Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Упако | Вернояж | Тела | Статус Ройс | Техниль | PBFREE CODE | КОД ECCN | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Поседл | Raboч -yemperatura (mamaks) | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Слюна | Прилоэна | Пола | Power Dissipation-Max (ABS) | Колемкшионерток | Коллеркшионер-имиттер-naprayonee-maks | Klючite -wreman | ТИП КАНАЛА | Верхите-мему-nom (toff) | VCESAT-MAX | ВОЗОР-МАЙТЕРЕР НА ПЕРЕЦАНЕ-МАКС | Колиствот | Eccn (cшa) | МИНИМАЛАНА РОБЕЙС | МАКСИМАЛАНСКА | Станодар | Покат -ву | МОНТА | В.А. | Ипаскоски | Шyrina Upakokki | Пеатай -Миньилас | HTS | МАКСИМАЛНА | ТИПИНАНА ВАСА | МАКСИМАЛНА | МАКСИМАЛАНСКА | МАКСИМАЛНА НЕПРЕРЕРНА | МАКСИМАЛНГА | ВОЗДЕЛАН |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ1800R12KF4NOSA1 | Infineon Technologies Ag | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Rohs | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz1800r12kf4nosa1-datasheets-7073.pdf | 9 | Вроде | Ne | Ear99 | -40 | 125 | IHM190-2 | Винт | 38 | 190 | 140 | 9 | 1200 | 2.7 | ± 20 | 11000 | 1800 | 0,4 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DM2G100SH12AL | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поставик | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dm2g100sh12al-datasheets-6095.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй 7dm-3 | Винт | 29,75 (MAKS) | 108.5 | 62,5 | 7 | 1200 | 1.8 | ± 20 | 700000 | 150 | 0,2 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Aptgl60a120t1g | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgl60a120t1g-datasheets-2868.pdf | 12 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 175 | Sluчaй sp-1 | Винт | 11,5 | 51.6 | 40,8 | 12 | 1200 | 1,85 | ± 20 | 280000 | 80 | 0,4 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
F450R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies Ag | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-f450r06w1e3boma1-datasheets-2876.pdf | 15 | Квадран | Ne | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
50mt060whtapbf | Виал | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-50mt060whtapbf-datasheets-4881.pdf | 10 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Mtp | Винт | 16 | 63,5 | 33 | 10 | 600 | ± 20 | 658000 | 114 | 0,25 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DM2G150SH12AE | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поставик | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dm2g150sh12ae-datasheets-3422.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй 7dm-2 | Винт | 29,95 (MAKS) | 94 | 48 | 7 | 1200 | 1.8 | ± 20 | 1100000 | 200 | 0,25 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DL2G75SH6N | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поставик | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dl2g75sh6n-datasheets-6708.pdf | 6 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй 6dm-2 | Чereз dыru | 34 | 66 | 8.15 (M -MAKS) | 6 | 600 | 2.1 | ± 20 | 300000 | 100 | 0,1 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF75DH120T3G | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgf75dh120t3g-datasheets-2183.pdf | 16 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй sp-3 | Винт | 11,5 | 73,4 | 40,8 | 16 | 1200 | 3.2 | ± 20 | 500000 | 100 | 0,5 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FF450R12ME3 | Infineon Technologies Ag | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-ff450r12me3-datasheets-6558.pdf | 11 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 125 | Econod | Econod-3 | Винт | 17 | 152 | 62 | 11 | 1200 | 1.7 | ± 20 | 2100000 | 600 | 0,4 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL120SK120T1G | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgl120sk120t1g-datasheets-7400.pdf | 12 | Одинокий | Ne | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GB50YF120N | Виал | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Npt | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-gb50yf120n-datasheets-1318.pdf | 11 | Кара | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Econo2 4pak | Винт | 17 | 107.8 | 45,4 | 11 | 1200 | ± 20 | 330000 | 66 | 0,2 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SKM75GAL123D | СЕМИКРОН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semikron-skm75gar123d-datasheets-0461.pdf | 5 | Одинокий | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Модул | Sluчaй D-61 | Винт | 30,5 | 94 | 34 | 5 | 1200 | 2.5 | ± 20 | 75 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPMB50B120RH | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-mpmb50b120rh-datasheets-1411.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -55 | 150 | Sluчaй 7dm-1 | Sluчaй 7dm-1 | Винт | 29,95 (MAKS) | 93 | 35 | 7 | 1200 | 2.7 | ± 20 | 416000 | 75 | 0,25 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DM2G200SH12AE | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поставик | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dm2g200sh12ae-datasheets-8624.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй 7dm-2 | Винт | 29,95 (MAKS) | 94 | 48 | 7 | 1200 | 1.8 | ± 20 | 1350000 | 275 | 0,3 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DL2G50SH6N | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поставик | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-dl2g50sh6n-datasheets-4617.pdf | 6 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй 6dm-2 | Чereз dыru | 34 | 66 | 8.15 (M -MAKS) | 6 | 600 | 2.1 | ± 20 | 240000 | 75 | 0,1 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF50A120T3WG | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgf50a120t3wg-datasheets-8212.pdf | 18 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Sluчaй sp-3 | Винт | 11,5 | 73,4 | 40,8 | 18 | 1200 | 3.2 | ± 20 | 312000 | 70 | 0,1 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SKM50GD125D | СЕМИКРОН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semikron-skm50gd125d-datasheets-8293.pdf | 17 | Гекс | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Модул | Sluчaй D-67 | Винт | 18 | 105 | 45 | 17 | 1200 | 3.2 | ± 20 | 73 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12KF4NOSA1 | Infineon Technologies Ag | $ 735,07 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Rohs | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-ff600r12kf4nosa1-datasheets-6413.pdf | 10 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | IHM130-2 | Винт | 38 | 140 | 130 | 10 | 1200 | 2.7 | ± 20 | 3900000 | 600 | 0,4 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||
G450HHBK06P2P | Infineon Technologies Ag | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поставик | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-g450hhbk06p2h-datasheets-6664.pdf | 3 | Дон | Ne | Ear99 | -55 | 150 | Int-a-pak 2 | Int-a-pak 2 | Винт | 25.4 | 101.6 | 63,5 | 3 | 600 | 1.8 | ± 20 | 600 | 10 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FP50R12W2T7B11BOMA1 | Infineon Technologies Ag | $ 79,65 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Подтеяние | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fp50r12w2t7b11boma1-datasheets-1580.pdf | 23 | Гекс | Ne | Ear99 | -40 | 175 | Винт | 12 | 56.7 | 48 | 23 | 8541.29.00.95 | 1200 | 1.5 | ± 20 | 50 | 0,1 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||
MPMD150B120RH | Magnachip | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/magnachipsemiconductor-mpmd150b120rh-datasheets-9114.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -55 | 150 | Sluчaй 7dm-3 | Sluчaй 7dm-3 | Винт | 29,75 (MAKS) | 108.5 | 62,5 | 7 | 1200 | 2.7 | ± 20 | 833000 | 200 | 0,5 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75DH60T3G | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgt75dh60t3g-datasheets-8907.pdf | 16 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 175 | Sluчaй sp-3 | Винт | 11,5 | 73,4 | 40,8 | 16 | 600 | 1.5 | ± 20 | 250000 | 100 | 0,6 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF90A60T3AG | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-aptgf90a60t3ag-datasheets-2154.pdf | 20 | Дон | Ne | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP25R12W2T7B11BPSA1 | Infineon Technologies Ag | $ 113,54 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Подтеяние | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fp25r12w2t7b11bpsa1-datasheets-0381.pdf | 23 | Гекс | Ne | Ear99 | -40 | 175 | Винт | 12 | 56.7 | 48 | 23 | 1200 | 1.6 | ± 20 | 25 | 0,1 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ2400R12HE4B9NPSA1 | Infineon Technologies Ag | $ 920,32 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Полеояновой | По -прежнему | Rohs | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz2400r12he4b9npsa1-datasheets-5386.pdf | 9 | Троуно | Ne | Ear99 | -40 | 150 | IHMB190-2 | Винт | 190 | 140 | 9 | 1200 | 1,75 | ± 20 | 13500000 | 3560 | 0,4 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||
FZ1200R12HP4NPSA1 | Infineon Technologies Ag | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Поящь | Rohs | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz1200r12hp4npsa1-datasheets-5912.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | IHMB130-2 | Винт | 140 | 130 | 7 | 1200 | 1.7 | ± 20 | 7150000 | 1790 | 0,4 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ1200R17HP4B2BOSA1 | Infineon Technologies Ag | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Поднос | Поящь | ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologiesag-fz1200r17hp4b2bosa1-datasheets-6179.pdf | 7 | Дон | Ne | Ear99 | -40 | 150 | Винт | 140 | 130 | 7 | 1700 | 1.9 | ± 20 | 8600000 | 1200 | 0,4 | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF90SK60T3AG | Микросоми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPARINT | /files/microsemi-Aptgf90sk60t3ag-datasheets-7437.pdf | 18 | Одинокий | Ne | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF1200R12KE3 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | В | Icon-pbfree no | Ear99 | Сообщите | Не | Вергини | НЕВЕКАНА | Nukahan | 10 | 150 ° С | Nukahan | 2 | Иолировананнатраншистор | Н.Квалиирована | R-Xufm-X10 | Кремни | Otdelne, 2 эlementa so -vstrohennnhemdodem | Иолирована | N-канал | 5000 вес | 1600. | 1200 | 880 м | 1140 м | 2,15 В. | 20 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||
FZ600R17KE3 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPARINT | ICON-PBFREE DA | Ear99 | Сообщите | Не | Вергини | НЕВЕКАНА | Nukahan | 5 | 150 ° С | Nukahan | 1 | Иолировананнатраншистор | Н.Квалиирована | R-Xufm-X3 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Иолирована | ЕПРЕЙНЕЕ | N-канал | 3120w | 840a | 1700В | 400 млн | 1200 млн | 2,45 В. | 20 | 3 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.