Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Высота | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Прирост мощности-мин (Гп) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4858JVP02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5185-2Н4392 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | N-канал | 40В | 60 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ175 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmpfj175tr-datasheets-4360.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 125 Ом | P-канал | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1070ПИДТЛ-Э | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamerica-2sk1070pidtle-datasheets-4524.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,15 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 150 мВт | N-канал | 9пФ @ 5В | 0 В @ 10 мкА | 22В | 50 мА | 12 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ310 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmpfj310tr-datasheets-4526.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канал | 5пФ @ 10В | 2 В при 1 нА | 25 В | 24 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4859JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4416A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | 10 мА | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 5,33 мм | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | ТО-206АФ (ТО-72) | 4пФ | 15 мА | -35В | 35В | 300мВт | 150Ом | 35В | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В при 1 нА | 35В | 5 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4856JTXV02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2394-7-ФРД-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IJW120R070T1FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-ijw120r070t1fksa1-datasheets-4496.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | Одинокий | ПГ-ТО247-3 | 35 мкА | 2В | 1,2 кВ | 1200В | 238 Вт | N-канал | 2000 пФ при 19,5 В ВГС | 35А | 3,3 мкА при 1200 В | 70мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5115 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n5115-datasheets-4451.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,5 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 500мВт | 100Ом | 7 пФ | P-канал | 25пФ при 15В | 3 В при 1 нА | 30 В | 15 при мА 15 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF408-3-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-tf4082tlh-datasheets-3890.pdf | 3 | Нет | Одинокий | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4393 ТРА | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 6 недель | нет | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 625 МВт | 100Ом | 3,5 пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4859A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n4859a-datasheets-4458.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,36 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 360мВт | 25Ом | 4 пФ | N-канал | 10 пФ при 10 В ВГС | 10 В при 500 пА | 30 В | 250пА | 50 при мА 15 В | 25Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| J110 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ4118-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | Одинокий | 300мВт | Другие транзисторы | 80 мкА | -40В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 40В | 80 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ174-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-sst174e3-datasheets-4250.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8,193012мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | Одинокий | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 125 Ом | P-канал | 20пФ при 0 В | 5 В при 10 нА | 20 при мА 15 В | 85Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5953 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n5953-datasheets-4470.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | EAR99 | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,36 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 360мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 0,005А | 2 пФ | N-канал | 6пФ @ 15В | 800 мВ при 100 нА | 30 В | 2,5 мА при 15 В | 375Ом | 5 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4302 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4341 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-pn4302-datasheets-4475.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | 50В | СОЕДИНЕНИЕ | 325 МВт | 2 пФ | N-канал | 6пФ @ 15В | 2 В при 100 нА | 50В | 3 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF410-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-tf410tlh-datasheets-3894.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBFJ177_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | MBFJ177 | 225 МВт | P-канал | 800 мВ при 10 нА | 30 В | 1,5 мА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5185_2N4391 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-51852n4391-datasheets-7956.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246Б | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH5908G-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mch5908gtle-datasheets-4371.pdf | 5-SMD, плоские выводы | Без свинца | 5 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 300мВт | 5 | Одинокий | 50 мА | 2 N-канала (двойной) | 10,5 пФ при 5 В | 300 мВ @ 100 мкА | 10 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2608 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-pn4302-datasheets-4475.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 11 недель | 3 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | P-канал | 1 В @ 1 мкА | 30 В | 900 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5114JTX02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Одинокий | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5432-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n5433e3-datasheets-4216.pdf | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | ТО-206АС (ТО-52) | 300мВт | N-канал | 30пФ при 0 В | 4 В при 3 нА | 25 В | 150 мА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U290 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u290e3-datasheets-4280.pdf | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | 3 | Нет | 500мВт | Одинокий | ТО-206АС (ТО-52) | 160пФ | -30В | 500мВт | 3Ом | N-канал | 160пФ при 0 В | 4 В при 3 нА | 30 В | 500 мА при 10 В | 3Ом |
