Т-1 14 недель Вид сверху 24° 165мВт 900 нм 35В 15 мА 200нА
BPW77NB BPW77NB Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -40°С Соответствует ROHS3 1999 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw77na-datasheets-6808.pdf 70В ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 5,5 мм 50 мА 6,15 мм 5,5 мм Без свинца 20 недель Неизвестный 3 Вид сверху Нет НПН 250 мВт 1 250 мВт 1 250 мВт 70В 20° Куполообразный 6 мкс 5 мкс 250 мВт 70В 150 мВ 70В 50 мА 850 нм 100 нА 70В 50 мА 100 нА
QSD123 QSD123 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 год /files/onsemiconductor-qsd123a4r0-datasheets-1491.pdf 30 В Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) 100 мкА Без свинца КРУГЛЫЙ 13 недель 284 мг Нет СВХК 2 АКТИВНО (последнее обновление: 14 часов назад) да Вид сверху EAR99 ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА Олово Нет Т-1 3/4 1 Черный, Прозрачный е3 НПН 100мВт 100мВт 1 Фототранзисторы 100мВт 30 В 100 мкА ФОТО ТРАНЗИСТОР 24° Куполообразный 7 мкс 7 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 0,000008 с 30 В 30 В 880 нм 100 нА 5 мм ДА 4мА
SML-810TBT86 СМЛ-810ТБТ86 РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПХ2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2012 год 2-СМД, без свинца Без свинца 10 недель Вид сверху 80мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 80мВт 32В 32В 30 мА 800 нм 500нА 0,5 мкА
PT908-7C-F PT908-7C-F Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2007 год Радиальный, вид спереди Без свинца КРУГЛЫЙ 20 недель 2 да Вид спереди 1 Прозрачный НПН 75мВт 1 ФОТО ТРАНЗИСТОР Куполообразный 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 20 мА 940 нм 100 нА ДА
BPV11F БПВ11Ф Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 1999 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv11f-datasheets-7357.pdf 50 мА Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) 5,75 мм 8,6 мм 5,75 мм Без свинца 14 недель Неизвестный 3 Вид сверху Нет НПН 150 мВт 1 150 мВт 1 150 мВт 30° Куполообразный 6 мкс 5 мкс 150 мВт 70В 70В 130 мВ 70В 50 мА 930 нм 50нА 70В 10 мА 50нА
TEPT5600 ТЭП5600 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~85°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tept5600-datasheets-7200.pdf Радиальный 5,75 мм 8 мм 5,75 мм Без свинца КРУГЛЫЙ 12 недель Неизвестный 2 да Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Нет 1 НПН 100мВт 1 100мВт Фототранзисторы 100мВт Аналоговый ФОТО ТРАНЗИСТОР 40° Куполообразный ОДИНОКИЙ 1,5 В 20 мА 570 нм 50нА НЕТ 0,35 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.