Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули IGBT(2658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Входная емкость | Напряжение запуска | Включить время задержки | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Вход | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | VCEsat-Макс | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | НТЦ-термистор | Входная емкость (Cies) при Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MG1215H-XBN2MM | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/littelfuseinc-mg1215hxbn2mm-datasheets-4946.pdf | Модуль | 10 недель | 179,999996г | EAR99 | неизвестный | 105 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,1 нФ | Трехфазный инвертор с тормозом | 105 Вт | 1,2 кВ | 1,9 В | 2,15 В | 25А | Трехфазный мостовой выпрямитель | 1200В | 50 мкА | 2,15 В @ 15 В, 15 А | Да | 1,1 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGTQ100DDA65T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptgtq100dda65t3g-datasheets-4950.pdf | Модуль | 36 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Чоппер с углом наддува | 250 Вт | Стандартный | 650В | 100А | 100 мкА | 2,2 В при 15 В, 100 А | Да | 6нФ @ 25В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГЛ60ТЛ120Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptgl60tl120t3g-datasheets-4951.pdf | SP3 | 16 | 36 недель | 32 | EAR99 | Нет | 280 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 4 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-XUFM-X16 | 2,77 нФ | КРЕМНИЙ | Трехуровневый инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 280 Вт | 1,2 кВ | 80 нс | 1,2 кВ | 80А | Стандартный | 1200В | 370 нс | 2,2 В | 20 В | 1 мА | 2,2 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | Да | 2,77 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ГТ140ДА60У | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsgt140da60u-datasheets-4928.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,3 мм | 12,3 мм | 25,7 мм | 20 недель | 4 | да | EAR99 | НИКЕЛЬ (197) | 652 Вт | Одинокий | 652 Вт | 600В | 600В | 200А | Стандартный | 100 мкА | 2 В @ 15 В, 100 А | Тренч | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГЛК75Х65Т1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptglq75h65t1g-datasheets-4953.pdf | СП1 | Без свинца | 36 недель | 1 | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 4,62 нФ | 19 нс | 197 нс | Полный мост | 250 Вт | 650В | 2,3 В | 150А | Стандартный | 20 В | 100 мкА | 2,3 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | Да | 4,62 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ400R65KE3NOSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Крепление на шасси | -50°К~125°К | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/infineontechnologies-fz400r65ke3nosa1-datasheets-4930.pdf | Модуль | Содержит свинец | 20 недель | 7 | нет | EAR99 | Не содержит галогенов | Двойной | Половина моста | 8350 Вт | 6,5 кВ | 400А | Стандартный | 6500В | 800А | 5мА | 3,4 В при 15 В, 400 А | Нет | 110 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСМ75ГБ60ДЛЧОСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Крепление на шасси | -40°К~125°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-bsm75gb60dlchosa1-datasheets-4954.pdf | Модуль | 94 мм | 30,5 мм | 34 мм | Без свинца | 7 | 14 недель | 34 | нет | EAR99 | Не содержит галогенов | 355 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | Двойной | 355 Вт | 2 | Р-XUFM-X7 | КРЕМНИЙ | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,2 В | 90 нс | 600В | 100А | Стандартный | 205 нс | 500 мкА | 2,45 В @ 15 В, 75 А | Нет | 3,3 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Крепление на шасси | -40°К~150°К | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/infineontechnologies-f3l15r12w2h3b27boma1-datasheets-4934.pdf | Модуль | Содержит свинец | 16 недель | 34 | Не содержит галогенов | 3 независимых | 145 Вт | 1,2 кВ | 20А | Стандартный | 1200В | 1 мА | 2,4 В при 15 В, 15 А | Да | 875пФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГТ50Х120Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptgt50h120t3g-datasheets-4957.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 270 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 4 | Р-XUFM-X25 | 3,6 нФ | КРЕМНИЙ | Полный мостовой инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 270 Вт | 1,2 кВ | 140 нс | 2,1 В | 75А | Стандартный | 1200В | 610 нс | 250 мкА | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | Да | 3,6 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСМ10ГД120ДН2Е3224БОСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | 150°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Модуль | 17 | EAR99 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 17 | 6 | Р-XUFM-X17 | КРЕМНИЙ | Полный мост | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80 Вт | 105 нс | Стандартный | 1200В | 15А | 460 нс | 400 мкА | 3,2 В при 15 В, 10 А | Нет | 530пФ при 25В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАМ65HR51DS2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fam65hr51ds2-datasheets-4959.pdf | 8 недель | да | е3 | Олово (Вс) | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | Полумостовой инвертор | 135 Вт | Стандартный | 650В | 33А | Нет | 4,86 нФ при 400 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГТ100ДХ60ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptgt100dh60tg-datasheets-4935.pdf | SP4 | 14 | 36 недель | 20 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 340 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-XUFM-X14 | 6,1 нФ | КРЕМНИЙ | Асимметричный мост | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 340 Вт | 600В | 180 нс | 600В | 150А | Стандартный | 370 нс | 1,9 В | 250 мкА | 1,9 В @ 15 В, 100 А | Траншейная полевая остановка | Да | 6,1 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS75R07W2E3B11ABOMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-fs75r07w2e3b11aboma1-datasheets-4936.pdf | Модуль | Содержит свинец | 18 | 39 недель | 18 | EAR99 | Не содержит галогенов | 275 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6 | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 1,7 В | 44 нс | 650В | 95А | 258 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФС25Р12КТ3БОСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭконоПАК™ 2 | Крепление на шасси | -40°К~125°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-fs25r12kt3bosa1-datasheets-4939.pdf | Модуль | Содержит свинец | 28 | 16 недель | нет | EAR99 | Не содержит галогенов | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 28 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X28 | КРЕМНИЙ | Полный мост | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 145 Вт | 140 нс | Стандартный | 1200В | 40А | 610 нс | 5мА | 2,15 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | Да | 1,8 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F3L100R12W2H3B11BPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Крепление на шасси | -40°К~150°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/infineontechnologies-f3l100r12w2h3b11bpsa1-datasheets-4941.pdf | Модуль | Содержит свинец | 32 | 16 недель | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Олово | Не содержит галогенов | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Р-XUFM-X32 | КРЕМНИЙ | Трехфазный инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 375 Вт | 175 нс | 1,2 кВ | Стандартный | 1200В | 100А | 465 нс | 1 мА | 1,75 В при 15 В, 50 А | Да | 6,15 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGTQ200SK65T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptgtq200sk65t3g-datasheets-4942.pdf | Модуль | 36 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Бак Чоппер | 483 Вт | Стандартный | 650В | 200А | 200 мкА | 2,2 В @ 15 В, 200 А | Да | 12 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСМ10ГД120ДН2БОСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 17 | EAR99 | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 17 | 150°С | 6 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X17 | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 15А | 1200В | 105 нс | 460 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВИ30-06А7 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-mwi3006a7-datasheets-4943.pdf | Е2 | 107,5 мм | 17 мм | 45 мм | Без свинца | 11 | 20 недель | 2 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 140 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | МВИ | 17 | 6 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-XUFM-X11 | 1,6 нФ | КРЕМНИЙ | Трехфазный инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 140 Вт | 600В | 100 нс | 2,4 В | 45А | Стандартный | 310 нс | 600 мкА | 2,4 В при 15 В, 30 А | ДНЯО | Нет | 1,6 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FPF1C2P5MF07AM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/onsemiconductor-fpf1c2p5mf07am-datasheets-4918.pdf | Модуль F1 | 23г | Нет СВХК | да | 231 Вт | 2,5 кВ | Полный мостовой инвертор | 231 Вт | 620В | 60В | 1,6 В | 39А | Однофазный мостовой выпрямитель | 25 мкА | 1,6 В @ 15 В, 30 А | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВИ60-12Т6К | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-mwi6012t6k-datasheets-4922.pdf | Е1 | 13 | 32 недели | 1 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | МВИ | 24 | НЕ УКАЗАН | 6 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 2,53 нФ | КРЕМНИЙ | Трехфазный инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 Вт | 1,2 кВ | 140 нс | 2,3 В | 58А | Стандартный | 1200В | 610 нс | 20 В | 500 мкА | 2,3 В @ 15 В, 35 А | Тренч | Да | 2,53 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МИД145-12А3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на кузов, панель | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-mid14512a3-datasheets-4923.pdf | Y4-M5 | 94 мм | 30 мм | 34 мм | Без свинца | 5 | 24 недели | 7 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 700 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | СРЕДНИЙ | 7 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-XUFM-X5 | 6,5 нФ | 100 нс | 600 нс | КРЕМНИЙ | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 700 Вт | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 160 нс | 1,2 кВ | 160А | Стандартный | 1200В | 690 нс | 3 В | 20 В | 6мА | 2,7 В при 15 В, 100 А | ДНЯО | Нет | 6,5 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГЛК40Х120Т1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptglq40h120t1g-datasheets-4924.pdf | СП1 | Без свинца | 36 недель | 1 | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 2,3 нФ | 30 нс | 290 нс | Полный мост | 250 Вт | 1,2 кВ | 2,4 В | 75А | Стандартный | 1200В | 20 В | 100 мкА | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | Да | 2,3 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГТ75Х60Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptgt75h60t3g-datasheets-4925.pdf | SP3 | 25 | 36 недель | 32 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 4 | Р-XUFM-X25 | 4,62 нФ | КРЕМНИЙ | Полный мостовой инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 600В | 170 нс | 600В | 100А | Стандартный | 310 нс | 250 мкА | 1,9 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | Да | 4,62 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФП15Р12КЕ3ГБОСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°К~125°К | Непригодный | Соответствует RoHS | /files/infineontechnologies-fp15r12ke3gbosa1-datasheets-4895.pdf | Модуль | Содержит свинец | 24 | 12 недель | 24 | нет | EAR99 | Не содержит галогенов | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 24 | НЕ УКАЗАН | 7 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | Трехфазный инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 105 Вт | 135 нс | Стандартный | 1200В | 25А | 610 нс | 1 мА | 2,15 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | Да | 1,1 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUBW10-06A7 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/ixys-mubw1006a7-datasheets-4896.pdf | 1,6 кВ | 19А | Е2 | Содержит свинец | 24 | 20 недель | 21 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ НА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, НИЗКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 85 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | МУБВ | НЕ УКАЗАН | 7 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-XUFM-X24 | 600пФ | КРЕМНИЙ | Трехфазный инвертор с тормозом | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 85 Вт | 1,6 кВ | 600В | 80 нс | 600В | 20А | Трехфазный мостовой выпрямитель | 260 нс | 2,3 В | 20 В | 600 мкА | 2,3 В @ 15 В, 10 А | ДНЯО | Да | 0,6 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГТ50Х60Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptgt50x60t3g-datasheets-4897.pdf | SP3 | 73,4 мм | 11,5 мм | 40,8 мм | Без свинца | 25 | 36 недель | 32 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 176 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 6 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-XUFM-X25 | 3,15 нФ | 110 нс | 200 нс | КРЕМНИЙ | Трехфазный инвертор | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 176 Вт | 600В | 1,5 В | 170 нс | 600В | 80А | Стандартный | 310 нс | 1,9 В | 20 В | 250 мкА | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | Да | 3,15 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТГЛ40Х120Т1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptgl40h120t1g-datasheets-4901.pdf | СП1 | 36 недель | 12 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | Нет | 220 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 1,95 нФ | Полный мост | 220 Вт | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 65А | Стандартный | 1200В | 2,25 В | 20 В | 250 мкА | 2,25 В при 15 В, 35 А | Траншейная полевая остановка | Да | 1,95 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСМ50ГБ60ДЛЧОСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Крепление на шасси | -40°К~125°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/infineontechnologies-bsm50gb60dlchosa1-datasheets-4902.pdf | Модуль | 94 мм | 30,5 мм | 34 мм | Без свинца | 7 | 14 недель | 34 | нет | EAR99 | Не содержит галогенов | 280 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | Двойной | 2 | Р-XUFM-X7 | КРЕМНИЙ | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 280 Вт | 600В | 2,2 В | 52 нс | 600В | 75А | Стандартный | 151 нс | 500 мкА | 2,45 В @ 15 В, 50 А | Нет | 2,2 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTCV40H60CT1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptcv40h60ct1g-datasheets-4906.pdf | СП1 | 12 | 36 недель | 1 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 176 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 3,15 нФ | КРЕМНИЙ | Полный мост | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 176 Вт | 600В | 170 нс | 1,9 В | 80А | Стандартный | 310 нс | 20 В | 250 мкА | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | Да | 3,15 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF200R12W1H3B27BOMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°К~150°К | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/infineontechnologies-df200r12w1h3b27boma1-datasheets-4912.pdf | Модуль | Содержит свинец | 18 | 16 недель | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Не содержит галогенов | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-XUFM-X18 | КРЕМНИЙ | 2 независимых | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 375 Вт | 40 нс | Стандартный | 1200В | 30А | 475 нс | 1 мА | 1,3 В @ 15 В, 30 А | Да | 2нФ @ 25В |
