Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули IGBT(2658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Время включения | Тип канала | Время выключения-Nom (toff) | VCEsat-Макс | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Количество терминалов | ECCN (США) | Минимальная рабочая температура (°C) | Максимальная рабочая температура (°C) | Стандартное имя пакета | Поставщик пакета | Монтаж | Высота упаковки | Качество упаковки | Ширина упаковки | PCB изменена | ХТС | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В) | Типичное напряжение насыщения коллектор-эмиттер (В) | Максимальное напряжение затвор-эмиттер (В) | Максимальная рассеиваемая мощность (мВт) | Максимальный непрерывный ток коллектора (А) | Максимальный ток утечки затвор-эмиттер (мкА) | Военный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FZ1800R12KF4NOSA1 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | не соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz1800r12kf4nosa1-datasheets-7073.pdf | 9 | Тройной общий эмиттер с общим затвором | Н | EAR99 | -40 | 125 | ИХМ190-2 | Винт | 38 | 190 | 140 | 9 | 1200 | 2.7 | ±20 | 11000 | 1800 г. | 0,4 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМ2Г100Ш12АЛ | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dm2g100sh12al-datasheets-6095.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус 7ДМ-3 | Винт | 29,75 (макс.) | 108,5 | 62,5 | 7 | 1200 | 1,8 | ±20 | 700000 | 150 | 0,2 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГЛ60А120Т1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgl60a120t1g-datasheets-2868.pdf | 12 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 175 | Корпус СП-1 | Винт | 11,5 | 51,6 | 40,8 | 12 | 1200 | 1,85 | ±20 | 280000 | 80 | 0,4 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| F450R06W1E3BOMA1 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-f450r06w1e3boma1-datasheets-2876.pdf | 15 | Четырехместный | Н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50MT060WHAPBF | Вишай | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-50mt060whtapbf-datasheets-4881.pdf | 10 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | МТП | Винт | 16 | 63,5 | 33 | 10 | 600 | ±20 | 658000 | 114 | 0,25 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМ2Г150Ш12АЭ | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dm2g150sh12ae-datasheets-3422.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус 7ДМ-2 | Винт | 29,95 (макс.) | 94 | 48 | 7 | 1200 | 1,8 | ±20 | 1100000 | 200 | 0,25 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЛ2Г75Ш6Н | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dl2g75sh6n-datasheets-6708.pdf | 6 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус 6ДМ-2 | Сквозное отверстие | 34 | 66 | 8,15 (макс.) | 6 | 600 | 2.1 | ±20 | 300000 | 100 | 0,1 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГФ75ДХ120Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgf75dh120t3g-datasheets-2183.pdf | 16 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус СП-3 | Винт | 11,5 | 73,4 | 40,8 | 16 | 1200 | 3.2 | ±20 | 500000 | 100 | 0,5 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФФ450Р12МЕ3 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Да, с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-ff450r12me3-datasheets-6558.pdf | 11 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 125 | ЭКОНОД | ЭКОНОД-3 | Винт | 17 | 152 | 62 | 11 | 1200 | 1,7 | ±20 | 2100000 | 600 | 0,4 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГЛ120СК120Т1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgl120sk120t1g-datasheets-7400.pdf | 12 | Одинокий | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ50YF120N | Вишай | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДНЯО | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-gb50yf120n-datasheets-1318.pdf | 11 | Кваде | Н | EAR99 | -40 | 150 | ЭКОНО2 4ПАК | Винт | 17 | 107,8 | 45,4 | 11 | 1200 | ±20 | 330000 | 66 | 0,2 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СКМ75ГАЛ123Д | семикрон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semikron-skm75gar123d-datasheets-0461.pdf | 5 | Одинокий | Н | EAR99 | -40 | 150 | Модуль | Дело Д-61 | Винт | 30,5 | 94 | 34 | 5 | 1200 | 2,5 | ±20 | 75 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПМБ50Б120РХ | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-mpmb50b120rh-datasheets-1411.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -55 | 150 | Корпус 7ДМ-1 | Корпус 7ДМ-1 | Винт | 29,95 (макс.) | 93 | 35 | 7 | 1200 | 2.7 | ±20 | 416000 | 75 | 0,25 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМ2Г200Ш12АЭ | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dm2g200sh12ae-datasheets-8624.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус 7ДМ-2 | Винт | 29,95 (макс.) | 94 | 48 | 7 | 1200 | 1,8 | ±20 | 1350000 | 275 | 0,3 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЛ2Г50Ш6Н | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dl2g50sh6n-datasheets-4617.pdf | 6 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус 6ДМ-2 | Сквозное отверстие | 34 | 66 | 8,15 (макс.) | 6 | 600 | 2.1 | ±20 | 240000 | 75 | 0,1 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF50A120T3WG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgf50a120t3wg-datasheets-8212.pdf | 18 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Корпус СП-3 | Винт | 11,5 | 73,4 | 40,8 | 18 | 1200 | 3.2 | ±20 | 312000 | 70 | 0,1 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СКМ50ГД125Д | семикрон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Да, с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semikron-skm50gd125d-datasheets-8293.pdf | 17 | Шестигранник | Н | EAR99 | -40 | 150 | Модуль | Дело Д-67 | Винт | 18 | 105 | 45 | 17 | 1200 | 3.2 | ±20 | 73 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF600R12KF4NOSA1 | Инфинеон Технологии АГ | $735,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | не соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-ff600r12kf4nosa1-datasheets-6413.pdf | 10 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | ИХМ130-2 | Винт | 38 | 140 | 130 | 10 | 1200 | 2.7 | ±20 | 3900000 | 600 | 0,4 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| G450HHBK06P2P | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не подтвержден | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-g450hhbk06p2h-datasheets-6664.pdf | 3 | Двойной | Н | EAR99 | -55 | 150 | ИНТ-А-ПАК 2 | ИНТ-А-ПАК 2 | Винт | 25,4 | 101,6 | 63,5 | 3 | 600 | 1,8 | ±20 | 600 | 10 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФП50Р12В2Т7Б11БОМА1 | Инфинеон Технологии АГ | $79,65 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Тренч Стоп | Да, с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fp50r12w2t7b11boma1-datasheets-1580.pdf | 23 | Шестигранник | Н | EAR99 | -40 | 175 | Винт | 12 | 56,7 | 48 | 23 | 8541.29.00.95 | 1200 | 1,5 | ±20 | 50 | 0,1 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МПМД150Б120РХ | МагнаЧип Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-mpmd150b120rh-datasheets-9114.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -55 | 150 | Корпус 7ДМ-3 | Корпус 7ДМ-3 | Винт | 29,75 (макс.) | 108,5 | 62,5 | 7 | 1200 | 2.7 | ±20 | 833000 | 200 | 0,5 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT75DH60T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgt75dh60t3g-datasheets-8907.pdf | 16 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 175 | Корпус СП-3 | Винт | 11,5 | 73,4 | 40,8 | 16 | 600 | 1,5 | ±20 | 250000 | 100 | 0,6 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГФ90А60Т3АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgf90a60t3ag-datasheets-2154.pdf | 20 | Двойной | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФП25Р12В2Т7Б11БПСА1 | Инфинеон Технологии АГ | $113,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Тренч Стоп | Да, с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fp25r12w2t7b11bpsa1-datasheets-0381.pdf | 23 | Шестигранник | Н | EAR99 | -40 | 175 | Винт | 12 | 56,7 | 48 | 23 | 1200 | 1,6 | ±20 | 25 | 0,1 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ2400R12HE4B9NPSA1 | Инфинеон Технологии АГ | $920,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Полевая остановка|Траншея | не соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz2400r12he4b9npsa1-datasheets-5386.pdf | 9 | Тройной | Н | EAR99 | -40 | 150 | ИХМБ190-2 | Винт | 190 | 140 | 9 | 1200 | 1,75 | ±20 | 13500000 | 3560 | 0,4 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗ1200Р12ХП4НПСА1 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Тренч | не соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz1200r12hp4npsa1-datasheets-5912.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | ИХМБ130-2 | Винт | 140 | 130 | 7 | 1200 | 1,7 | ±20 | 7150000 | 1790 г. | 0,4 | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R17HP4B2BOSA1 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Тренч | Да, с исключениями | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz1200r17hp4b2bosa1-datasheets-6179.pdf | 7 | Двойной | Н | EAR99 | -40 | 150 | Винт | 140 | 130 | 7 | 1700 | 1,9 | ±20 | 8600000 | 1200 | 0,4 | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГФ90СК60Т3АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | /files/microsemi-aptgf90sk60t3ag-datasheets-7437.pdf | 18 | Одинокий | Н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФФ1200Р12КЕ3 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Не соответствует требованиям RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | совместимый | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 10 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-XUFM-X10 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 5000 Вт | 1600А | 1200В | 880 нс | 1140 нс | 2,15 В | 20 В | 10 | |||||||||||||||||||||||||||
| ФЗ600Р17КЕ3 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 5 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-XUFM-X3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 3120 Вт | 840А | 1700В | 400 нс | 1200 нс | 2,45 В | 20 В | 3 |
